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InGaP/GaAs异质结价带不连续性的直接测量 被引量：1
1
作者 徐红钢 陈效建 高建峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期241-245,共5页
用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ 型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面ＣＶ的分布。用多项式逐段拟合的方法，转化得到界面浓度的分布，最后计算得到该体系的价带不连续性ΔＥｖ... 用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ 型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面ＣＶ的分布。用多项式逐段拟合的方法，转化得到界面浓度的分布，最后计算得到该体系的价带不连续性ΔＥｖ 为３１６ ｍ ｅＶ，约相当于０．６９ 展开更多
关键词 铟镓磷 砷化镓 异质结界面 直接测量 半导体材料
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