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生长在(311)A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究 被引量:1
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作者 陈晔 李国华 +4 位作者 朱作明 韩和相 汪兆平 周伟 王占国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期53-56,共4页
测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 A... 测量了生长在 (311) A面 Ga As衬底上的 In0 .5 5 Al0 .45 As/ Al0 .5 Ga0 .5 As自组织量子点光致发光谱 ,变激发功率和压力实验证明发光峰是与 X能谷相关的 型发光峰 ,将它指认为从 Al0 .5 Ga0 .5 As势垒 X能谷到 In0 .5 5 Al0 .45 As重空穴的 型跃迁 .高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动 ,认为它来源于量子点中 Γ能谷与价带之间的跃迁 .在压力下还观察到了一个新的与 X相关的发光峰 ,认为它与双轴应变引起的导带 展开更多
关键词 压力 光致发光谱 inalas/algaas自组织Ⅱ型量子点 Ⅱ型跃迁 Г能带跃迁 X能谷劈裂
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External Parameters Affecting on the Photoluminescence of InAs Spherical Layer Quantum Dot
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作者 Marwan Zuhair Elias 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2021年第10期2439-2446,共8页
Spherical layer quantum dots (SLQDs) attract a great deal of importance, and have various optoelectronics applications due to their outstanding optical and electrical properties. The photoluminescence (PL) and the ele... Spherical layer quantum dots (SLQDs) attract a great deal of importance, and have various optoelectronics applications due to their outstanding optical and electrical properties. The photoluminescence (PL) and the electroluminescence (EL) spectra of InAs (SLQDs) were investigated theoretically under the presence of external parameters (pressure, temperature, electric field). Existing of both the temperature and the applied electric field lead to a significant decrease in photoluminescence peak energy (red-shift), while an increase existed in presence of applied hydrostatic pressure (blue-shift). Also with increasing the quantum azimuthal number the photoluminescence peak energy increase. In addition, we found no effect on the band shape of the luminescence as a result of existing such parameters. The study indicates the importance of such parameters as fitting parameters for photoluminescence spectra. 展开更多
关键词 Layer quantum dots photoluminescence ELECTROLUMINESCENCE pressure-Temperature Dependence
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Formation of Self-organization InAs Quantum Dots on (001) InP Substrate by As/P Exchange Reaction in MOCVD
3
作者 WANG Ben zhong ZHAO Fang hai +4 位作者 PENG Yu heng JIN Zhi LI Yu dong YANG Shu ren LIU Shi yong 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 1998年第2期113-116,共4页
FormationofSelf┐organizationInAsQuantumDotson(001)InPSubstratebyAs/PExchangeReactioninMOCVD*WANGBen-zhong*,Z... FormationofSelf┐organizationInAsQuantumDotson(001)InPSubstratebyAs/PExchangeReactioninMOCVD*WANGBen-zhong*,ZHAOFang-hai,PENGY... 展开更多
关键词 Self organized quantum dots Anion exchange reaction photoluminescence Low pressure MOCVD.
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半导体低维结构的压力光谱研究 被引量:2
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作者 李国华 陈晔 +3 位作者 方再利 马宝珊 苏付海 丁琨 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期174-178,共5页
研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光... 研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与ZnS体材料的带隙压力系数相同.表明Cu引入的受主能级具有浅受主的某些特点.测得ZnS:Eu纳米粒子中Eu发光峰的压力系数为24.1meV/GPa,与晶体场理论的预计不同.可能和Eu的激发态与ZnS导带间的相互作用有关. 展开更多
关键词 光致发光 量子点 纳米粒子 半导体 低维结构
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大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱 被引量:2
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作者 马宝珊 王晓东 +5 位作者 骆军委 苏付海 方再利 丁琨 牛智川 李国华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期207-212,共6页
在低温15K和0~9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明... 在低温15K和0~9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁. 展开更多
关键词 凝聚态物理学 光致发光 压力 砷化铟 量子点
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纳米硅量子点的自然形成及其发光特性 被引量:1
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作者 高文秀 陈松岩 +3 位作者 刘宝林 黄美纯 陈小红 杨祖慎 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期264-269,共6页
用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (~ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品 ,在室... 用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (~ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品 ,在室温条件且在高于 1.2 e V以上的能量范围内观察到了 PL谱。随着量子点尺寸的减少 ,PL谱的光学吸收限移向高能方向。 PL谱的峰值能呈现大幅度的 (约 0 .9e V)斯塔克移动 ,并且 PL谱的强度几乎与温度无关 ,说明发光来自与局域能级相关联的发光和复合过程。 展开更多
关键词 硅量子点 自然形成 光学吸收发射谱 纳米
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插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响
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作者 王茺 刘昭麟 +6 位作者 李天信 陈平平 崔昊杨 肖军 张曙 杨宇 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1155-1160,共6页
利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱... 利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源. 展开更多
关键词 INAS量子点 algaas薄膜 光致发光光谱 有效质量近似模型
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具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究 被引量:2
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作者 朱天伟 张元常 +2 位作者 徐波 刘峰奇 王占国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期2087-2091,共5页
采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样... 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样品中的确切位置 .变温PL谱的研究显示 ,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽 ,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为 .这是因为采用了InAlAs浸润层后 ,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用 ,同时切断了载流子的转移通道 ,使得量子点更加孤立后表现出来的性质 . 展开更多
关键词 InGaAs量子点 制备 inalas浸润层 自组装 量子阱 半导体 砷镓铟化合物 砷铝铟化合物 PL镨
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不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱
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作者 陈晔 张旺 +4 位作者 李国华 韩和相 汪兆平 周伟 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1092-1098,共7页
在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 8... 在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 82、94和 98me V/GPa,都小于 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边的压力系数 ,特别是尺寸为 2 6nm的小量子点比 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边小 1 7% ,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小 .理论计算表明有效质量的增大和 Γ- X混合是量子点压力系数变小的主要原因 ,并得到横向直径为 2 6和 52 nm的小量子点的 Γ- X混合势为 1 5和1 0 me V.根据实验还确定 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点系统 X能带具有 类结构 ,并且估算出价带不连续量为 0 .1 5± 0 .0 展开更多
关键词 algaas inalas 量子点 光致发光 静压光谱
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