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生长温度对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸的影响 被引量：6
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作者 马明明 杨晓珊 +5 位作者 郭祥 王一 汤佳伟 张之桓 许筱晓 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第1期103-108,共6页
采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostw... 采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长. 展开更多
关键词 MBE in0.5ga0.5as/gaas量子点 S-K Ostwald
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