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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
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作者 陈晓丽 陈佩丽 +3 位作者 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量... 采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。 展开更多
关键词 HF inp/GaP/zns量子 光学性能 发光二极管
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基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作 被引量:2
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作者 王家先 陶金 +8 位作者 吕金光 李阳 赵永周 李盼园 秦余欣 张宇 郝振东 王维彪 梁静秋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期592-602,共11页
提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而... 提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。 展开更多
关键词 Micro-LED inp/zns量子点材料 色转换层 全彩显示器件
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水溶性InP/ZnS量子点的合成及其在指纹显现中的应用 被引量:7
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作者 熊海 王珂 +3 位作者 于迎春 刘建军 左胜利 杨瑞琴 《化学研究》 CAS 2011年第3期11-16,共6页
以磷化锌、氯化铟为原料,以十二烷胺为溶剂,在150-200℃下合成了InP量子点,通过相转移和紫外光照得到了巯基乙酸修饰的水溶性InP/ZnS量子点.利用X射线衍射仪、透射电镜、高分辨透射电镜、荧光光谱仪等分析了不同温度下合成的量子点的粒... 以磷化锌、氯化铟为原料,以十二烷胺为溶剂,在150-200℃下合成了InP量子点,通过相转移和紫外光照得到了巯基乙酸修饰的水溶性InP/ZnS量子点.利用X射线衍射仪、透射电镜、高分辨透射电镜、荧光光谱仪等分析了不同温度下合成的量子点的粒径、形貌、荧光性能及指纹显现效果.结果表明,合成的InP和InP/ZnS量子点为球形颗粒,粒径在3-5 nm之间,在水溶液中的分散性较好.不同温度下合成的InP复合ZnS后,得到的InP/ZnS量子点的荧光发射波长由438 nm红移至575 nm;利用该量子点在紫外光照下可以显示出较清晰的多色荧光指纹图像,可用于具有不同客体背景颜色指纹的鉴别. 展开更多
关键词 inp/zns量子 合成 荧光性能 指纹显现 应用
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荧光波长可调的InP/ZnS量子点的制备及其色彩转换研究 被引量:2
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作者 陈诗瑶 陈培崎 +5 位作者 翁雅恋 吴艳 吴朝兴 周雄图 张永爱 郭太良 《光电子技术》 CAS 2021年第1期27-33,共7页
以三(二甲胺基)膦为膦源,氯化铟为铟源,采用热注射法制备波长可调的无毒InP/ZnS量子点,研究了反应物P与In的摩尔比、ZnI2和ZnCl2的摩尔比以及ZnS的反应时间对合成的InP/ZnS量子点微观结构和光学性能的影响。实验结果表明,在反应物摩尔比... 以三(二甲胺基)膦为膦源,氯化铟为铟源,采用热注射法制备波长可调的无毒InP/ZnS量子点,研究了反应物P与In的摩尔比、ZnI2和ZnCl2的摩尔比以及ZnS的反应时间对合成的InP/ZnS量子点微观结构和光学性能的影响。实验结果表明,在反应物摩尔比为nP^(3-)∶nIn^(3+)=5∶1、ZnS反应时间为60 min时,合成的InP/ZnS量子点近似球形,属于闪锌矿结构,其荧光光谱在460 nm~620 nm范围内可调。蓝色、绿色、红色波段的InP/ZnS量子点的半高宽分别约为52、52、59 nm,平均粒径分别为3.05、3.32、3.44 nm,荧光寿命分别为59.41、61.44和68.08 ns。利用激光辅助制备绿色图形化InP/ZnS薄膜,以蓝光OLED作为激发光源,结合DBR微结构,薄膜的色彩转换效率可达到20.9%,色坐标从(0.22,0.30)变化到(0.29,0.63)。这些InP/ZnS量子点发光器件在照明和显示方面具有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 inp/zns量子 图形化量子薄膜 激光辅助 色彩转化
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半导体量子点材料在Nd∶YAG激光辐照下的非线性光学效应(英文) 被引量:7
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作者 KUMBHAKAR P 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期228-236,共9页
使用10 ns脉冲调QNd∶YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构。在室温下,分别利用UV-VIS分光... 使用10 ns脉冲调QNd∶YAG激光器Z-scan技术测量了化学合成的无掺杂硫化锌量子点(QDs)以及掺Mn2+硫化锌量子点(QDs)的非线性光学特性,并使用透射电镜技术(TEM)以及X射线衍射法(XRD)表征合成材料的纳米结构。在室温下,分别利用UV-VIS分光光度计和分光荧光计测量了人工合成QDs胶体溶液的线性光学吸收特性以及光致发光的发射特性。样品的吸收特性表明,由于量子限制效应的影响,样品的截止吸收低于硫化锌的截止吸收。样品的光致发光特性显示,掺Mn2+的硫化锌样品显示出明显的光致发光现象,发射峰大约在580 nm;而无掺杂的硫化锌样品在紫外区辐射,发射峰大约在365 nm。对样品的UV-VIS吸收特性分析和TEMXRD分析表明,硫化锌样品的平均粒度(半径)大约为1.2 nm。分析开放光圈(OA)Z-scan技术得到的实验数据,发现在1 064 nm处两种试验样品都会发生四光子吸收(FPA)现象。拟合实验数据得到了两种试验样品的FPA系数以及FPA横截面,结果表明,ZnS QD的FPA横截面的计算值是4.9×10-106cm8.s3.photon-3,比硫化锌的FPA横截面大了5个数量级,而且人工合成的ZnS QD也有光学限制的性质。掺Mn2+离子的样品具有大的FPA横截面和在可见光区有高的发光效率这两个特点,使得该材料适合用于多光子荧光成像。 展开更多
关键词 半导体材料 zns量子 非线性光学特性 多光子吸收 zns掺杂 MN掺杂
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AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点的制备及表征
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作者 卜承飞 刘丽炜 +5 位作者 王玥 胡思怡 任玉 王倩 张家琪 冯悦姝 《纳米科技》 2014年第5期54-58,共5页
采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点,物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm,Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm,即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移,AgInS2和Ag—Zn—In—S量子... 采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点,物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm,Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm,即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移,AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命,分别为169ns和162ns,结合生物组织光学窗口范围限制,相对Ag—Z—In—S,AgInS2量子点更适用于生物标记。 展开更多
关键词 AgInS2 Ag—zn—In—S 量子 纳米材料 荧光
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利用热致延迟荧光材料提高InP/ZnS无镉量子点发光二极管的性能 被引量:1
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作者 林旺 陈历相 +3 位作者 唐宇 戈伟杰 周林箭 雷衍连 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2019年第6期80-87,共8页
充分利用三重态激子是提高发光器件效率的重要途径.磷光材料和热致延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence, TADF)均可以实现对三重态激子的利用.然而,目前在量子点发光二极管中,采用TADF材料来实现对三重态激子的利用... 充分利用三重态激子是提高发光器件效率的重要途径.磷光材料和热致延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence, TADF)均可以实现对三重态激子的利用.然而,目前在量子点发光二极管中,采用TADF材料来实现对三重态激子的利用进而提高发光效率的工作还很少.本文采用了TADF材料4,5-二(9-咔唑基)-邻苯二腈(2CzPN)掺杂聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)(1:5)作为空穴传输层(hole transporting layer, HTL),制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:2CzPN/InP/ZnS QDs/ZnO/Al的量子点发光器件.结果表明, 2CzPN的引入可以提升器件的空穴传输效率,使注入的电子和空穴趋于平衡;同时,通过2CzPN中的反系间窜越过程实现了对三重态激子的利用,并通过HTL和量子点InP/ZnS之间的F?rster能量转移过程提高了InP/ZnS无镉量子点发光二极管的效率,使其最大发光亮度达到513 cd/m2.相比未掺杂控制器件的最大发光亮度(407 cd/m2),实现了26%的增长.同时,使得最大电流效率较未掺杂控制器件提高了4倍,增加到1.6 cd/A. 展开更多
关键词 无镉量子发光二极管 inp/zns量子 热致延迟荧光
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Zn_(0.15)Cd_(0.85)S量子点复合材料的合成及其对Cu^(2+)的超灵敏测定 被引量:4
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作者 王光丽 董玉明 +1 位作者 徐静娟 陈洪渊 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1114-1120,共7页
合成了高质量的半胱氨酸修饰Zn0.15Cd0.85S量子点复合材料.利用Cu2+对量子点荧光的猝灭作用,实现了Cu2+的定量检测.所合成的Zn0.15Cd0.85S量子点对其他常见的金属离子几乎没有响应,表明该方法具有较好的选择性.在优化条件下,Zn0.15Cd0.... 合成了高质量的半胱氨酸修饰Zn0.15Cd0.85S量子点复合材料.利用Cu2+对量子点荧光的猝灭作用,实现了Cu2+的定量检测.所合成的Zn0.15Cd0.85S量子点对其他常见的金属离子几乎没有响应,表明该方法具有较好的选择性.在优化条件下,Zn0.15Cd0.85S量子点荧光的猝灭程度与Cu2+浓度呈良好的线性关系,线性范围为6.0nM~1.0μM,检出限为1.0nM.对0.5μM标准溶液平行测定11次,相对标准偏差为2.0%.利用标准加入法对水样中Cu2+含量进行了测定,结果令人满意. 展开更多
关键词 zn0.15Cd0.85S 量子 复合材料 CU^2+
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Construction of CdSe/ZnS quantum dot microarray in a microfluidic chip 被引量:2
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作者 LIU HongWei JING YingYing +2 位作者 YU Xu PANG DaiWen ZHANG ZhiLing 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2012年第4期543-549,共7页
Microarray technology has been proved to be greatly helpful for biomedical and biological diagnosis. And the evaluation of its biological applications lies in the detection sensitivity, which requires high intensity a... Microarray technology has been proved to be greatly helpful for biomedical and biological diagnosis. And the evaluation of its biological applications lies in the detection sensitivity, which requires high intensity and stability of the signal. Recently, several nanomaterials, especially semiconductor nanomaterials, due to their excellent fluorescence properties, have been widely used to construct microarrays for biosensors. Here, we presented an approach for constructing CdSe/ZnS quantum dot (QD) microarray in microfluidic channels on a glass slide by photolithography. The conditions for immobilizing stable and uniform QD microarray on the glass slide were optimized. Several types of QD microarrays with different emission wavelengths and modified groups were constructed using silanization and lithography technology. Based on the fluorescence quenching effect of Cu2+ on QDs, the microfluidic chip with QD microarray was applied for the determination of Cu2+. 1 nmol/L Cu2+ could be detected by this method. 展开更多
关键词 微流控芯片 CDSE 量子 zns 半导体纳米材料 微阵列 检测灵敏度 基因芯片技术
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Monodisperse Ultra-Large-Pore Silica Coated Polystyrene Core-Shell Microbeads via Layer-by-Layer Assembly for Nano-Micro Composite
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作者 谢闯 刘逸卿 +4 位作者 李泓达 郝红勋 王永莉 尹秋响 王静康 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2015年第5期420-426,共7页
有大毛孔和大粒子尺寸的聚苯乙烯(PS )@ SiO <sub>2</sub> 核心壳 microbeads 经由 layer-by-layer (LBL ) 被准备为在 nano 微的 composites 的潜在的应用的集会技术。否定硅石 nanoparticles 经由修改的圣综合了 ?(dially... 有大毛孔和大粒子尺寸的聚苯乙烯(PS )@ SiO <sub>2</sub> 核心壳 microbeads 经由 layer-by-layer (LBL ) 被准备为在 nano 微的 composites 的潜在的应用的集会技术。否定硅石 nanoparticles 经由修改的圣综合了 ?(diallyldimethylammonium 氯化物) ber 方法和 cationic 或者 poly 在 microbeads 的表面上被吸附。microbeads 的希腊语的第六个字母潜力,尺寸,和形态学在 LBL 汇编过程期间被监视保证硅石 nanoparticles 的成功的免职。多孔的壳被描绘使用氮吸附和解吸附作用分析,并且毛孔的表面区域,体积和直径被导出。多孔的壳厚度和毛孔尺寸能被改变硅石 nanoparticles 的涂层时间调节,这被发现。最后,有 5 的 PS@SiO <sub>2</sub> 核心壳 microbeads, m PS 稳固的核心并且 350, nm mesoporous 壳(吝啬的 BJH 毛孔直径是 ~ 27, nm ) 被用来装载 CdSe/ZnS 量点(QD ) 。荧光显微镜的图象和嵌入 QDs 的 microbeads (QDB ) 的光扩大显示同样准备的核心壳 microbeads 能为 QD 提供足够的空间并且可能为 nano 微的 composites 的进一步的申请有用。 展开更多
关键词 二氧化硅纳米粒子 纳米复合材料 聚苯乙烯 组装过程 CdSe/zns量子 超大孔 微球 核壳
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