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A 83 GHz InP DHBT static frequency divider 被引量:4
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作者 张有涛 李晓鹏 +2 位作者 张敏 程伟 陈新宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第4期110-113,共4页
A static frequency divider is presented using 0.7μm lnP DHBTs with 280 GHz ft/fmax. The divider is based on ECL master-slave D-flip-flop topology with 30 HBTs and 20 resistors with a chip size 0.62 ×0.65 mm^2. T... A static frequency divider is presented using 0.7μm lnP DHBTs with 280 GHz ft/fmax. The divider is based on ECL master-slave D-flip-flop topology with 30 HBTs and 20 resistors with a chip size 0.62 ×0.65 mm^2. The circuits use peaking inductance as a part of the loads to maximize the highest clock rate. Momentum simulation is used to accurately characterize the effect of the clock feedback lines at the W band. Test results show that the divider can operate from 1 GHz up to 83 GHz. Its phase noise is 139 dBc/Hz with 100 kHz offset. The power dissipation of divider core is 350 mW. 展开更多
关键词 HIGH-SPEED static frequency divider lnP dhbt
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An InGaAs/InP 40 GHz CML static frequency divider 被引量:1
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作者 苏永波 金智 +6 位作者 程伟 葛霁 王显泰 陈高鹏 刘新宇 徐安怀 齐鸣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期127-130,共4页
Static frequency dividers are widely used as a circuit performance benchmark or figure-of-merit indicator to gauge a particular device technology’s ability to implement high speed digital and integrated high performa... Static frequency dividers are widely used as a circuit performance benchmark or figure-of-merit indicator to gauge a particular device technology’s ability to implement high speed digital and integrated high performance mixed-signal circuits.We report a 2:1 static frequency divider in InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor technology.This is the first InP based digital integrated circuit ever reported on the mainland of China. The divider is implemented in differential current mode logic(CML) with 30 transistors.The circuit operated at a peak clock frequency of 40 GHz and dissipated 650 mW from a single -5 V supply. 展开更多
关键词 inp dhbt static frequency divider
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基于InP DHBT的宽带高带宽利用率的ECL静态分频器
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作者 甄文祥 苏永波 +3 位作者 丁芃 丁武昌 杨枫 金智 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期152-155,共4页
本文提出了一种由0.8μm的InPDHBT工艺制作的宽带2:1静态ECL分频器电路,提出的分频器电路依据双发射极ECL电路结构进行搭建。经过对电路参数的理论分析和相关计算,该电路中关键开关器件的最大截止频率(ft)的利用率提高到了0.967。该电... 本文提出了一种由0.8μm的InPDHBT工艺制作的宽带2:1静态ECL分频器电路,提出的分频器电路依据双发射极ECL电路结构进行搭建。经过对电路参数的理论分析和相关计算,该电路中关键开关器件的最大截止频率(ft)的利用率提高到了0.967。该电路的测试结果表明,在输入正弦波的射频信号下,电路输入频率的操作频率范围是1GHz到62GHz。该电路搭建利用器件的最大截止频率ft为150GHz,因此电路的带宽利用率BW/ft为0.413,这在相同尺寸器件所制作的分频器电路中,是一个相当良好的结果。 展开更多
关键词 静态分频器 ECL 双发射极 inp dhbt 带宽利用率
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W波段InGaAs/InP动态二分频器(英文) 被引量:5
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作者 钟英辉 苏永波 +6 位作者 金智 王显泰 曹玉雄 姚鸿飞 宁晓曦 张玉明 刘新宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期393-398,共6页
采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60~100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62~83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单... 采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60~100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62~83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义. 展开更多
关键词 磷化铟 异质结双极型晶体管 动态分频器 时钟驱动型反相器
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用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管 被引量:2
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作者 牛斌 程伟 +4 位作者 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期263-266,共4页
报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 ... 报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力. 展开更多
关键词 磷化铟 双异质结晶体管 静态分频器
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