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HB法掺In—GaAs晶体的研究
1
作者
李庆辉
赵志杰
《半导体杂志》
1990年第1期12-14,共3页
关键词
HB法
in-gaas晶体
掺杂
半导体
下载PDF
职称材料
题名
HB法掺In—GaAs晶体的研究
1
作者
李庆辉
赵志杰
机构
营口市辽河电子材料厂
出处
《半导体杂志》
1990年第1期12-14,共3页
关键词
HB法
in-gaas晶体
掺杂
半导体
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
HB法掺In—GaAs晶体的研究
李庆辉
赵志杰
《半导体杂志》
1990
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