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注Sb/Bi氧化锡薄膜化学结构
1
作者
朱永法
曹立礼
R.G.Egdell
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第5期345-349,共5页
运用俄歇化学效应和XPS研究了高能离子注入的Sb/Bi元素在氧化锡气敏膜中的存在形式。结果表明氧化锡薄膜在注入Sb后,Sb和SnOx物相产生相互作用形成了SbySnOx物种,该物种提高了气敏薄膜的导电性能。氧化锡薄膜高能离子注入Bi后,Bi并...
运用俄歇化学效应和XPS研究了高能离子注入的Sb/Bi元素在氧化锡气敏膜中的存在形式。结果表明氧化锡薄膜在注入Sb后,Sb和SnOx物相产生相互作用形成了SbySnOx物种,该物种提高了气敏薄膜的导电性能。氧化锡薄膜高能离子注入Bi后,Bi并没有和SnOx相发生作用,而仍以金属Bi和Bi2O3两种物相存在。金属Bi的存在可以提高薄膜的导电性能以及提高对CO的气敏选择特性。
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关键词
注入
俄歇化学效应
导电性能
气敏膜
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职称材料
题名
注Sb/Bi氧化锡薄膜化学结构
1
作者
朱永法
曹立礼
R.G.Egdell
机构
清华大学化学系
英国牛津大学无机化学实验室
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1994年第5期345-349,共5页
文摘
运用俄歇化学效应和XPS研究了高能离子注入的Sb/Bi元素在氧化锡气敏膜中的存在形式。结果表明氧化锡薄膜在注入Sb后,Sb和SnOx物相产生相互作用形成了SbySnOx物种,该物种提高了气敏薄膜的导电性能。氧化锡薄膜高能离子注入Bi后,Bi并没有和SnOx相发生作用,而仍以金属Bi和Bi2O3两种物相存在。金属Bi的存在可以提高薄膜的导电性能以及提高对CO的气敏选择特性。
关键词
注入
俄歇化学效应
导电性能
气敏膜
Keywords
implanted
,
auger chemical effect
,
electronic conductivity
,
gas sensor film
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
注Sb/Bi氧化锡薄膜化学结构
朱永法
曹立礼
R.G.Egdell
《真空科学与技术》
CSCD
1994
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