合金元素Ga和In对Mg阳极组织和电化学性能的影响(英文)

采用动电位极化和恒电流曲线测试合金元素Ga和In对Mg阳极材料电化学性能的影响。采用扫描电镜法分析Mg In Ga合金的显微组织和腐蚀表面,并用X射线衍射法检测Mg 0.8%In合金和Mg 0.8%Ga 0.3%In合金的腐蚀产物。结果表明:Mg xIn(x=0 0.8%)合金中没有第二相出现,Mg 0.8%In xGa(x=0 0.8%)合金中存在富含Ga和In元素的晶间化合物。合金元素In和0.05%0.5%Ga的添加提高了镁阳极的耐腐蚀性能,Ga元素的添加更促进了Mg In合金的电化学活性。Mg 0.8%In 0.8%Ga合金的平均电位最负,为1.682 V,此电位比AZ91D合金的1.406 V更负。Mg In Ga合金的腐蚀类型是全面腐蚀,其腐蚀产物是Mg(OH)2。