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LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究
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作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期346-348,共3页
根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 。
关键词 LP-MOCVD ingaa1p 双异质结 组分控制
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