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高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长
被引量:
2
1
作者
尚林涛
周翠
+4 位作者
沈宝玉
周朋
刘铭
强宇
王彬
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期352-357,共6页
InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10...
InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm),FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5μm样品的室温电子迁移率高达6.06×10~4cm^2V^(-1)s^(-1),3μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。
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关键词
insb
insb/gaas
分子束外延
同质外延
异质外延
下载PDF
职称材料
题名
高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长
被引量:
2
1
作者
尚林涛
周翠
沈宝玉
周朋
刘铭
强宇
王彬
机构
华北光电技术研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期352-357,共6页
文摘
InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm),FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5μm样品的室温电子迁移率高达6.06×10~4cm^2V^(-1)s^(-1),3μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。
关键词
insb
insb/gaas
分子束外延
同质外延
异质外延
Keywords
insb
insb
/gaas
molecular beam epitaxy
homo-epitaxy
hetero-epitaxy
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长
尚林涛
周翠
沈宝玉
周朋
刘铭
强宇
王彬
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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职称材料
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