In^(3+)离子在多孔SiO_2干凝胶中的发光

采用常规的Sol-gel工艺合成了In3+掺杂的多孔SiO2 干凝胶 ,In3+离子作为间隙离子存在于SiO2 网络中 ,展示了一种新颖的发光现象 ,改变了多孔SiO2 干凝胶的发射光谱。这种掺杂的多孔SiO2 干凝胶的激发和发射光谱均由 2个带组成 ,短波长的发光峰在 4 40nm(λex=3 80nm) ,其相对荧光强度约是未掺杂的多孔SiO2 干凝胶的 4倍 ;长波长的发光峰 (In3+离子在多孔SiO2 干凝胶的特征发射 )在60 0nm(λex=4 76nm) ,其相对荧光强度约是In3+掺杂ZnS纳米晶的 1 0倍。由此可以看出