利用 SIMS分析技术 ,研究了在 In Ga Al P和 Ga P材料中 ,MOCVD工艺参数对 Mg的掺杂行为的影响 .实验结果表明 ,在较高温度下 ,Mg在生长表面的再蒸发决定了 Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降 ;而当载流子浓度饱和时 ,杂质 Mg在材...利用 SIMS分析技术 ,研究了在 In Ga Al P和 Ga P材料中 ,MOCVD工艺参数对 Mg的掺杂行为的影响 .实验结果表明 ,在较高温度下 ,Mg在生长表面的再蒸发决定了 Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降 ;而当载流子浓度饱和时 ,杂质 Mg在材料中的置换填隙机制使得 Mg的激活率随 Cp2 Mg流量的再增加反而下降 .同时通过计算得到 Mg在 In Ga Al P及 Ga P中的再蒸发激活能分别约为 0 .9e V和 1.1e展开更多
In Ga Al P超高亮 L ED是近年来发展的新型可见光 LED,具有发光效率高、电流承受能力强及耐温性能好等特点 ,应用于各种户外显示与照明装置。本文汇集各厂家 In Ga Al P超高亮 LED芯片 ,并制成器件 ,对其多种性能进行对比分析 ,测试超高...In Ga Al P超高亮 L ED是近年来发展的新型可见光 LED,具有发光效率高、电流承受能力强及耐温性能好等特点 ,应用于各种户外显示与照明装置。本文汇集各厂家 In Ga Al P超高亮 LED芯片 ,并制成器件 ,对其多种性能进行对比分析 ,测试超高亮 LED的发光强度与电流的关系以研究饱和电流的大小 ,并进行电耐久性试验以考核超高亮 LED芯片的可靠性 ;简要介绍了封装工艺设计对超高亮 L ED性能参数的影响 ,并提出超高亮 LED性能及可靠性的其它要求 ,为客户选用超高亮 LED提供相对的依据。展开更多
The relationship between the photometric, electric, and thermal parameters of light-emitting diodes（LEDs） is important for optimizing the LED illumination design. Indium gallium aluminium phosphide（InGaAlP）-based ...The relationship between the photometric, electric, and thermal parameters of light-emitting diodes（LEDs） is important for optimizing the LED illumination design. Indium gallium aluminium phosphide（InGaAlP）-based thin-film surface-mounted device（SMD） LEDs have attracted wide attention in research and development due to their portability and miniaturization. We report the optical characterization of InGaAlP thin-film SMD LED mounted on FR4, 2 W, and 5 W aluminum（Al） packages. The optical and thermal parameters of LED are determined at different injection currents and ambient temperatures by combining the T3ster（thermal transient tester） and TeraL ED（thermal and radiometric characterization of power LEDs） systems. Analysis shows that LED on a 5 W Al substrate package obtains the highest luminous and optical efficiency.展开更多
在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,...在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,成功地在镀金的半导体 In Ga Al P量子阱表面制备了各种亚微米点阵结构 。展开更多
文摘利用 SIMS分析技术 ,研究了在 In Ga Al P和 Ga P材料中 ,MOCVD工艺参数对 Mg的掺杂行为的影响 .实验结果表明 ,在较高温度下 ,Mg在生长表面的再蒸发决定了 Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指数下降 ;而当载流子浓度饱和时 ,杂质 Mg在材料中的置换填隙机制使得 Mg的激活率随 Cp2 Mg流量的再增加反而下降 .同时通过计算得到 Mg在 In Ga Al P及 Ga P中的再蒸发激活能分别约为 0 .9e V和 1.1e
文摘In Ga Al P超高亮 L ED是近年来发展的新型可见光 LED,具有发光效率高、电流承受能力强及耐温性能好等特点 ,应用于各种户外显示与照明装置。本文汇集各厂家 In Ga Al P超高亮 LED芯片 ,并制成器件 ,对其多种性能进行对比分析 ,测试超高亮 LED的发光强度与电流的关系以研究饱和电流的大小 ,并进行电耐久性试验以考核超高亮 LED芯片的可靠性 ;简要介绍了封装工艺设计对超高亮 L ED性能参数的影响 ,并提出超高亮 LED性能及可靠性的其它要求 ,为客户选用超高亮 LED提供相对的依据。
文摘The relationship between the photometric, electric, and thermal parameters of light-emitting diodes（LEDs） is important for optimizing the LED illumination design. Indium gallium aluminium phosphide（InGaAlP）-based thin-film surface-mounted device（SMD） LEDs have attracted wide attention in research and development due to their portability and miniaturization. We report the optical characterization of InGaAlP thin-film SMD LED mounted on FR4, 2 W, and 5 W aluminum（Al） packages. The optical and thermal parameters of LED are determined at different injection currents and ambient temperatures by combining the T3ster（thermal transient tester） and TeraL ED（thermal and radiometric characterization of power LEDs） systems. Analysis shows that LED on a 5 W Al substrate package obtains the highest luminous and optical efficiency.
文摘在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,成功地在镀金的半导体 In Ga Al P量子阱表面制备了各种亚微米点阵结构 。
