期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Surface modification of Li_(3)InCl_(6)provides superior electrochemical performance for LiMn_(2)O_(4)cathode materials
1
作者 Yixun Gu Kuan Yang +6 位作者 Hongbin Yao Weijian Li Haiqing Zhan Xianquan Ming Guanhan Huang Guiliang Li Feng Zhan 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2023年第5期505-508,共4页
Li Mn_(2)O_(4)(LMO)is the substance of choice for small and medium-sized energy storage materials in daily life.In this work,Li3InCl6(LIC)is prepared on the surface of LiMn_(2)O_(4)by hydrothermal method using InCl_(3... Li Mn_(2)O_(4)(LMO)is the substance of choice for small and medium-sized energy storage materials in daily life.In this work,Li3InCl6(LIC)is prepared on the surface of LiMn_(2)O_(4)by hydrothermal method using InCl_(3)and LiCl as raw materials.This method stabilizes the LMO crystal structure by uniformly coating the LIC on the LMO surface and effectively maintains the morphology of LMO crystals during the cycling process.SEM and EDS analysis confirm the morphology and homogeneity of the synthesized material LIC on the LMO surface.The prepared material is put into a battery,and the charge-discharge test is carried out at 0.5 C and 1 C.The results show that the LIC surface-modified samples exhibit more than 6%higher cycling performance than the unmodified samples after long cycling. 展开更多
关键词 Li-ion batteries Cathode material LiMn_(2)O_(4) Li_(3)incl_(6) Surface modification
原文传递
一种绿色高效合成恶唑烷-2-亚胺的策略
2
作者 冉洪圩 郑仁会 +1 位作者 曾晴 何述钟 《广州化学》 CAS 2023年第3期62-64,共3页
报道了一种绿色高效合成恶唑烷-2-亚胺的策略。首先由N-苄基炔丙胺与对氯苯异氰酸酯经过亲核加成反应合成了芳基取代的炔丙基脲(关环前体),产率为94.9%;采用更为绿色的InCl_(3)、ZnI_(2)为反应试剂,芳基取代的炔丙基脲再经过O-环化异构... 报道了一种绿色高效合成恶唑烷-2-亚胺的策略。首先由N-苄基炔丙胺与对氯苯异氰酸酯经过亲核加成反应合成了芳基取代的炔丙基脲(关环前体),产率为94.9%;采用更为绿色的InCl_(3)、ZnI_(2)为反应试剂,芳基取代的炔丙基脲再经过O-环化异构化反应,合成出对应的恶唑烷-2-亚胺,反应条件为二氯甲烷作溶剂,室温条件下,反应过夜,最终得到较好的产率和收率,产率最高可达81.3%。该工作可为具有恶唑烷-2-亚胺骨架的天然产物的全合成提供一条可选的策略。 展开更多
关键词 脲类化合物 O-环化异构化 恶唑烷-2-亚胺 incl_(3) ZnI_(2)
下载PDF
HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征
3
作者 朱佳 岳明月 +3 位作者 李天保 刘培植 郭俊杰 许并社 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期8094-8099,共6页
实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_(3)源区温度、NH_(3)流量和N_(2)载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(E... 实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_(3)源区温度、NH_(3)流量和N_(2)载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征。结果表明,InCl_(3)源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH_(3)流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH_(3)流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH_(3)流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N_(2)载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础。 展开更多
关键词 HCVD incl_(3) InN纳米棒 NH_(3)流量 载气流量
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部