In:Mn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能研究

在Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3+的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化.

Zn:Fe:LiNbO_3晶体光折变性能研究

生长了Zn:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光折变性能,并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术,有效地提高了Zn:Fe:LiNbO3晶体的光折变性能,使得Zn:Fe:LiNbO3晶体的响应速度大大加快,散射噪声变小,存储图像清晰。