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测定GaAs(001)衬底上InAs的生长速率 被引量：4
1
作者 郭祥 罗子江 +4 位作者 张毕禅 尚林涛 周勋 邓朝勇 丁召 《物理实验》 北大核心 2011年第1期11-15,共5页
报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与I... 报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs(001)衬底上生长GaAs与InGaAs,用RHEED强度振荡测定GaAs与InGaAs的生长速率.验证了InGaAs的生长速率为GaAs的生长速率与InAs的生长速率之和,得到了In源温度在845～880℃时InAs的生长速率曲线. 展开更多
关键词 MBE RHEED GAAS(001)衬底 强度振荡 inas生长速率
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