最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文)

由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制出70 nm栅长的InP基赝配高电子迁移率晶体管,器件采用双指,总栅宽为30μm,源漏间距为2μm。为降低器件的寄生电容,设计T型栅的栅根高度达到210 nm。器件的最大漏端电流为1 440 mA/mm(V_(GS)=0.4 V),最大峰值跨导为2 230 mS/mm。截止频率fT和最大振荡频率f_(max)分别为280 GHz和640 GHz。这些性能显示该器件适于毫米波和太赫兹波应用。