超大规模集成电路用新型散热材料的优化设计

利用趋势带法和定向位移法对多元合金成分进行优化设计对In—Bi—Sn三元系和In—Bi—Sn—Ga四元系部分区域进行了研究,获得了熔点为52℃,且不含铅、镉、汞等有毒有害元素的In60.5Bi27Sn8.5Ga4四元新型散热材料。该合金在40℃温度附近的导热系数达到24.57 W.m-1.K-1,是现有高导热硅胶(导热系数1.5～2.5 W.m-1.K-1)的十余倍,表现了良好的导热性能。本研究成分优化设计方法对研究合金熔点与成分关系具有一定指导意义。