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InN半导体纳米晶相变活化能的研究
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作者 王建平 王淑华 耿贵立 《山东大学学报（工学版）》 CAS 2008年第2期42-44,共3页
导出了相变活化能E与加热速率Φ和峰值温度Tp的关系表达式.用差示扫描量热分析法,研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp.然后根据导出的关系表达式和实验数据,计算所得的InN半导体纳米... 导出了相变活化能E与加热速率Φ和峰值温度Tp的关系表达式.用差示扫描量热分析法,研究了InN半导体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数Tp.然后根据导出的关系表达式和实验数据,计算所得的InN半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1.3466×103 kJ/mol. 展开更多
关键词 inn半导体纳米晶 差示扫描量热法 相变 活化能
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