InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究

本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10^(11)eV^(-1)·cm^(-2),τ_1=2.2×10^(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV^(-1)·cm^(-2),τ_Q=1.5×10^(-2)

EBSD在InGaAsP／InP异质结构弹性应力区域的研究

利用扫描电镜附件电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction，EBSD）技术，用菊池花样质量（IQ）作为应力敏感参数，研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。

液相外延制备InGaAsP／InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论

本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方（Ｂｒ＿２／ＨＢｒ），对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺，同时探索了利用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，在研究基础上制造了重现性好且性能良好的１．３μｍ激光二极管，室温时，阈值电流最低小于２５ｍＡ，典型值为３０ｍＡ，在６０ｍＡ直流电流的驱动下，光输出功率高达１２．５ｍＷ。

在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用

从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In

Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。

γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。

双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想

本文提出了一种双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想,分析表明:该器件的电压调制度可达100%,对应的直流到射频的转换率为64%,同时给出了器件的小信号理论分析。

InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成

本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).

InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级

本文用DLTS谱仪研究了SiO_2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。

1.3μm InGaAsp/Inp DCC结构对激光器阈值和T_0值的影响

研究了 1 .3 μmInGaAsp InpDCC结构中间夹层厚度对激光器阈值和T0 值的影响 。

新的1.62微米波长InGaAsP/InP隐埋异质结激光器

最近日本东工大成功地制备了1.62微米波长的 InGaAsP/InP 隐埋异质结激光器。器件的条宽3～5微米,腔长310～330微米,最低的室温脉冲阈值电流为25毫安,室温连续波阈值为37毫安,三倍阈值以上获得单横模工作。器件的工艺步骤是:在含有防回熔层的双异质结片子上用化学汽相淀积法形成 SiO2膜,并用普通的光刻技术形成沿（110）方向的5～8微米宽的条,接着用 Br-CH3OH 腐蚀2微米深,然后用4HCl-H2O 溶液在0～1℃下选择腐蚀2分钟以去除 InP

一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)

针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用.

InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性

InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。

GaAsSb／InP异质结晶体三极管

当x～0．5时，GaAs1－xSbx的晶格与InP衬底匹配，其带隙为0．72 eV，可用于InP衬底上的异质结晶体三极管的基区材料。最近的实验结果表明GaAs0．5Sb0．5／InP的能带为Ⅱ型异质结构：GaAs0．5Sb0．5的导带位于InP导带之上180 meV，其价带位于InP价带之上760 meV，该价带偏置几乎是InGaAs／InP（378 meV）的两倍，这种大的价带偏置有效地阻止了空穴重注入到发射区，并且更重要的是其导带偏置使得电子以弹道方式从GaAs0．5Sb0．5基区发射到InP集电区。因此，从能带工程的角度分析，GaAs0．5Sb0．5是制作基于InP衬底的异质结晶体管(HBT)的理想基区材料。本文简要报道采用金属有机气相外延(MOVPE)生长GaAsSb／InP HBT器件材料。

晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响

通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1(Sb=37.9%)和S3(Sb=56.2%),获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2(Sb=47.7%)中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。

Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP双异质结晶片的化学束外延生长

垂直腔面发射激光器需要外延层的总厚度达10μm,因此需要较高的生长速率并且不能降低晶体质量。这里介绍的适用于Ⅲ—Ⅴ化合物半导体生长的化学束外延技术综合了 MBE 和 MOCVD 技术的若干优点,这种技术的优点是可实现高生长速率,良好的表面均匀性和易于实现有利于激光晶片生长所需合金的组分控制。

1.5μm斜坡掩埋异质结InGaA sP/InP激光器

利用两步液相外延技术制作出与光波导单片集成的InGaAsP/InP斜坡掩埋异质结(SH-BH)激光二极管。在室温下测得有波导和无波导的SH-BH激光器的阈值电流分别为50mA和27mA。把电流注入到波导(调谐)区,激光器的激光光谱向转短的波长区偏移。在脉冲工作时,得到的光谱波长偏移为1.1nm,这对应于调谐电流引起的有效折射率的改变。

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。