GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.

非对称Mg_(x)Zn_(1-x)O/ZnO/Mg_(y)Zn_(1-y)O量子阱中杂质态子态跃迁光吸收

采用密度矩阵法探讨具有混相非对称Mg_(x)Zn_(1-x)O/ZnO/Mg_(y)Zn_(1-y)O量子阱中杂质态子态间跃迁光吸收及其相关的尺寸和混晶效应。在较宽Mg组分x范围内,特别针对纤锌矿和闪锌矿的混相区间(0.37<x<0.62),考虑内建电场和Hartree势的作用,讨论跃迁光吸收系数。结合变分法和有限差分法,获得杂质子态的波函数及其本征能。所得结果表明:与单相只有单个光吸收峰不同,在混相结构中存在两类光吸收峰分别对应纤锌矿和闪锌矿结构。与电子子带间跃迁光吸收相比,获得的杂质子态间跃迁光吸收系数α_(nm)(从n态到m态的跃迁)的峰位出现蓝移,且振幅增大。α_(12)和α_(13)的峰位随着y的增加向较低入射光子波长λ移动(蓝移),但随着阱宽的增加而向较长λ移动(红移),从而调制光探测区域。结果有助于光电探测器的设计和制作。

GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低,平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显,平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。

Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.

InGaAsP/InP量子阱中电子-电子散射率研究

在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金法则计算出In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,In1-xGaxAsyP1-y/InP量子阱中电子-电子的散射率随电子初态能的增大而降低,电子-电子的平均散射率随As组分和子带能级差的增大而降低,随Ga组分、阱宽和载流子浓度的增大而升高。当电子温度较低时,散射率和平均散射率随电子温度的降低而降低,当电子温度较高时,散射率和平均散射率会随着电子温度的升高而缓慢降低。