基于灰狼算法优化SVM的油浸式变压器电力故障自动化监测系统

针对现有系统存在的电力故障监测精度低、控制性能差等问题,提出基于灰狼算法优化SVM的油浸式变压器电力故障自动化监测系统。选取与配置传感器设备、监控与显示设备,提取与融合油浸式变压器监测数据特征,引入灰狼算法优化SVM参数,制定变压器电力故障自动化监测程序,设置合理的安全阈值,在电力故障发生前对其进行报警及显示,实现对电力故障的自动化监测与控制。实验结果显示,应用设计系统获得的机械振动信号特征提取结果与实际机械振动信号特征相同,电力故障监测结果与模拟工况一致。

光刻机浸没液体控制系统的研究现状及进展

浸没式光刻机是目前在45nm以下IC生产线上唯一获得应用的新光刻装备。浸没控制系统是浸没式光刻机的核心子系统之一,用于在最后一片投影物镜和硅片之间,提供并维持具有高度洁净度与稳定性的缝隙流场,利用高折射率浸没液体,提高光刻分辨率。介绍浸没控制系统的技术背景、组成及其特点,论述国外在液体浸没方式、液体动态密封、流场检测与控制、曝光热效应和气泡控制等关键技术方面的研究成果以及国内自主研发的进展。针对浸没式光刻机向着更高光刻分辨率和更高生产率不断延伸的特点,对浸没液体控制系统的发展前景进行展望,指出其发展中面临的挑战与有待解决的关键技术,浸没液体控制系统将在浸没式光刻机的发展过程中继续扮演着重要角色。

非球面技术在浸没式光刻照明系统中的应用

NA1.35浸没式光刻照明系统是超大规模集成电路的核心设备,为了实现从Ar F激光器发出的光束经过一系列模块传输后到达掩模面的能量满足光刻曝光系统的要求,需要在系统中引入非球面透镜,以减少镜片数量,提高能量利用率。为解决现在非球面透镜具有的加工难度和控制精度不足的缺陷,设计出一种优化控制保证非球面加工和检测的方法。在光学系统设计中优化非球面的形状,保证非球面度,满足非球面变化率在可加工和检测的范围内,并控制非球面拐点的产生。照明系统中镜片数量最多的模块是耦合镜组,通过非球面的优化,镜片数量从12片减少到9片,系统能量利用率提高近25%。此外,提高了系统像质NA一致性,像方远心度,弥散斑直径和畸变,满足了曝光光学系统对掩模面的能量要求,故该非球面控制技术具有良好的可加工性和可检测性。

基于控制体—迎风有限元法的变压器绕组二维流体场—温度场耦合计算方法研究

针对电力变压器二维流体场和温度场的耦合问题,文中采用了基于控制体有限元法和迎风有限元法的流体场—温度场耦合计算方法。该耦合方法基于三角形网格,使用控制体有限元法计算绕组油流区域的速度场,应用流线迎风有限元法求解整体场域的温度分布。在速度场计算中引入速度提升方法解决了流体场仿真时出口边界出现的回流流动问题,并在温度场计算时提出了适用于线性三角形单元的流线迎风稳定参数取值方法,从而解决了温度场仿真时的数值振荡问题。应用所提方法计算分析了油浸式变压器绕组二维模型的油流及温度分布,并将计算结果与Fluent软件仿真结果进行了对比,对比结果验证了耦合方法的有效性。文中提出的二维流体场和温度场耦合场计算方法也可用于其他二维流体场和温度场耦合问题的分析。

157nm光刻技术的进展

概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。

193nm浸没式光刻材料的研究进展

介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望。

用于印花机的PLC控制

主要介绍了用PLC控制毛巾印花机的整个工业流程,包括毛巾的传输、毛巾的浸泡、毛巾的印染以及颜料的混合等过程。

浸液式高速往复走丝电火花线切割漏电损失

分析了放电能量损失与极间工作液漏电、工件表面漏电的关系.采用浸液和喷液2种冷却方式进行高速往复走丝电火花线切割加工实验,对理论分论结果进行了验证.结果表明:减小工件表面漏电面积和工作液电导率,可以有效减少能量损失,进而提高加工效率;在相同加工参数下,浸液式相对于喷液式切割速度有所降低,其主要原因是由浸没在工作液中的工件与电极丝间持续电解漏电形成的.

多机电力系统TCSC新型自适应backstepping鲁棒控制

将含TCSC(Thyristor Controlled Series Compensation)的多机电力系统等值为两机系统,在考虑参数不确定性和外部干扰的情况下,基于backstepping方法,结合浸入和不变(I&I)自适应控制、自适应滑模控制以及L2干扰抑制理论,设计了一种新型的非线性自适应鲁棒TCSC控制器。该TCSC控制器不仅对不确定参数具有较强的自适应能力,而且可以有效地抑制外部干扰对系统的影响。另外,把虚拟控制量的导数看作不确定项,应用滑模项补偿其不确定性,来避免backstepping方法中存在的"系数膨胀"问题。仿真结果表明,所设计的TCSC控制器具有较强的鲁棒性和自适应性,可以保证区域互联电力系统的静态和暂态稳定性。

翼型下表面柔性襟翼流动控制机理研究

为解决低雷诺数下仿生飞行器设计中边界层流动分离这一热点问题,仿照鸟类次级羽毛的流动控制机制,提出了利用翼型下表面柔性襟翼进行非定常流动控制的方法。建立了一种以浸入边界法为核心的通用IB-LB-FEM流固耦合数值模拟框架,并系统研究了下表面柔性襟翼位置和刚度系数对NACA0012翼型非定常流动的影响,揭示了柔性襟翼流固耦合效应下的变形规律及其非定常流动控制机理。研究结果表明:当柔性襟翼靠近尾缘时,其对翼型气动性能的影响较为明显,其中最大平均升阻比相比无襟翼翼型提升了33.32%;下表面柔性襟翼并没有直接参与翼型表面流动分离的控制,但其通过扰动翼型下表面的非定常流动在襟翼后方形成新的流动分离从而影响了翼型的气动特性。此外,改变下表面柔性襟翼的刚度系数,将充分利用流固耦合特性有效改善翼型的气动性能。研究对于深入柔性襟翼流动控制机理,解决仿生飞行器的流动分离提供了新的研究思路。

树脂充模过程中渗流特点的数值模拟

基于复合材料液体成型工艺(LCM)过程中存在树脂流动前沿出现半饱和区域的实验现象,以及对多孔纤维预制体中非饱和渗流机理的逐步研究,将填充过程视为流体在多孔介质中的流动,通过在质量守恒方程中加入沉浸项建立树脂的沉浸模型.利用有限元法对具体的算例进行求解,计算出模具中各点的压力,通过数值结果反映树脂在填充过程中浸润纤维束的速度与向前流动的速度不一致,从而出现半饱和区域的实验现象.结果表明,该模型能较合理地反映多孔纤维预制体的非饱和渗流特性.

多种方法改善浸润式光刻机曝光台边缘缺陷检测问题

为有效提升浸润式光刻机的边缘缺陷监控效率,延长关键部件的使用寿命,本文从软件监控方面入手,建立了一套浸润式光刻机边缘缺陷检测监控机制,最终通过有效的管理改善,极大地保证了机台稳定性,提升了产品良率。

基于机器学习的浸没式液冷机房散热控制系统研究

机房制冷是保证机械设备使用寿命的关键技术,为进一步提高机房散热效率,基于机器学习算法设计浸没式液冷机房散热控制系统。在硬件设计中,依据散热控制系统的功能需求,以风机和浸没式液冷机为核心,通过模拟量输入模块采集温度、湿度、电流信号,实现数字量和模拟量之间的自动转换。在软件设计中,基于机器学习算法,完成输入层、隐含层以及输出层的数据连接与计算,计算误差函数,获取输入层到隐含层的各节点的数值,计算全局误差,得到该浸没式液冷机房的散热控制方法。实验结果显示,当冷却液的初始温度为25℃时该系统的平均散热效率为61.18%,当冷却液的初始温度为30℃时其平均散热效率为54.5%。在该控制系统内,冷却液初始温度、散热系统运行功率、系统风速和系统流量均是决定散热控制系统运行效率的关键因素。

浸没式光刻技术的研究进展

浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理,讨论了液体浸没带来的问题,最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。

浸没式光刻机内薄边界浸液流动的仿真分析

硅片扫描速度的不断提升是45nm以下浸没式光刻的发展趋势，由此带来的液体泄漏问题日益凸显．降低液体边界厚度可有效提高抑制泄漏的表面张力，却改变了传统浸液流场的应力分布及流动规律．基于计算流体动力学方法，建立浸液流场的三维数值模型，在液体下界面的硅片处于高速扫描状态下，研究薄边界浸液流动的压力特征及液体更新效率，相关结果与已有试验吻合性好．研究结果显示，边界厚度取0．3～0．5mm时可取得最佳的抗泄漏效果，同时硅片沿压差流方向运动时边界压力最小且液体更新稳定，研究结果对增强光刻过程的可靠性和密封性提供了参考依据．

浸没式光刻机浸液系统污染控制研究现状及进展

浸没式光刻是实现5 nm以上线宽高性能超大规模集成电路产品制造的关键技术。相比传统干式光刻,浸没式光刻需在末端物镜和硅片之间填充浸没液体。浸没液体的高折射率可以提高光刻机的数值孔径和曝光分辨率,但也对浸没式光刻的污染控制提出了挑战。为了减少曝光缺陷,提升曝光良率,需要对浸液系统中的各类污染物进行高精度检测与精准控制,以达到超洁净流控。从浸没式光刻技术的原理出发对比分析了干式光刻与浸没式光刻,概述了浸没式光刻机的发展历程,着重介绍了浸没式光刻浸液系统中几种污染物的产生机理、检测方法和控制手段,为进一步提高浸没式光刻芯片的曝光良品率提供了理论基础。

浸没式光刻机对焦控制技术研究

随着大规模集成电路芯片制造步入十几纳米技术节点时代,光刻机的对焦控制变得越来越困难,其精度需要达到几十纳米。基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理,开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究。根据系统结构分析出一系列误差源,研究了这些误差对总离焦误差的贡献方式及其与总离焦误差的关系。研究结果表明:由于光刻对焦误差中存在非正态分布的误差贡献项,常规正态统计分布使用的3_σ原则就无法满足99.7%的对焦成功率要求;在28,14,7nm技术节点集成电路芯片制造过程中,采用3_σ和4_σ原则得到的浸没光刻工艺总对焦成功率之差分别为28.4%、55.1%、62.9%。为了达到99.7%的对焦成功率,浸没式光刻机对焦控制应采用4_σ原则。