InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。

InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。

InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性

通过真空镀膜工艺获得磁阻灵敏度RB R0 >4.0 (B=0 .3T)的InSb -In共晶体磁阻薄膜。公布了用X射线衍射法对这种薄膜进行物相分析的结果和它的磁阻特性曲线 ,它表明薄膜中主要含有 (111)晶面的InSb和 (10 1)晶面的In ,还有 (2 2 0 )、(311)、(40 0 )、(5 11)晶面的InSb和 (0 0 2 )、(10 3)、(110 )、(112 )、(2 0 0 )、(2 11)、(2 13)晶面的In ,它们构成InSb -In共晶体。

基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用

随着薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)在各类新兴电子产品中得到广泛应用,作为各类电子设备的关键组件,其工作电压和稳定性面临着巨大挑战。为了满足未来高度集成化、功能复杂的应用场合,实现其低工作电压和高稳定性就变得异常重要。我们在150 mm×150 mm大面积玻璃基底上,采用磁控溅射非晶铟镓锌氧化物(amorphous indium-gallium-zinc-oxide,a-IGZO)作为有源层,以原子层沉积(ALD)Al2O3为栅绝缘层,制备了底栅顶接触型a-IGZO TFT,并研究了50,40,30,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层对TFT器件的影响。其中,20 nm超薄Al2O3栅绝缘层TFT具有最优综合性能:1 V的低工作电压、接近0 V的阈值电压和仅为65.21 mV/dec的亚阈值摆幅,还具有15.52 cm^2/(V·s)的高载流子迁移率以及5.85×10^7的高开关比。同时,器件还表现出优异的稳定性:栅极±5 V偏压1 h阈值电压波动最小仅为0.09 V以及优良的150 mm×150 mm大面积分布均一性。实现了TFT器件的低工作电压和高稳定性。最后,以该TFT器件为基础设计了共源极放大器,得到14 dB的放大增益。

晶体结构对Er/Yb共掺ZnO薄膜光致荧光特性的影响

采用脉冲磁控溅射技术制备了Er/Yb共掺ZnO薄膜,对不同退火温度下薄膜晶体结构和光致荧光(PL)光谱进行了系统分析,探讨了退火处理所导致的晶体结构变化以及反应新相的生成对Er3+离子激活、薄膜PL光谱的影响.研究结果表明,退火处理所导致的Er3+离子PL光谱的变化与薄膜的微观状态之间有着密切的联系.在室温到1050℃退火温度范围内,Er/Yb共掺ZnO薄膜为多晶结构,薄膜荧光强度的增加主要是薄膜内氧含量增加、缺陷减少使Er3+离子荧光寿命增加以及Er3+离子激活比例增加所致.当退火温度超过1050℃,荧光强度的明显降低是由新相生成造成缺陷增加以及薄膜内氧含量降低引起.在整个退火温度范围内,薄膜的PL光谱都表现为同一种光谱特性,即明锐的多峰结构,这说明Er3+在ZnO和Zn2SiO4中的周围环境非常相似.

晶体结构对Er/Yb共掺TiO_2薄膜荧光光谱的影响

通过对不同退火温度下Er/Yb共掺TiO2薄膜的结构和光致荧光光谱(PL)的分析,研究了退火处理所导致的晶体结构变化对薄膜荧光光谱的影响,探讨了薄膜的结晶状态在Er3+激活、荧光光谱形状等方面的作用及可能的物理机制。研究结果表明:退火处理所导致的Er3+的PL的变化与薄膜的相结构之间有着密切的联系。退火温度低于700℃时的宽化谱和Er/Yb共掺TiO2薄膜的非晶结构有关,多峰结构的PL是Er3+在烧绿石相ErxYb2-xTi2O7中的典型特征。

制备方法对共混物有机薄膜晶体管性能的影响

文章采用旋涂和滴涂两种方法分别制备了聚3-己基噻吩(P3HT)和聚苯乙烯(PS)共混物的有机薄膜晶体管器件,并通过掠角X射线衍射,扫描电镜和原子力显微镜对薄膜结构进行了研究,结果表明使用旋涂方法时薄膜中的P3HT形成了纳米网络结构,P3HT分子采取了共轭平面垂直于硅片表面的排列方式,这种结构有利于载流子的传输,从而提高了旋涂方法得到的薄膜的场效应迁移率。

基于浮栅型薄膜晶体管的光控多值存储器

为了解决一般存储器存储密度低、数据保持能力弱及保密性差等问题,基于浮栅型薄膜晶体管制备了一种性能受光调制的信息存储器,该存储器的存储窗口大于60 V,在特定条件下可呈现“1”“中间态”“0”3种电流水平,采用PN共混的有源层提高了器件的开关比。该存储器在提高数据储存密度、光学信息加密存储方面具有较强的发展潜力,可为新一代智能电子设备的信息存储提供助力。

Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法

本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为0．1％～0．3％的锌铝合金为靶材，以纯度99．99％以上的N2O和纯度99．99％以上的Ar作为溅射气氛，Ar的分压为气体总压强的15％～25％，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室，

Sn掺杂量对Sn-Mg共掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

采用超声喷雾热解法在石英衬底上制备了Sn-Mg共掺的ZnO纳米薄膜.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),光致发光谱(PL谱),紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和伏安特性曲线(I-V)等测试手段研究了Sn掺杂量的改变对薄膜的结构、形貌和光电性能的影响.结果表明,适量的Sn掺杂可以提高薄膜的表面形貌和光电性能.随着Sn掺杂量的增加,薄膜的(101)衍射峰强度、紫外发光峰、透过率和导电率都是先增加后减小,带隙能量值从3.350eV增加到3.651eV,并且平均透过率均在80%~87%之间.当Sn掺杂量为0.004时,薄膜结晶质量最好,表面最致密,晶粒大小最均匀,紫外发光峰强度最大,导电率最高.

新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器

研制的振动传感器是一种利用锑化铟 铟 (InSb In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比 ,这种传感器的灵敏度更高 ,频率响应宽。经实测 ,其提供的电信号的信噪比大于 60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。

新型萘二甲酰亚胺基半导体/绝缘聚合物共混薄膜的微结构和电荷传输研究

采用新型萘二甲酰亚胺基半导体聚合物FN2200与绝缘聚合物聚苯乙烯(PS)通过溶液相共混,并采用旋涂法制备共混薄膜的有机场效应晶体管(OFET)。发现在FN2200中加入少量PS可显著提升共混薄膜器件的电子迁移率,然而随着PS含量的增加,载流子迁移率将急剧降低。通过氧等离子体刻蚀结合紫外-可见光吸收谱测量发现,FN2200/PS共混薄膜存在清晰的相分离结构,FN2200组分富集在在薄膜表面层而PS成分沉积在薄膜底部区。掠入射X射线衍射(GIXRD)结果发现,在FN2200中添加PS成分促使FN2200骨架链倾向于采取edge-on堆积方式,有利于载流子沿有机/介电层界面的横向传输。基于薄膜微结构表征结果,系统地解释了共混薄膜的OFET性能随PS含量的变化关系和内在机制。

温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻

研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30mV/℃,常温下也可达到23mV/℃左右。同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。

锑化铟薄膜磁阻式振动传感器

本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测,其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。

PVDF/P(VDF-TrFE)混合薄膜形貌的原子力显微镜研究

利用原子力显微镜研究PVDF/P(VDF-TrFE)混合薄膜的结晶形貌受退火温度的影响,发现随着退火温度的升高,两种成份的结晶情况各异,并受到分子链间的作用而互相影响。α相的PVDF大球晶结构受P(VDF-TrFE)分子链的影响不易转化成β相的小球晶。在P(VDF-TrFE)的熔融温度以上退火后,P(VDF-TrFE)结晶成长纤维状晶体,并随着退火温度的升高而长大。共混薄膜中发生了两种类型的相分离,P(VDF-TrFE)的结晶可以使整个混合薄膜的宏观相容性得到提高,使两种成份的分层现象消失。

基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计

介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关，具有灵敏度高、控温范围宽的优点，在低温区，其灵敏度可以高达30mV／℃以上，常温下也可达到23mV／℃左右；其上下限温度调整范围为-40～120℃，测温精度可达到±0．1℃。

Li掺杂量对Li-N共掺ZnO薄膜光学性能的影响

本文利用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了本征、N单掺和Li-N共掺的ZnO薄膜。研究Li掺杂量的改变对薄膜的晶体结构、表面形貌、透过性能和发光性能的影响。采用了紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、光致发光谱(PL)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等表征手段对样品进行了测试。结果表明:Li掺杂量的改变对薄膜的结构和性能都有一定的影响,随着Li掺杂量的增加,(002)衍射峰强度增大,晶粒尺寸先增加后减小,紫外发射峰的强度和薄膜的透过性能同样是先增强后减弱。当Li元素的原子比为6 at%时,薄膜的c轴择优取向明显,结晶性能最好,薄膜紫外发光最强,透过率最大。

一种新型材料的温度控制器的设计

本文设计一种用锑化铟-铟—铟(InSb-In)共晶体薄膜磁敏电阻(MR)制成的双限温控器。实验表明,用InSb-In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器,具有灵敏度高,控温范围宽的优点,实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23mV/℃左右;其上下限温度调整范围可以从-40℃到+120℃之间;测温精度可达到±0.1℃。;另外它还具有性能稳定和对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。