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GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究
1
作者
张健
唐吉龙
+5 位作者
亢玉彬
方铉
房丹
王登魁
林逢源
魏志鹏
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期62-68,共7页
利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了清晰的再构线,其...
利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了清晰的再构线,其薄膜表面具有原子级平整度.利用原子力显微镜对InAs薄膜进行表征,结果显示较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度比较高Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度降低了约2.5倍.通过对不同Sb组分的三元合金InAsSb缓冲层上外延的InAs薄膜进行X射线衍射测试及对应的模拟,结果表明在较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的衍射峰半高峰宽较小,说明低Sb组分的InAsSb作为缓冲层可以降低InAs薄膜的内应力,提高InAs薄膜的结晶质量.利用光致发光光谱对高结晶质量的InAs薄膜进行发光特性研究,10 K下InAs的发光峰位约为0.418 eV,为自由激子发光.
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关键词
InAs薄膜
inassb
缓冲层
晶格失配
晶体质量
发光特性
分子束外延技术
X射线衍射
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职称材料
题名
GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究
1
作者
张健
唐吉龙
亢玉彬
方铉
房丹
王登魁
林逢源
魏志鹏
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期62-68,共7页
基金
国家自然科学基金(Nos.61704011,61674021,11674038)
高功率半导体激光器国家重点实验室基金
吉林省科技发展项目(Nos.20160519007JH,20160520117JH,20160101255JC,20170520118JH)~~
文摘
利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了清晰的再构线,其薄膜表面具有原子级平整度.利用原子力显微镜对InAs薄膜进行表征,结果显示较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度比较高Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度降低了约2.5倍.通过对不同Sb组分的三元合金InAsSb缓冲层上外延的InAs薄膜进行X射线衍射测试及对应的模拟,结果表明在较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的衍射峰半高峰宽较小,说明低Sb组分的InAsSb作为缓冲层可以降低InAs薄膜的内应力,提高InAs薄膜的结晶质量.利用光致发光光谱对高结晶质量的InAs薄膜进行发光特性研究,10 K下InAs的发光峰位约为0.418 eV,为自由激子发光.
关键词
InAs薄膜
inassb
缓冲层
晶格失配
晶体质量
发光特性
分子束外延技术
X射线衍射
Keywords
InAs film
inassb buffer layer
Lattice mismatch
Crystal quality
Luminescence properties
Molecular beam epitaxy
X-ray diffraction
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究
张健
唐吉龙
亢玉彬
方铉
房丹
王登魁
林逢源
魏志鹏
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
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职称材料
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