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用正电子湮没技术研究NTDInP中的诱生缺陷
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作者 刘青 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期211-213,共3页
采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂（ Ｎ Ｔ Ｄ） 后的磷化铟（ Ｉｎ Ｐ） 材 料进行了分析。 Ｎ Ｔ Ｄ Ｉｎ Ｐ 样品经退火后的低温实验结果表明，其正电子平均寿命均随温度升高而缩短。对掺 Ｓｎ的 Ｉｎ Ｐ 样品进行的低温实验也反... 采用正电子湮没技术对中子嬗变掺杂（ Ｎ Ｔ Ｄ） 后的磷化铟（ Ｉｎ Ｐ） 材 料进行了分析。 Ｎ Ｔ Ｄ Ｉｎ Ｐ 样品经退火后的低温实验结果表明，其正电子平均寿命均随温度升高而缩短。对掺 Ｓｎ的 Ｉｎ Ｐ 样品进行的低温实验也反映出同样的变化规律。文章分析了这一现象，并研究了嬗变后 Ｉｎ Ｐ 展开更多
关键词 磷化铟 中子嬗变掺杂 正电子湮没技术 退火
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