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激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤
被引量:
6
1
作者
赵建君
宋春荣
+1 位作者
张灵振
牛燕雄
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1008-1012,共5页
在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光...
在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4~5 s基本吻合.
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关键词
热损伤
insb
(
pv
)型探测器
高斯光束
损伤阈值
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职称材料
温度波动对PV型InSb探测器响应特性的影响
被引量:
3
2
作者
孙静
杜立峰
张蓉竹
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期478-482,共5页
对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动(低温和常温温度波动)对探测器响应特性的影响。利用材料内部的光生电动势分析模型,通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输出...
对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动(低温和常温温度波动)对探测器响应特性的影响。利用材料内部的光生电动势分析模型,通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输出电压的影响。结果表明:输出电压随着温度的上升而降低,饱和电压也随着温度的上升而降低。特别是低温与常温下的响应特性有所不同,随着入射光功率的增大,低温下随温度变化的输出电压变化量减小,常温下随温度变化的输出电压变化量增大。
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关键词
光伏型光电探测器
insb
温度波动
响应特性
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职称材料
光伏InSb探测器R_0A值的测试与分析
3
作者
杜红燕
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期240-243,共4页
对所生产的光伏 In Sb器件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元器件 R0 A值在 5.71× 1 0 4~ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列器件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论...
对所生产的光伏 In Sb器件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元器件 R0 A值在 5.71× 1 0 4~ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列器件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论了器件表面漏电对 R0 A值的影响。
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关键词
insb
光伏探测器
R0A值
测试
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职称材料
消除强背景辐射干扰的光电探测新方法
被引量:
1
4
作者
曾雄文
陆启生
+1 位作者
赵伊君
刘泽金
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期207-211,共5页
以InSb探测器(PV型)为例,通过建立载流子输运的动力学模型得到光生电动势与入射光功率密度的函数关系,提出了一种消除强背景辐射对光电探测的影响的新方法,并且通过实验证实了这种方法的有效性及其理论模型的合理性。与传统...
以InSb探测器(PV型)为例,通过建立载流子输运的动力学模型得到光生电动势与入射光功率密度的函数关系,提出了一种消除强背景辐射对光电探测的影响的新方法,并且通过实验证实了这种方法的有效性及其理论模型的合理性。与传统的调零法相比,该方法精度较高且能适用于更高强度的背景辐射。
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关键词
背景辐射
干扰
insb
探测器
红外探测器
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职称材料
光伏型锑化铟红外探测器开路失效研究
被引量:
4
5
作者
罗宏
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期720-724,共5页
主要对光伏型锑化铟红外探测器组件开路失效现象进行分析。选取典型失效产品,通过性能测试、解剖等分析方法,寻找失效原因(金层表面有网状胶存在、引线与金属化层形变不够导致键合失效,芯片材料崩裂等),并对引起失效的机理进行了分析。
关键词
insb
光伏探测器
失效分析
开路
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职称材料
光伏锑化铟红外探测器的老化现象与处理
被引量:
1
6
作者
钱忠钰
《红外技术》
CSCD
1992年第1期18-20,共3页
光伏锑化铟红外探测器在长期使用过程中会逐渐老化,出现一些如等效阻抗降低、噪声增大等现象。本文叙述了闪光处理对于降低这类老化的探测器的噪声特别有效,加上一些清洁措施,已使一个工作了6年多的探测器基本上恢复了性能。
关键词
光伏
锑化铟
红外探测器
老化
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职称材料
特殊光伏锑化铟红外探测器的设计
被引量:
1
7
作者
刘晞贤
苏小会
+2 位作者
冯攀
王伟涛
高丹
《电子工艺技术》
2017年第5期297-300,共4页
HX-2A红外探测器为光伏锑化铟探测器。为了提高响应速度,探测器芯片采用p-n结结构,其p型层厚度小于0.75μm,n型层厚度约为500μm。探测器芯片采用镀增透膜(减反膜)的方法来进一步提高探测率,同时为了增加光学限光片的可靠性,避免引起盲...
HX-2A红外探测器为光伏锑化铟探测器。为了提高响应速度,探测器芯片采用p-n结结构,其p型层厚度小于0.75μm,n型层厚度约为500μm。探测器芯片采用镀增透膜(减反膜)的方法来进一步提高探测率,同时为了增加光学限光片的可靠性,避免引起盲区变化,直接将限光片图形光刻到探测器芯片表面,制成限光片芯片。通过对光电元件的特殊设计及改进,HX-2A红外探测器与原有的HX-2低温光导锑化铟红外探测器相比,响应速度及探测率都有很大提高。
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关键词
光伏锑化铟
红外探测器
增透膜
限光片芯片
高探测率
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职称材料
题名
激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤
被引量:
6
1
作者
赵建君
宋春荣
张灵振
牛燕雄
机构
军械工程学院理化教研室
军械工程学院光学教研室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第7期1008-1012,共5页
文摘
在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4~5 s基本吻合.
关键词
热损伤
insb
(
pv
)型探测器
高斯光束
损伤阈值
Keywords
Thermal damage
insb
(
pv
)
detector
Gaussian beam
Damage threshold
分类号
TN249 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
温度波动对PV型InSb探测器响应特性的影响
被引量:
3
2
作者
孙静
杜立峰
张蓉竹
机构
四川大学电子信息学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期478-482,共5页
文摘
对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动(低温和常温温度波动)对探测器响应特性的影响。利用材料内部的光生电动势分析模型,通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输出电压的影响。结果表明:输出电压随着温度的上升而降低,饱和电压也随着温度的上升而降低。特别是低温与常温下的响应特性有所不同,随着入射光功率的增大,低温下随温度变化的输出电压变化量减小,常温下随温度变化的输出电压变化量增大。
关键词
光伏型光电探测器
insb
温度波动
响应特性
Keywords
pv
photoelectric
detector
insb
temperature fluctuations
response
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光伏InSb探测器R_0A值的测试与分析
3
作者
杜红燕
机构
华北光电技术研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期240-243,共4页
文摘
对所生产的光伏 In Sb器件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元器件 R0 A值在 5.71× 1 0 4~ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列器件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论了器件表面漏电对 R0 A值的影响。
关键词
insb
光伏探测器
R0A值
测试
Keywords
insb
pv
detector
R_0A product.
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
消除强背景辐射干扰的光电探测新方法
被引量:
1
4
作者
曾雄文
陆启生
赵伊君
刘泽金
机构
国防科技大学应用物理系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期207-211,共5页
基金
国家863激光技术领域资助
文摘
以InSb探测器(PV型)为例,通过建立载流子输运的动力学模型得到光生电动势与入射光功率密度的函数关系,提出了一种消除强背景辐射对光电探测的影响的新方法,并且通过实验证实了这种方法的有效性及其理论模型的合理性。与传统的调零法相比,该方法精度较高且能适用于更高强度的背景辐射。
关键词
背景辐射
干扰
insb
探测器
红外探测器
Keywords
background radiation, disturbance,
pv
-type
insb
detector
, carries transportion
分类号
TN215.01 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光伏型锑化铟红外探测器开路失效研究
被引量:
4
5
作者
罗宏
机构
华北光电技术研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期720-724,共5页
文摘
主要对光伏型锑化铟红外探测器组件开路失效现象进行分析。选取典型失效产品,通过性能测试、解剖等分析方法,寻找失效原因(金层表面有网状胶存在、引线与金属化层形变不够导致键合失效,芯片材料崩裂等),并对引起失效的机理进行了分析。
关键词
insb
光伏探测器
失效分析
开路
Keywords
insb pv detector
failure analyses
no Voc performance
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光伏锑化铟红外探测器的老化现象与处理
被引量:
1
6
作者
钱忠钰
机构
北京天文台
出处
《红外技术》
CSCD
1992年第1期18-20,共3页
文摘
光伏锑化铟红外探测器在长期使用过程中会逐渐老化,出现一些如等效阻抗降低、噪声增大等现象。本文叙述了闪光处理对于降低这类老化的探测器的噪声特别有效,加上一些清洁措施,已使一个工作了6年多的探测器基本上恢复了性能。
关键词
光伏
锑化铟
红外探测器
老化
Keywords
Deterioration of
insb pv detector
Irradiation treatment
Astronomical application
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
特殊光伏锑化铟红外探测器的设计
被引量:
1
7
作者
刘晞贤
苏小会
冯攀
王伟涛
高丹
机构
陕西华星电子集团有限公司
出处
《电子工艺技术》
2017年第5期297-300,共4页
文摘
HX-2A红外探测器为光伏锑化铟探测器。为了提高响应速度,探测器芯片采用p-n结结构,其p型层厚度小于0.75μm,n型层厚度约为500μm。探测器芯片采用镀增透膜(减反膜)的方法来进一步提高探测率,同时为了增加光学限光片的可靠性,避免引起盲区变化,直接将限光片图形光刻到探测器芯片表面,制成限光片芯片。通过对光电元件的特殊设计及改进,HX-2A红外探测器与原有的HX-2低温光导锑化铟红外探测器相比,响应速度及探测率都有很大提高。
关键词
光伏锑化铟
红外探测器
增透膜
限光片芯片
高探测率
Keywords
pv
insb
infrared
detector
anti-reflection coating
optical limiting film chip
high detection rate
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤
赵建君
宋春荣
张灵振
牛燕雄
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
6
下载PDF
职称材料
2
温度波动对PV型InSb探测器响应特性的影响
孙静
杜立峰
张蓉竹
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
下载PDF
职称材料
3
光伏InSb探测器R_0A值的测试与分析
杜红燕
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
下载PDF
职称材料
4
消除强背景辐射干扰的光电探测新方法
曾雄文
陆启生
赵伊君
刘泽金
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
下载PDF
职称材料
5
光伏型锑化铟红外探测器开路失效研究
罗宏
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
下载PDF
职称材料
6
光伏锑化铟红外探测器的老化现象与处理
钱忠钰
《红外技术》
CSCD
1992
1
下载PDF
职称材料
7
特殊光伏锑化铟红外探测器的设计
刘晞贤
苏小会
冯攀
王伟涛
高丹
《电子工艺技术》
2017
1
下载PDF
职称材料
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