γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。