钙钛矿结构La_(0.68)Pb_(0.32)FeO_3纳米材料的制备及气敏特性研究

采用Sol-gel法制备出气敏材料La0.68Pb0.32FeO3纳米粉体.该粉体材料具有正交钙钛矿结构,晶胞参数a=0.555 62 nm,b=0.559 65 nm,c=0.781 85 nm,晶胞体积v=0.243 1 nm3,平均粒径约为20 nm.用该粉体制成气敏元件,并测试了该粉体材料在乙醇、丙酮和汽油中的气敏特性,测试结果表明:相比空气而言, 在乙醇气氛中的La0.68Pb0.32FeO3电导值升高,呈现出n-型半导体载流子的导电特性;在丙酮和汽油气氛中的La0.68Pb0.32FeO3的电导值降低,呈现出p-型半导体载流子的导电特性.该材料对乙醇具有极高的气敏灵敏性,在0.01%的乙醇气氛中,灵敏度可达51;在0.1%的乙醇气氛中,灵敏度高达522.最佳工作温度区间在180℃～220℃.La0.68Pb0.32FeO3对丙酮和汽油也具有一定的灵敏性,在0.05%丙酮气氛中的灵敏度为30,最佳工作温度区间在220℃～260℃.在0.1%汽油气氛中的灵敏度为5.0.La0.68Pb0.32FeO3纳米粉体具有电子与空穴复合导电机制.

两步包裹法制备0.68PMN-0.32PT压电陶瓷及其性能研究

利用两步包裹法,在850℃低温合成出纯钙钛矿结构的0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(PMN)-0.32PbTiO3(PT)粉体材料。合成过程中通过TG-DSC分析了其反应过程,并利用XRD、SEM分析了粉体的相结构与陶瓷的微观形貌,指出经1170℃烧结的0.70PMN-0.30PT陶瓷显现出较好的性能,1kHz的室温介电常数达到3530,压电常数达到370pC/N,剩余极化强度为33.8μC/cm2,矫顽场EC=6.66kV/cm。烧结温度比常规方法低了约100℃,这种方法也可以推广应用到其它铅基弛豫铁电陶瓷的制备上。

分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te薄膜光致发光和喇曼散射的研究

对利用ＭＢＥ技术生长的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了光致发光和喇曼光谱的研究．拟合薄膜光致发光谱得到的禁带宽度，与用红外透射谱得到的薄膜带宽相近；其半峰宽仅为５ｍｅＶ；带尾能量小于１．３ｍｅＶ，显示了较高的薄膜质量．喇曼光谱测试表明，在１１９ｃｍ－１和１３８ｃｍ－１处有较强的喇曼散射峰，其中１１９ｃｍ－１峰为类ＨｇＴｅ的ＴＯ模，１３８ｃｍ－１为类ＨｇＴｅ的ＬＯ模；在９３ｃｍ－１处也可以观察到一个较弱的喇曼散射峰．

Nb_2O_5对Ba_(0.68)Sr_(0.32)Ti_(1-x)Sn_xO_3陶瓷介电性能的影响

采用传统固相法,制备了Nb2O5掺杂的Ba0.68Sr0.32Ti1–xSnxO3(BSTS)介电陶瓷,研究了Sn4+加入量和掺杂Nb2O5对材料介电性能的影响,用SEM研究了SnO2对材料微观结构的影响,当x(SnO2)为0.010,x(Nb2O5)为0.008时制得了εr为3689,tanδ为0.0006的高压低损耗陶瓷电容器瓷料,探讨了二者改性作用的机理。

分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究

报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度， 与用红外透射谱得到的薄膜禁带宽相近； 其半峰宽和带尾能量较小， 显示了较高的薄膜质量。样品经过退火后带尾能量降低，