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γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响
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作者 孙京华 王文娟 +3 位作者 诸毅诚 郭子路 祁雨菲 徐卫明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期44-51,共8页
对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复... 对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器(SPADs)进行了总剂量为10 krad(Si)和20 krad(Si)的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。 展开更多
关键词 Γ辐照 ingaasp/inp 单光子雪崩探测器 单光子性能
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1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
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作者 段阳 林中晞 苏辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期90-97,共8页
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,... 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。 展开更多
关键词 半导体激光器 碰撞锁模 inp基材料 InGaAs/ingaasp多量子阱
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A G-band terahertz monolithic integrated amplifier in 0.5-μm InP double heterojunction bipolar transistor technology 被引量:2
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作者 李欧鹏 张勇 +4 位作者 徐锐敏 程伟 王元 牛斌 陆海燕 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期448-452,共5页
Design and characterization of a G-band(140–220 GHz) terahertz monolithic integrated circuit(TMIC) amplifier in eight-stage common-emitter topology are performed based on the 0.5-μm In Ga As/In P double heteroju... Design and characterization of a G-band(140–220 GHz) terahertz monolithic integrated circuit(TMIC) amplifier in eight-stage common-emitter topology are performed based on the 0.5-μm In Ga As/In P double heterojunction bipolar transistor(DHBT). An inverted microstrip line is implemented to avoid a parasitic mode between the ground plane and the In P substrate. The on-wafer measurement results show that peak gains are 20 dB at 140 GHz and more than 15-dB gain at 140–190 GHz respectively. The saturation output powers are-2.688 dBm at 210 GHz and-2.88 dBm at 220 GHz,respectively. It is the first report on an amplifier operating at the G-band based on 0.5-μm InP DHBT technology. Compared with the hybrid integrated circuit of vacuum electronic devices, the monolithic integrated circuit has the advantage of reliability and consistency. This TMIC demonstrates the feasibility of the 0.5-μm InGaAs/InP DHBT amplifier in G-band frequencies applications. 展开更多
关键词 terahertz amplifier inp double heterojunction bipolar transistor inverted microstrip line monolithic integrated circuit
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Common Base Four-Finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Maximum Oscillation Frequency 535 GHz 被引量:4
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作者 牛斌 王元 +4 位作者 程伟 谢自力 陆海燕 常龙 谢俊领 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第7期175-178,共4页
A common base four-finger InOaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with 535 OHz fmax by using the 0.5 μm emitter technology is fabricated. Multi-finger design is used to increase the input current. Common ... A common base four-finger InOaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with 535 OHz fmax by using the 0.5 μm emitter technology is fabricated. Multi-finger design is used to increase the input current. Common base configuration is compared with common emitter configuration, and shows a smaller K factor at high frequency span, indicating a larger breakpoint frequency of maximum stable gain/maximum available gain (MSG/MAG) and thus a higher gain near the cut-off frequency, which is useful in THz amplifier design. 展开更多
关键词 inp INGAAS Common Base Four-Finger InGaAs/inp Double heterojunction Bipolar Transistor with Maximum Oscillation Frequency 535 GHz
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Physical modeling based on hydrodynamic simulation for the design of InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors 被引量:1
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作者 葛霁 刘洪刚 +2 位作者 苏永波 曹玉雄 金智 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第5期669-674,共6页
A physical model for scaling and optimizing InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors(DHBTs) based on hydrodynamic simulation is developed.The model is based on the hydrodynamic equation,which can accurat... A physical model for scaling and optimizing InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors(DHBTs) based on hydrodynamic simulation is developed.The model is based on the hydrodynamic equation,which can accurately describe non-equilibrium conditions such as quasi-ballistic transport in the thin base and the velocity overshoot effect in the depleted collector.In addition,the model accounts for several physical effects such as bandgap narrowing,variable effective mass,and doping-dependent mobility at high fields.Good agreement between the measured and simulated values of cutoff frequency,f t,and maximum oscillation frequency,f max,are achieved for lateral and vertical device scalings.It is shown that the model in this paper is appropriate for downscaling and designing InGaAs/InP DHBTs. 展开更多
关键词 InGaAs/inp double heterojunction bipolar transistors hydrodynamic simulation lateraland vertical scalable model
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低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管 被引量:2
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作者 石柱 代千 +5 位作者 宋海智 谢和平 覃文治 邓杰 柯尊贵 孔繁林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第12期272-278,共7页
通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材... 通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与In P材料晶格匹配良好,可在In P衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 e V,截止波长为1.2μm,可满足1.06μm单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06μm InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 k Hz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 ingaasp/inp 1.06μm 自由模式 暗计数率
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低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器 被引量:4
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作者 张权生 吴荣汉 +7 位作者 林世鸣 高洪海 高文智 吕卉 韩勤 段海龙 杜云 芦秀玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期103-108,T001,共7页
一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵... 一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns. 展开更多
关键词 双稳 激光器 ingaasp/inp
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全固源分子束外延生长InP和InGaAsP 被引量:1
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作者 郝智彪 卢京辉 +1 位作者 任在元 罗毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1193-1197,共5页
在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷密度为 65cm- 2 ,非故意掺杂电子浓度约为 1× 1 0 16cm- 3... 在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷密度为 65cm- 2 ,非故意掺杂电子浓度约为 1× 1 0 16cm- 3.In P外延层的表面形貌、生长速率及 p型掺杂特性与生长温度密切相关 .研究了 In Ga As P外延材料的组分特性 ,发现在一定温度范围内生长温度对 族原子的吸附系数有较大影响 .最后得到了晶格匹配的 In0 .56Ga0 .4 4 As0 .94 P0 .0 6材料 ,低温光致发光谱峰位于 1 50 7nm,FWHM为 9.8me V. 展开更多
关键词 分子束外延 inp ingaasp 全固源
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EBSD在InGaAsP/InP异质结构弹性应力区域的研究 被引量:1
9
作者 范丽霞 卢卓宇 +2 位作者 任峰 薄昌忠 付强 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第E01期39-41,共3页
利用扫描电镜附件电子背散射衍射(Electron Backscattering Diffraction,EBSD)技术,用菊池花样质量(IQ)作为应力敏感参数,研究了InGaAsP/InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。
关键词 电子背散射衍射(EBSD) 弹性应力区域 菊池花样质量(1Q) ingaasp/inp异质结构
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1.3μmInGaAsP/InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验 被引量:1
10
作者 马东阁 石家纬 +3 位作者 刘明大 金恩顺 李淑文 高鼎三 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期36-42,共7页
本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程,对减反射涂层结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的输出特性进行了计算,给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的... 本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程,对减反射涂层结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的输出特性进行了计算,给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。 展开更多
关键词 超辐射 发光二极管 涂层 ingaasp/inp 输出特性
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用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究 被引量:1
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作者 邢启江 王舒民 +5 位作者 王若鹏 陈娓兮 章蓓 赵沧桑 党小忠 虞丽生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第9期540-544,T001,共6页
在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和30A。在10K和77K光致发光谱测量中,我们观察到n=1的子能级上... 在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和30A。在10K和77K光致发光谱测量中,我们观察到n=1的子能级上电子到重、轻空穴带很强的自由激子跃迁峰,两峰间隔为8.3meV,在低温条件下光致发光谱的半高宽度为20meV。 展开更多
关键词 ingaasp/inp LPE生长 量子阱 结构
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用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED 被引量:1
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作者 郭康瑾 肖德元 +3 位作者 陈启玙 徐少华 陈瑞璋 张晓平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期304-308,共5页
本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5%,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.
关键词 光纤通信 ingaasp/inp LED
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差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片 被引量:1
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作者 李雪春 胡礼中 +1 位作者 赛纳 闫志明 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期270-272,共3页
采用差温生长法制备了1.55μmInP/InGaAsP/InP双异质结激光晶片.差温生长法是在高温(约626℃)状态下生长InGaAsP有源层;然后降低温度,在低温(约600℃)状态下生长P-InP上限制层.此方法有... 采用差温生长法制备了1.55μmInP/InGaAsP/InP双异质结激光晶片.差温生长法是在高温(约626℃)状态下生长InGaAsP有源层;然后降低温度,在低温(约600℃)状态下生长P-InP上限制层.此方法有效地解决了这种结构长波区(λ>1.45μm)的回熔问题,并克服了其他方法的缺点. 展开更多
关键词 半导体激光器 差温生长法 激光晶片
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应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
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作者 蔡纯 刘旭 +3 位作者 肖金标 丁东 张明德 孙小菡 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1837-1841,共5页
采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(... 采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响· 展开更多
关键词 inp/ingaasp 偏振相关损耗 应力 差分群时延 多量子阱 Stokes模型
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低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用
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作者 马骁宇 王树堂 +5 位作者 熊飞克 郭良 王仲明 曾靖 王丽明 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期396-400,共5页
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A... 本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 展开更多
关键词 MOCVD 外延生长 ingaasp inp 应变量子阱材料
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10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制
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作者 雷红兵 于丽娟 +3 位作者 陆巧银 国伟华 韩春林 黄永箴 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第6期49-50,共2页
研制了脊形波导结构的10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件(AWG),并采用掺铒光纤放大器(EDFA)作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。
关键词 波导光栅器件 铟镓砷磷/铟磷阵列 波分复用技术 掺铒光纤放大器 宽带光源 近场图 分光特性 光纤网络通信
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快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管
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作者 赵蔚 张玉书 +2 位作者 石家纬 金恩顺 高鼎三 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第8期590-593,共4页
本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。
关键词 发光二极管 台面型 ingaasp/inp
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在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
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作者 邢启江 徐万劲 武作兵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期846-852,共7页
从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引... 从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In 展开更多
关键词 侧向光 光弹效应 ingaasp/inp双异质结构 半导体材料
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InP/InGaAsP脊波导的单模特性与偏振特性研究
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作者 张天恩 唐军 +2 位作者 雷龙海 商成龙 刘俊 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第4期605-609,共5页
以InP/InGaAsP脊形波导结构为研究对象,采用有限元算法(FEM),系统地仿真分析了在固定芯层厚度的情况下,不同脊高和脊宽条件下脊形波导的单模特性和偏振特性。在芯层厚度一定的情况下,脊宽越窄,刻蚀深度越浅,波导的传输模式越接近单模。... 以InP/InGaAsP脊形波导结构为研究对象,采用有限元算法(FEM),系统地仿真分析了在固定芯层厚度的情况下,不同脊高和脊宽条件下脊形波导的单模特性和偏振特性。在芯层厚度一定的情况下,脊宽越窄,刻蚀深度越浅,波导的传输模式越接近单模。在深刻蚀情况下,脊波导模双折射系数受到脊宽的影响较大,波导的偏振不敏感性较差;在浅刻蚀情况下,模双折射系数(Δn=nTE-nTM)受到脊宽和脊高的影响较为微弱,稳定在1.2×10-3。相关仿真和分析为基于InP/InGaAsP脊波导的光电子器件的结构设计提供了一定的理论支持。 展开更多
关键词 inp/ingaasp脊波导 单模条件 偏振特性 模双折射系数 光电子器件
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InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究
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作者 张权生 吕卉 +5 位作者 杜云 马朝华 吴荣汉 高洪海 高文智 芦秀玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第9期562-567,T001,共7页
在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器... 在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。 展开更多
关键词 半导体激光器 ingaasp/inp 共腔
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