InP/ZnS QDs对稀有鮈鲫子代软骨发育的影响

使用InP/ZnS QDs以雌性稀有鮈鲫(Gobiocypris rarus)为实验动物,通过腹腔注射染毒,设计了(200,400,800nmol/L)3个实验组,在量子点暴露4和7d时取卵受精.以胚胎受精率、存活率、仔鱼体长、全长为指标,对仔鱼进行阿利新蓝染色和HE(Hematoxylin Eosin)染色,通过检测发育相关基因(bmp2b,sox9a,runx_(2)b)的相对表达量,研究InP/ZnS QDs对稀有鮈鲫子代软骨发育的影响.结果表明:高浓度组仔鱼的体长减少6.2%、全长减少5.9%;颅面PQ-Meckel角增加24.8%,下颌骨长度减小14.6%和15.2%、宽度减小10.0%和10.7%;颅面软骨细胞肿大、数量减少.并发现QDs在不同发育时间对相关基因的相对表达量影响不同.总之InP/ZnS QDs会对稀有鮈鲫子代软骨发育产生不良影响.

氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用

采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。

基于InP@ZnS QDs/Dured纳米荧光探针的DNA检测

利用巯基丙酸包覆的In P@Zn S量子点(QDs)与Dured构建了一种检测DNA的荧光探针。在该探针中,以环境友好型带负电的In P@Zn S量子点为荧光团,与带正电的Dured通过静电结合,构建了In P@Zn S QDs/Dured纳米荧光探针。通过荧光共振能量转移(FRET)机理,量子点荧光被猝灭;当DNA存在时,Dured与DNA的特异性结合使Dured从In P@Zn S QDs表面脱附,FRET过程被打断,In P@Zn S QDs荧光恢复,以荧光"关-开"方式检测DNA。该探针检测DNA的线性范围为2.0~275.0 ng·L-1,检测限为1.0 ng·L-1,并可用于模拟生物生理条件下的DNA检测。

微量热法研究CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对金黄色葡萄球菌的抑制行为

采用水热法和溶胶-凝胶法成功制备CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物,并通过紫外吸收光谱、荧光光谱和哈达玛荧光变换成像等手段进一步证明其组分和结构.运用微量热法研究了CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus,S.aureus)的抑制行为,揭示其抑菌的作用机制及其相关热力学规律.检测了S.aureus代谢生长热谱图,根据热动力学函数得到S.aureus生长速率常数(k)、传代时间(t G)、最大产热功率(Pm)、抑制率(I)等热动力学参数.研究表明CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对S.aureus抑制作用强于TiO_(2),且随着浓度的增加,抑制效果更加显著,说明CdSe/ZnS(QDs)/TiO_(2)复合物对S.aureus有良好的抑制行为.

通过瞬态可见和瞬态中红外光谱研究InP/ZnS QDs无机配体诱导的表面空穴转移和构型调整过程

光生载流子动力学过程可以显著影响材料光催化活性.通常,光生电子的转移速率远高于光生空穴的,致使空穴的转移和累积成为影响光催化效率的关键因素.因此,深入探究光生空穴转移过程和动力学可以极大地帮助我们认识和理解光催化机理,但该工作鲜有人关注研究.本工作中,时间分辨荧光光谱(TRPL)和飞秒瞬态可见吸收光谱(fsTA)表明空穴会从InP转移至表面S^(2-)配体.此外,瞬态中红外光谱(TRIR)中S^(2-)配体伸缩振动信号表明该空穴转移时间为4.2 ps.转移至S^(2-)配体的空穴具有明显的长寿命特征(>4.5 ns)并且会导致表面活性物的静电解离和构型重组.最后,通过与其他无机配体(Cl^(-)、PO_(4)^(3-))比较,我们发现S^(2-)配体具有最合适平衡的离子半径和净电荷,因此带有该配体的InP/ZnS量子点(InP/ZnS QDs)光催化剂具有最高的光解硫化氢产氢活性(213.6μmol mg^(-1)).本文的研究结果为理解InP QDs光催化过程和机理提供了有价值的见解.

水溶性InP/ZnS量子点的合成及其在指纹显现中的应用

以磷化锌、氯化铟为原料,以十二烷胺为溶剂,在150-200℃下合成了InP量子点,通过相转移和紫外光照得到了巯基乙酸修饰的水溶性InP/ZnS量子点.利用X射线衍射仪、透射电镜、高分辨透射电镜、荧光光谱仪等分析了不同温度下合成的量子点的粒径、形貌、荧光性能及指纹显现效果.结果表明,合成的InP和InP/ZnS量子点为球形颗粒,粒径在3-5 nm之间,在水溶液中的分散性较好.不同温度下合成的InP复合ZnS后,得到的InP/ZnS量子点的荧光发射波长由438 nm红移至575 nm;利用该量子点在紫外光照下可以显示出较清晰的多色荧光指纹图像,可用于具有不同客体背景颜色指纹的鉴别.

(NH_4)_2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性

在(NH4)2S硫化后的n-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au/ZnS/InP(100)MIS器件,测得了其IV特性曲线以及3MHz下的高频CV曲线和100Hz下的准静态CV曲线.从这些曲线得到如下结果:正向饱和电流为7×10-13A;ZnS钝化下经硫化的n-型InP表面的固定电荷密度为-2.28×1011/cm2;禁带中的最低表面态密度约为1×1012cm-2·eV-1.上述结果表明经硫化后的ZnS/InP界面具有良好的界面特性.

Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响

对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管进行结构设计与数值仿真,得到相应的电学与光学参数。针对雪崩击穿概率对器件光子探测效率的影响,研究了两次Zn扩散深度差、Zn扩散横向扩散因子、Zn掺杂浓度以及温度参数与器件雪崩击穿概率的关系。研究发现,当深扩散深度为2.3μm固定值时,浅扩散深度存在对应最佳目标值。浅扩散深度越深,相同过偏压条件下倍增区中心雪崩击穿概率越大,电场强度也会随之增加。当两次Zn扩散深度差小于0.6μm时,会发生倍增区外的非理想击穿,导致器件的暗计数增大。Zn扩散横向扩散因子越大,倍增区中心部分雪崩击穿概率越大,而倍增区边缘雪崩击穿概率会越小。在扩散深度不变的情况下,浅扩散Zn掺杂浓度对雪崩击穿概率无明显影响,但深扩散Zn掺杂浓度越高,相同过偏压条件下雪崩击穿概率越小。本文研究可为设计和研制高探测效率、低暗计数InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管提供参考。

基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作

提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。

荧光波长可调的InP/ZnS量子点的制备及其色彩转换研究

以三(二甲胺基)膦为膦源,氯化铟为铟源,采用热注射法制备波长可调的无毒InP/ZnS量子点,研究了反应物P与In的摩尔比、ZnI2和ZnCl2的摩尔比以及ZnS的反应时间对合成的InP/ZnS量子点微观结构和光学性能的影响。实验结果表明,在反应物摩尔比为nP^(3-)∶nIn^(3+)=5∶1、ZnS反应时间为60 min时,合成的InP/ZnS量子点近似球形,属于闪锌矿结构,其荧光光谱在460 nm~620 nm范围内可调。蓝色、绿色、红色波段的InP/ZnS量子点的半高宽分别约为52、52、59 nm,平均粒径分别为3.05、3.32、3.44 nm,荧光寿命分别为59.41、61.44和68.08 ns。利用激光辅助制备绿色图形化InP/ZnS薄膜,以蓝光OLED作为激发光源,结合DBR微结构,薄膜的色彩转换效率可达到20.9%,色坐标从(0.22,0.30)变化到(0.29,0.63)。这些InP/ZnS量子点发光器件在照明和显示方面具有潜在的应用价值。

氨基化CdSe/ZnS量子点对克百威的高灵敏荧光测定

制备了一种氨基化CdSe/ZnS量子点并用透射电镜进行了表征,其在543 nm处有最大荧光发射信号,碱性缓冲溶液作为溶剂时其荧光信号较强。将该量子点用于克百威的测定,结果显示克百威对其荧光信号有猝灭作用。在最佳条件下(0.1 mol/L氢氧化钠和PBS溶液为溶剂,10分钟为猝灭时间),量子点的荧光强度随着克百威浓度的增大而降低,在0.1~100.0μg/L的范围内荧光强度与克百威浓度的对数呈线性关系,相关系数R2为0.99,检出限为0.06μg/L。该方法可以与常规的LC-MS方法相媲美,具有更低的检测限。

InP/ZnS核壳量子点光学性质研究

InP量子点被认为是最有希望替代Cd基量子点的材料。然而对于InP量子点的制备和性质的研究远远小于Cd基量子点的研究,特别是其光学性方面的研究。本文采用一锅法制备了晶格质量良好,光学性能优异的InP/ZnS量子点,通过TEM图像确认制备出了的InP核的尺寸约为3 nm,晶格间距与闪锌矿结构的InP(111)晶面间距一致;通过变功率的光谱测试以及拉曼测试,认定InP/ZnS中存在两个发光来源,高能端的来源于自由激子的跃迁,低能端的来源于界面应力产生的缺陷。

3-巯基丙酸修饰的CdSe/ZnS量子点的合成及测定牛血清白蛋白的研究

以3-巯基丙酸作为修饰剂，在水溶液中合成了稳定的CdSe／ZnS量子点（QDs），透射电镜观察所合成量子点的形貌近似球形，粒径约为25nm。吸收光谱与荧光光谱的研究表明，CdSeQDs在410nm处有最大吸收峰，而CdSe／ZnSQDs的最大吸收峰在470nm处，CdSe／ZnSQDs的荧光强度是CdSeQDs的11倍。考察了缓冲溶液的体积、pH值、反应温度、反应时间对体系荧光的影响。在最佳实验条件下，体系的荧光强度与BSA的浓度呈线性关系，线性响应范围为0．746×10^-7～4．48×10^-7mol／L，检出限为3．846×10^-10mol／L。并且CdSe／ZnS QDs荧光强度基本保持稳定，可达两个多月。该方法应用于合成样品的测定，结果满意。

树形分子包覆的ZnS量子点对潜指纹的荧光标记成像研究

在Zn2+离子与聚酰胺-胺(PAMAM)树形分子配位的基础上,制备了稳定的PAMAM树形分子包覆的ZnS量子点(quantum dots,QDs),并用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱进行了表征。结果表明,Zn2+离子能与PAMAM树形分子发生配位络合作用,且饱和配位时间为6h;在波长365nm紫外光的激发下,PAMAM树形分子包覆的ZnS量子点发射出明亮的蓝色荧光,荧光发射峰约位于450nm。最后,将得到的PAMAM树形分子包覆的ZnS量子点纳米复合材料应用于锡纸上潜指纹的荧光标记成像研究,发现指纹可以被清晰识别,呈现明亮的蓝色荧光指纹。

聚合物-CdSe/ZnS量子点复合薄膜的制备及其荧光性能研究

以两性齐聚物(聚马来酸十六醇酯,PMAH)为修饰剂,利用相转移的方法将油溶性的CdSe/ZnS量子点转移至水中,制备出高量子产率、高稳定性的水溶性CdSe/ZnS荧光量子点.随后将PMAH修饰的水溶性量子点分散到聚丙烯酸(PAA)乳液中,采用旋转涂膜的方法制备了透明的聚合物-CdSe/ZnS量子点复合薄膜,在紫外灯的照射下薄膜发出明亮的红色光.利用XPS对复合薄膜的表面结构进行了表征.随后对膜的光致发光性能和薄膜在黑暗的环境中对紫外光的耐受性进行了系统的研究,发现复合薄膜的荧光强度随着薄膜厚度和薄膜中纳米晶浓度的增加而线性增强,薄膜在紫外光照射800h后仍然保持了很高的荧光强度,量子产率仅仅损失了5%。

CdTe,核-壳型CdTe/CdS及CdTe/ZnS量子点的合成及表征(英文)

在水相中制备了半导体CdTe纳米晶,核-壳型CdTe/CdS和CdTe/ZnS纳米晶(即量子点;QDs).利用扫描隧道显微镜(STM)和荧光光谱(FS)对合成的纳米晶量子点进行了研究,并且根据FS的数据进行了量子效率的计算.STM的结果表明合成的量子点直径约为3nm并且分布良好.为了提高量子效率,对Cd2+浓度和Cd2+∶S2-比例等反应条件进行了研究,结果表明随着回流时间的增加,核-壳型量子点CdTe/CdS的量子效率总体上呈下降趋势.CdTe/CdS在pH8.5,Cd2+∶S2-=10∶1(摩尔比)时可获得80.0%的最大量子效率.同时制备了核-壳型量子点CdTe/ZnS,其最大发射波长由551nm(CdTe)红移到635nm(CdTe/ZnS)表明量子点的尺寸在增长,但是量子效率下降到14.4%.当前研究的量子点可适用于生物标记,生物成像,以及基于共振能量转移的生物传感研究.

脂溶性CdSe/ZnS量子点脂质体复合物的制备及表征

在油相中成功合成了脂溶性CdSe/ZnS核壳量子点纳米粒,粒径平均为4.5 nm,量子产率达29%,发射波长为540 nm。通过薄膜分散法,以蛋黄卵磷脂、胆固醇为膜材,将脂溶性的CdSe/ZnS核壳量子点包覆于脂质体磷脂双分子层中,由于磷脂分子的两亲性,使得脂溶性的CdSe/ZnS核壳量子点同时又具有亲水性。通过透射电镜对脂质体形态进行了表征,倒置荧光显微镜证实了发光CdSe/ZnS核壳量子点成功包埋于脂质体双分子层中,包裹的发光CdSe/ZnS核壳量子点具有更稳定的发光及抗光漂白性质。

PAMAM树形分子模板法原位制备CdS-ZnS核-壳结构量子点

以4.5代PAMAM树形分子(64个酯端基)为模板,在树形分子空腔内原位合成了CdS-ZnS核-壳结构量子点,并对其形貌和光学性能进行了表征.HRTEM观察发现量子点分散良好,尺寸均匀,平均粒径约为2.3 nm.UV-V is光谱证明ZnS外延生长在CdS核外,EDS能谱也证明了核壳结构的生成.适当厚度的ZnS壳层可使光致发光效率提高至31%.PAMAM树形分子包在CdS-ZnS核-壳结构量子点外,构成一层有机壳,有效地限制了粒子聚集,钝化了CdS量子点表面,提高了发光效率.另外,PAMAM树形分子良好的溶解性也赋予了量子点在不同极性溶剂中良好的溶解性,提高了其稳定性.

基于CdSe/ZnS量子点构建乙酰甲胺磷荧光检测方法研究

本文以CdSe/ZnS量子点为荧光探针,基于乙酰甲胺磷对CdSe/ZnS量子点的荧光猝灭效应,建立了一种可快速测定乙酰甲胺磷的荧光检测方法。通过透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对CdSe/ZnS量子点进行表征。在反应时间为5 min条件下,乙酰甲胺磷的浓度在0.487×10^(-6)~7.225×10^(-6)mol/L范围内与CdSe/ZnS量子点的荧光猝灭强度比值呈良好的线性关系(R2=0.9987),方法检出限为2.55×10^(-7)mol/L。在2.0、5.0μmol/L加标水平下的回收率为94.5%~102.8%,相对标准偏差(RSD,n=5)小于4%。该方法选择性好,灵敏度高,可用于水果和蔬菜中农药乙酰甲胺磷的快速检测。

基于Mn掺杂ZnS量子点室温磷光法测定水样中百草枯

利用水相合成法制备了3-巯基丙酸（3-Mercaptopropionic Acid,MPA）包裹的Mn掺杂ZnS量子点（Quantum Dots,QDs）,基于该量子点的室温磷光性质,构建了一种快速、灵敏检测水样中百草枯（Paraquat,PQ）含量的新方法。方法无需添加任何除氧剂和诱导剂等复杂的预处理过程。在pH=7.4的磷酸盐缓冲溶液中,PQ通过静电作用可以猝灭Mn掺杂ZnS QDs在波长590nm处的磷光,且在一定范围内PQ的浓度与磷光猝灭强度（P0/P）呈良好的线性关系,线性范围为2.5-50μg/L,相关系数为0.994,方法检出限为0.769μg/L。该方法适用于不同水样中百草枯的痕量检测。