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InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质 被引量:5
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作者 陈婷婷 王广宁 +2 位作者 黄东亮 郎颖 张锷 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期110-114,共5页
通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80~150 nm,长度约为7~20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显... 通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80~150 nm,长度约为7~20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6~3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。 展开更多
关键词 inalo3(zno)15 化学气相沉积法 电学性质
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高效甲醇水蒸气重整制氢的SBA-15改性的Cu/ZnO/Al_2O_3催化剂 被引量:7
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作者 姚成漳 张新荣 +5 位作者 王路存 曹勇 戴维林 范康年 吴东 孙予罕 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第3期269-272,共4页
以介孔SBA-15为结构助剂,制备出用于甲醇水蒸气重整制氢的新型高效氧化硅掺杂的Cu/ZnO/Al2O3催化剂,并与传统Cu/ZnO/Al2O3催化剂在相同条件下的催化性能进行了比较.结果表明,添加适量介孔SBA-15可显著提高催化剂的催化活性和选择性,在... 以介孔SBA-15为结构助剂,制备出用于甲醇水蒸气重整制氢的新型高效氧化硅掺杂的Cu/ZnO/Al2O3催化剂,并与传统Cu/ZnO/Al2O3催化剂在相同条件下的催化性能进行了比较.结果表明,添加适量介孔SBA-15可显著提高催化剂的催化活性和选择性,在大幅度提高甲醇转化率的同时有效降低了重整产气中CO的含量.原位XRD分析证实适量介孔SBA-15的添加对传统Cu/ZnO/Al2O3催化剂的微结构性质可产生重要的调控作用,从而大大改善其催化活性和制氢选择性. 展开更多
关键词 甲醇水蒸气重整 介孔SBA-15 Cu/zno/Al2O3催化剂 微观应变 原位XRD
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Novel photoluminescence properties of InAlO_3(ZnO)_m superlattice nanowires
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作者 刘欣 黄东亮 +2 位作者 武立立 张喜田 张伟光 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第7期450-453,共4页
One-dimension InAlO3 (ZnO)m superlattice nanowires were successfully synthesized via chemical vapor deposition. Transmission electron microscopy measurements reveal that the nanowires have a periodic layered structu... One-dimension InAlO3 (ZnO)m superlattice nanowires were successfully synthesized via chemical vapor deposition. Transmission electron microscopy measurements reveal that the nanowires have a periodic layered structure along the (0001) direction. The photoluminescence properties of InAlO3(ZnO)m superlattice nanowires are studied for the first time. The near-band-edge emissions exhibit an obvious red shift due to the formation of the localized tail states. The two peaks centered at 3.348 eV and 3.299 eV indicate a lever phenomenon at the low-temperature region. A new luminescence mechanism is proposed, combined with the special energy band structure of InAlO3(ZnO)m. 展开更多
关键词 inalo3zno)m superlattice nanowires PHOTOLUMINESCENCE energy band structure
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Nb/Nd共掺Bi_4Ti_3O_(12)对ZnO基薄膜晶体管性能的影响
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作者 龚跃球 刘奕帆 +1 位作者 阳歌 谢淑红 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1242-1247,共6页
利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介... 利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,BNTN0.03薄膜的剩余极化(2 Pr)最大(71.4μC/cm2),介电常数最大(370)。测得BNTNx薄膜的居里温度约为410℃,介电损耗(tanδ)约为0.02。ZnO/BNTN铁电TFT相比ZnO/SiO2层TFT,有较好的输出特性和转移特性,其阈值电压、沟道迁移率、存储窗口和开关电流比分别达到了2.5V、5.68cm2/Vs、1.5V和1.8×105。 展开更多
关键词 B3 15Nd0 85 Ti3-xNbxO12(BNTNx) 铁电薄膜 zno薄膜晶体管(TFT)
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