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晶体管主要电参数在低温下变化的实验研究
被引量:
1
1
作者
刘录
徐维杰
陈九江
《黑龙江大学自然科学学报》
CAS
1992年第2期80-84,共5页
作者对晶体管的主要电参数在低温下进行了仔细的测试,发现电流放大系数变化很大.作者认为这主要由eb结两侧尤其是发射区杂质电离浓度随温度变化很大的缘故.
关键词
掺杂
发射效率
输运系数
晶体管
下载PDF
职称材料
题名
晶体管主要电参数在低温下变化的实验研究
被引量:
1
1
作者
刘录
徐维杰
陈九江
机构
黑龙江大学物理系
出处
《黑龙江大学自然科学学报》
CAS
1992年第2期80-84,共5页
文摘
作者对晶体管的主要电参数在低温下进行了仔细的测试,发现电流放大系数变化很大.作者认为这主要由eb结两侧尤其是发射区杂质电离浓度随温度变化很大的缘故.
关键词
掺杂
发射效率
输运系数
晶体管
Keywords
impurity concentration
,
emiter efficiency transport factor
分类号
TN320.407 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
晶体管主要电参数在低温下变化的实验研究
刘录
徐维杰
陈九江
《黑龙江大学自然科学学报》
CAS
1992
1
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