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OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究
被引量:
1
1
作者
陈金伙
李文剑
程树英
《贵州大学学报(自然科学版)》
2012年第4期71-76,共6页
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源...
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。
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关键词
OTFT
iv方程
开关比
杂质浓度上限
膜层厚度上限
下载PDF
职称材料
OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析
2
作者
陈金伙
李文剑
程树英
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期858-861,886,共5页
拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极...
拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".
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关键词
薄膜晶体管
iv方程
开关比
优化措施
参数调节
原文传递
题名
OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究
被引量:
1
1
作者
陈金伙
李文剑
程树英
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《贵州大学学报(自然科学版)》
2012年第4期71-76,共6页
基金
福建省自然科学基金(2009J05146)
文摘
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。
关键词
OTFT
iv方程
开关比
杂质浓度上限
膜层厚度上限
Keywords
OTFT, Ion/Ioff ratio
the maximum permissible value
impurity concentration
organic semicon- ductor film thickness
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析
2
作者
陈金伙
李文剑
程树英
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期858-861,886,共5页
基金
福建省自然科学基金资助项目(2009J05146
2012J01269)
文摘
拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".
关键词
薄膜晶体管
iv方程
开关比
优化措施
参数调节
Keywords
OTRF
iv
equation
Ion/Ioff ratio
optimized measures
parameter adjustment
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究
陈金伙
李文剑
程树英
《贵州大学学报(自然科学版)》
2012
1
下载PDF
职称材料
2
OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析
陈金伙
李文剑
程树英
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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