不同粒度的In2O3纳米立方体的制备

采用水热法,以硝酸铟、柠檬酸和氢氧化钠为反应物,通过采用不同的形貌控制剂和改变反应配比和水热时间,制备出了不同平均边长为30.7~130.6 nm的In2O3纳米立方体。结果表明,不同的形貌控制剂及其用量和氢氧化钠的用量对In2O3形貌的影响很大,形貌控制剂采用PVP且其用量为0.1~0.3 g时,制备得到的产物为形貌规整、分散良好的纳米立方体。水热时间则会影响纳米In2O3的粒度,In2O3的粒度随着水热时间的增加而减小。

纳米SiO_(2)-CaCO_(3)混凝土损伤本构模型及能量演化特征

采用纳米SiO_(2)-CaCO_(3)混合掺入混凝土中,对混掺纳米SiO_(2)-CaCO_(3)混凝土进行了受压性能试验,基于损伤力学理论和能量耗散原理分析了纳米SiO_(2)-CaCO_(3)增强混凝土的本构关系,建立了普通混凝土和纳米SiO_(2)-CaCO_(3)混凝土损伤本构模型。结果表明:混掺纳米材料比单掺纳米材料对提升混凝土强度效果更佳,强度最大增幅为31.46%;混掺纳米材料显著降低了混凝土的弹性应变能释放速率,增大了混凝土的总应变能和耗散能,从而提高了混凝土的延性和韧性。基于SEM微观测试结果揭示了纳米材料对混凝土增强效应的作用机理。

α-Fe_2O_3纳米立方体的水热合成及其光催化性能研究

采用简单水热法合成出了成分纯净、光催化性能优良的α-Fe_2O_3纳米立方体,并对合成产物进行物相分析、形貌观察、微观结构分析、氮气吸脱附测试及光催化性能测试。结果表明:该α-Fe_2O_3纳米材料形貌均一,呈规则的立方体形状,立方体边长为90~150 nm。合成产物为六方相结构,成分纯净、结晶性高;对亚甲基蓝、甲基橙、罗丹明B三种有机染料具有良好的光催化活性。

准立方体α-Fe_2O_3纳米粒子溶胶的制备与水解机理研究

以FeCl3·6H2O为反应前驱物,制备了α-Fe2O3溶胶。利用XRD、AFM、UV-Vis和FT-IR对薄膜的结构、形貌和谱学性质进行了分析。采用分时取样的方法,跟踪测试溶胶的XRD、AFM、UV-Vis和FT-IR,对粒子的形成过程进行了研究,提出了氧化铁在水解过程中先形成β-FeOOH,然后再转化为单分散准立方体形α-Fe2O3纳米粒子的机理。

准立方体纳米α-Fe_2O_3的制备及光催化活性研究

本文利用无表面活性剂条件,以氨水和醋酸锌为形貌调控剂,通过水热法合成了准纳米立方块结构的α-Fe2O3。并利用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对产物的形貌进行了的表征,对其形成机理进行了初步的解释。同时对其光催化降解活性进行了研究。

α-Fe_(2)O_(3)@SiO_(2)@Cu_(2)O核壳结构复合物的合成及其光催化性质的研究

采用水热法,以FeCl_(3)·6H_(2)O和NaH_(2)PO_(4)·2H2O为原料,制备了α-Fe_(2)O_(3)纳米颗粒,然后以TEOS作为硅源,CTAB作为造孔剂,制备α-Fe_(2)O_(3)包覆SiO_(2)的介孔材料,然后对SiO_(2)包覆的α-Fe_(2)O_(3)掺杂过渡金属Cu_(2)O,得到α-Fe_(2)O_(3)@SiO_(2)@Cu_(2)O核壳结构复合物,并且利用XRD对制备的产品进行表征,进行光催化活性的评价。结果表明,以高压汞灯为光源,亚甲基蓝浓度为15 mg/L,当催化剂用量为5 mg,90 min的降解率达到47.3%。

立方相Y_2O_3:Eu纳米晶中C_2格位Eu^(3+)的~5D_0能级量子效率

采用化学自发燃烧法制备了立方相不同粒径的纳米晶Y2O3:Eu(1 mol%),并通过退火处理得到了体相材料,测量了它们的发射谱和处在C2格位上Eu3+的5D0能级室温和10 K下的荧光衰减曲线。利用发射光谱数据计算了Eu3+在不同粒径纳米晶体Y2O3中的光学跃迁强度参数Ωλ(λ=2,4),通过对室温和低温下5D0能级荧光衰减的测量,用两种不同方法估计了处在C2格位上Eu3+的5D0能级的量子效率,对所获得的结果进行了讨论,并对两种获得量子效率不同方法进行了评价。

纳米Fe-In_2O_3颗粒膜的结构和磁特性

采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fex(In2O3)1-x颗粒膜,并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率x(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性弛豫效应:当截止温度TB=50 K时,颗粒膜的磁性由超顺磁性转变为铁磁性.当温度降低到某一临界温度TP时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,探讨分析了在低温下颗粒膜发生结构变化的原因.

纳米In_2O_3的微乳液合成及酒敏性能

采用微乳液法制备超细In2O3粉体,粉体粒径为8 nm,在In2O3基体材料中掺杂Pd及金属氧化物,研制出实用性的热线型C2H5OH气敏元件,该元件功耗低(小于300 mW),选择性高,长期稳定性好。并考察了温度、湿度变化对气敏元件性能的影响,分析了元件的气敏机理。

Ce掺杂In_2O_3纳米纤维的制备及其三乙胺气敏性能(英文)

用简单有效的静电纺丝法制备了Ce掺杂的In2O3纳米纤维材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和扫描电子显微镜(SEM)对合成样品的晶体结构和形貌进行了表征.结果显示,此纤维材料的平均直径约为90nm,长度达到几十个微米.气敏性能测试结果表明,4%(w)Ce掺杂的In2O3纳米纤维对三乙胺的灵敏度最高,该气敏元件对3μL·L-1三乙胺的灵敏度达到2.6,响应时间为5s,恢复时间约为6s,且具有较好的选择性.

立方晶型Sb_2O_3纳米晶的合成及光催化性能

采用沉淀法合成了立方晶型Sb2O3纳米晶,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和电子自旋共振谱(ESR)等对样品进行了详细的表征。以紫外光光催化降解甲基橙为反应模型评价了样品的光催化性能。结果表明:沉淀法合成的立方晶型Sb2O3纳米晶颗粒小,表现出良好的光催化性能。对立方晶型Sb2O3纳米晶光催化降解甲基橙的原因进行了探讨,并提出了降解甲基橙的反应机理。

溶胶-凝胶法制备纳米In_2O_3粉末

以InCl3 ·4H2 O为原料 ,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2 O3 。利用XRD ,TEM ,TG-DTA等测试手段对纳米级In2 O3 的晶粒生长过程进行了研究。计算表明 :随着煅烧温度的升高 ,平均晶粒度增大 ,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少。表明粒子越小 ,晶格畸变率越大 ,晶粒发育越不完整。应用相变理论计算得温度低于 5 0 0℃煅烧 1h ,晶粒生长活化能为 4.75kJ·mol-1,高于6 0 0℃时 ,晶粒生长活化能为 6 6 .40kJ·mol-1。TEM分析表明 :加入适量形貌控制剂 ,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善。

In_2O_3纳米粉体的制备及其气敏性能研究

以In(NO3)3·4.5H2O为原料,采用室温固相合成法、化学共沉淀法、均匀沉淀法、溶胶-凝胶法、微乳液法、水热法等六种不同方法制备In2O3纳米粉体。通过XRD、SEM、TEM等手段对粉体的物相、形貌、粒度等进行表征。结果表明,室温固相合成法、化学共沉淀法和水热法制备的粉体形貌为棒状,微乳液法、溶胶-凝胶法和均匀沉淀法制备的粉体形貌为粒径非常小的颗粒状。均匀沉淀法制备的In2O3气敏元件对Cl2具有最高的灵敏度,110℃工作温度下对100ppmCl2的灵敏度高达1175,且具有选择性好,响应-恢复时间短等特性。

In_2O_3纳米棒的制备与表征

以非离子表面活性剂作为形貌控制剂,采用溶胶-凝胶法制备In2O3纳米棒前驱物,经500℃煅烧1h,成功制备了长约120nm,直径20nm的In2O3纳米棒.根据综合热分析(TG-DSC)结果,前驱体是In(OH)3部分脱水的In2O(OH)4干凝胶;计算表面活性剂分子的几何排列参数P在1/3～1/2之间,确定体系形成的是棒状胶团,并对其影响因素和机理进行了讨论.

单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线

以乙酰丙酮合铟[In(acac)3](acac=acetylacetonate)作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度(550℃)下成功制得了In2O3纳米线.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80 nm,长度达十几微米,其生长服从气-液-固机理.光致发光研究发现,In2O3纳米线在483 nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在.

微波水解法制备In_2O_3纳米颗粒及气敏性能研究

以InCl3.4H2O为原料,用微波水解法制备In2O3纳米颗粒,并用TEM、XRD对合成材料的形貌和结构进行了表征。结果表明,所制的产品为球形In2O3,平均粒径为20 nm;用静态配气法测试了材料的气敏特性,与恒温水解制备的氧化铟材料的气敏特性基本一致。5.0 V加热电压下,对50×10–6酒精蒸气有较好的气敏性能,灵敏度为9.51,响应/恢复时间为6 s/6 s。

水热法制备V_2O_5掺杂纳米In_2O_3及其气敏性能研究

以硝酸铟为原料,采用水热法制备氧化钒(V2O5)掺杂的氧化铟(In2O3)纳米复合材料。利用X射线衍射(XRD)和比表面测试仪对材料的物相结构和比表面积(BET)进行了表征测试。结果表明:制备的In2O3材料都为立方晶相,具有较大的比表面积。V2O5的掺杂提高了对乙醇、苯的灵敏度。复合材料中掺杂V2O50.5%(wt,质量分数)的In2O3气敏元件对乙醇具有较好的气敏性能,3.0V加热电压下对5×10-6乙醇的灵敏度达8.024,响应恢复时间短。

铁掺杂In_2O_3纳米粉体及其气敏性能研究

对In2O3粉体进行Fe掺杂,采用水热法合成了In2O3粉体。通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)等手段对粉体的物相、形貌、粒度等进行表征。TEM图表明:质量分数为7%Fe掺杂的样品为均匀排列的棒,长度约为300～500 nm,宽度约20 nm。对样品进行气敏性能研究,结果表明:质量分数为7%Fe掺杂的In2O3气敏元件,当工作温度为125℃时,对100×10-6Cl2的灵敏度高达182.75。元件对10×10-6Cl2的灵敏度为17.9,可以检测到低体积分数的Cl2。并具有选择性好、响应-恢复时间短等特性。

In_2O_3纳米线制备及其特性

使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.

水基Sn-In_2O_3纳米浆体的制备及其分散稳定研究

纳米Sn-In2O3颗粒经表面处理制得稳定分散的水基Sn-In2O3浆体。谢乐公式计算出晶粒的平均粒径为33.7nm,HRTEM谱图观察晶粒粒径约为30～50nm,与谢乐公式计算结果相一致,经粒度分布仪测得浆体中纳米粉体按体积计算的平均粒径为192.5nm,分布宽度为22.5nm。将这些测试结果相比可得制得的浆体中纳米Sn-In2O3基本上以几十个晶粒左右的团聚体分散于水溶液中,Sn-In2O3复合微粒间无明显团聚发生。试验研究了溶液pH值、分散处理时间和分散剂用量等因素对浆体稳定性的影响,由FT-IR分析结果表明,较佳的工艺条件下制得的浆体溶液中,分散剂SDBS对Sn-In2O3颗粒的吸附方式由物理吸附趋于化学吸附,并以多层吸附的形式通过静电作用和空间位阻作用有效防止纳米粒子团聚,制得了稳定分散的水基纳米Sn-In2O3浆体。