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应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
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作者 蔡纯 刘旭 +3 位作者 肖金标 丁东 张明德 孙小菡 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1837-1841,共5页
采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(... 采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响· 展开更多
关键词 inp/ingaasp 偏振相关损耗 应力 差分群时延 多量子阱 Stokes模型
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InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究
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作者 董少光 陈国杰 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》 CAS 2014年第4期1-4,共4页
用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面,利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是:用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的入射光进入太阳电... 用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面,利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是:用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的入射光进入太阳电池器件侧面的传播路径。量子阱太阳电池通过这种结构优化设计,对于硅和Au纳米粒子,可以观察到短路电流密度分别增加了12.9%和7.3%,输出最大功率的转换效率分别增加了17%和1%。 展开更多
关键词 多量子阱 太阳电池
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InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化 被引量:2
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作者 赵霞飞 贾华宇 +3 位作者 李灯熬 罗飚 刘应军 马臖 《激光杂志》 北大核心 2017年第5期6-10,共5页
为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析。本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法。在... 为了优化应用于光纤通讯和CATV系统需求的高性能的量子阱激光器,对波长在1.55μm左右的InGaAsP/InP量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析。本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子阱激光器,提供了一种有源区结构优化方法。在势阱层组分为In_(0.76)Ga_(0.24)As_(0.81)P_(0.19),厚度为5nm;势垒层组分为In_(0.751)Ga_(0.249)As_(0.539)P_(0.461),厚度为10nm时,激光器的各项性能参数达到最优。在此基础上,研究量子阱个数对激光器平均载流子浓度、输出光功率和阈值电流的影响。采用ALDS软件进行仿真,对比量子阱个数分别为5、6、7、8、9、10、11时,激光器的各项输出参数。对不同量子阱个数的激光器,分别进行结构和材料求解,并进行阈值、稳态、分布和光谱、小信号以及噪声分析。仿真结果表明,当量子阱个数为8时,在偏置电流为150mA,激光器温度为300K情况下,激光器的平均载流子浓度达到最大值0.745×1018/cm^3,输出光功率达到最大值28.8m A,阈值电流达到最低值15.7mA,阈值电流密度达到最低值0.8KA/cm^2,边模抑制比达到最高值22.13dB,驰豫振荡频率达到最高值13.8GHz,P-I曲线及斜率效率达到最优值。 展开更多
关键词 多量子阱激光器 ingaasp/inp 有源区结构 量子阱个数
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InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱的解析函数 被引量:1
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作者 刘志勇 陈海燕 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第13期94-98,共5页
利用洛伦兹线型函数、高斯线型函数和Sech线型函数对InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱进行拟合,采用莱文贝格-马夸特算法,得到上述三种函数的解析表达式.研究结果表明:高斯线型光谱拟合函数的中心波长为1548.651nm,谱线半极大全宽度为61.4... 利用洛伦兹线型函数、高斯线型函数和Sech线型函数对InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱进行拟合,采用莱文贝格-马夸特算法,得到上述三种函数的解析表达式.研究结果表明:高斯线型光谱拟合函数的中心波长为1548.651nm,谱线半极大全宽度为61.42 nm,功率补偿为0.00212 mW,拟合优度为0.99191,残差平方和为2.26505×10^(-6).高斯线型拟合的拟合优度最大,残差平方和最小,且各数据点的残差值分布在±0.0001之间,分布比较均匀.高斯线型函数具有较高拟合度. 展开更多
关键词 inp/ingaasp多量子阱 自发辐射谱 光谱拟合
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1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
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作者 段阳 林中晞 苏辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期90-97,共8页
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,... 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。 展开更多
关键词 半导体激光器 碰撞锁模 inp基材料 InGaAs/ingaasp多量子阱
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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究 被引量:5
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作者 章蓓 王若鹏 +4 位作者 丁晓民 杨志坚 戴伦 崔晓明 王舒民 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页
利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了InGaAsP单量子阱微盘激光器,并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡,证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用,反映了微盘的微腔特征.
关键词 微盘激光器 半导体激光器 量子阱 异质结 铟镓磷
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外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响 被引量:7
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作者 王文娟 王海龙 +3 位作者 龚谦 宋志棠 汪辉 封松林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第23期308-312,共5页
在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后... 在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应. 展开更多
关键词 激子 ingaasp inp量子阱 结合能 电场
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条形InP/InGaAsP-EAM的色散特性实验研究
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作者 蔡纯 刘旭 +1 位作者 张明德 孙小菡 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期434-438,共5页
采用Agilent公司的81910A光子全参数测试仪,实验研究了不同组分比的条形InP/In1-xGaxAs1-yPy多量子阱电吸收调制器(MQW-EAM)的色度色散(CD)特性。研究结果表明,Ⅲ-Ⅴ半导体MQW-EAM的CD特性与材料密切相关,并估算了EAM的带宽。因此,对应... 采用Agilent公司的81910A光子全参数测试仪,实验研究了不同组分比的条形InP/In1-xGaxAs1-yPy多量子阱电吸收调制器(MQW-EAM)的色度色散(CD)特性。研究结果表明,Ⅲ-Ⅴ半导体MQW-EAM的CD特性与材料密切相关,并估算了EAM的带宽。因此,对应用于高速光通信系统中的同类型半导体光子器件,所用材料必须尽可能一致,以保证其高速性能的一致性。 展开更多
关键词 inp/ingaasp 色度色散(CD) 群时延(GD) 电吸收调制器(EAM) 多量子阱(MQW)
原文传递
A neutron radiation-hardened superluminescent diode
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作者 焦健 谭满清 +1 位作者 赵妙 常金龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第9期69-73,共5页
We present a novel superluminescent diode (SLD) with high optical performances for hardened neutron irradiation. The degradation of the light output from the SLDs is caused by a reduction of the minority carrier lif... We present a novel superluminescent diode (SLD) with high optical performances for hardened neutron irradiation. The degradation of the light output from the SLDs is caused by a reduction of the minority carrier lifetime resulting from displacement damage after high-energy neutron irradiation. The SLDs with a higher pre- irradiation light output will be less sensitive to radiation. We have selected an InGaAsP/InP multi-quantum well (MQW) as the active region structure for its performance, its high optical gain and minute active region. Graded- index separate-confinement-heterostructure (GRIN-SCH) has been applied for the waveguide structure. A specific absorbing region and anti-reflective coatings have been designed and optimized. Moreover, the radiation test results indicate that the SLD with an InGaAsP/InP MQW structure has better neutron hardening ability than the SLD with DH structures after a 6×10^13-1×10^14 n/cm^2 1 MeV neutron irradiation. 展开更多
关键词 superluminescent diode neutron irradiation ingaasp/inp multi-quantum well
原文传递
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