1
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基于DBR增强的850 nm GaAs/AlGaAs单行载流子光电探测器 |
王健
窦志鹏
李光昊
黄晓峰
于千
郝智彪
熊兵
孙长征
韩彦军
汪莱
李洪涛
甘霖
罗毅
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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2
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VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究 |
于妍
吕菲
李纪伟
康洪亮
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《电子工业专用设备》
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2024 |
0 |
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3
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弱光触发下GaAs光电导开关的载流子输运和热失效机制 |
司鑫阳
徐鸣
王文豪
常家豪
王铖杰
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《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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4
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基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器 |
李辰辰
高一强
孙晓玮
钱蓉
周健
杨明辉
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《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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5
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基于电源调制的L波段高性能GaAsHBT功率放大器 |
闭涛
陈景龙
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《半导体技术》
北大核心
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2024 |
0 |
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6
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透射式GaAs光电阴极性能提高以及结构优化 |
吕行
富容国
常本康
郭欣
王芝
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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7
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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器 |
李泽坤
陈继新
郑司斗
洪伟
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《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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8
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8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征 |
任殿胜
王志珍
张舒惠
王元立
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《人工晶体学报》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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9
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基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究 |
杨光晖
杨迎香
程骏
吴小帅
胡龙
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《通讯世界》
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2024 |
0 |
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10
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Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关 |
陈梓雅
张志浩
周杰海
李玮鑫
章国豪
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《固体电子学研究与进展》
CAS
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2024 |
0 |
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11
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基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器设计 |
李成成
陈珍
赵唯一
刘敏
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《集成电路应用》
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2024 |
0 |
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空间GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池结构参数对电学性能影响机理研究 |
王畅
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《材料科学》
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2024 |
0 |
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一款基于GaAs工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片 |
张斌
汪柏康
张沁枫
孙文俊
秦战明
权帅超
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《现代电子技术》
北大核心
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2024 |
0 |
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14
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基于GaAs pHEMT工艺的宽带6位数字移相器MMIC |
周守利
顾磊
张景乐
吴建敏
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《南京大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
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2023 |
1
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15
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ALE法对InSb/GaAs异质薄膜电学性能的改进 |
尚林涛
刘铭
周朋
邢伟荣
沈宝玉
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
2
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16
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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究 |
王祖军
尹利元
王兴鸿
张琦
唐宁
郭晓强
盛江坤
缑石龙
晏石兴
李传洲
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2023 |
0 |
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17
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GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述 |
彭龙新
邹文静
孔令峥
张占龙
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《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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18
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基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC |
王胜福
王洋
李丽
于江涛
张仕强
李宏军
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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19
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电学性能不反常的本征GaAs基InSb异质外延研究 |
尚林涛
韩岗
刘铭
申晨
晋舜国
李达
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
0 |
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20
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Ⅰ型倍增层对异质SAM结构InSb-APD红外探测器性能的影响 |
方小坤
叶伟
权贝贝
朱朝阳
萧生
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《应用光学》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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