In_(2)O_(3)对工业V_(2)O_(5)-MoO_(3)/TiO_(2)脱硝催化剂性能的影响

采用浸渍法制备了V2O5-MoO3-In2O3/TiO2脱硝催化剂,通过XRD、N2-吸附脱附、H2-TPR、NH3-TPD、O2-TPD等技术表征了催化剂的物化性能,通过固定床反应器考察了催化剂的脱硝性能。表征结果表明,In2O3的负载使V2O5-MoO3/TiO2催化剂的比表面积和孔体积略有降低、孔径略有提升,但没有改变V2O5-MoO3/TiO2催化剂的晶型结构及载体的孔道结构。催化剂的脱硝性能评价实验结果显示,In2O3的负载提升了催化剂的还原性能,增强了催化剂的表面酸性,从而提高了催化剂的脱硝活性。In2O3的存在提高了催化剂的抗SO2/H2O蒸气的性能,催化剂的高温抗SO2/H2O蒸气性能优于低温状态下。

In_2TiO_5纳米带的静电纺丝法制备及光催化性能

以酞酸丁酯(Ti(OC_4H_9)_4)、硝酸铟(In(NO3)3)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP-K30)为原料,采用静电纺丝技术制备了In_2TiO_5纳米带.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)和氮气吸附-脱附等温线(BET)等技术对样品进行了表征.考察了In_2TiO_5纳米带在光催化降解罗丹明B(RhB)、甲基橙(MO)、亚甲基蓝(MB)和左氧氟沙星(LEV)过程中的应用性能,研究了不同离子型物质、溶液的pH和MB起始浓度对In_2TiO_5纳米带光催化活性的影响.结果表明:In_2TiO_5纳米带具有正交晶系结构,禁带宽度为3.47 eV,比表面积为20.71 m^2·g^(-1),可应用于4种不同离子型物质的光催化降解,发现光催化效果与被降解物质的表面带电性质有关.在紫外光照射下,90 min,对MB的降解率达98.1%,其降解过程服从一级动力学模型.

铜卟啉修饰In_(2)TiO_(5)纳米带的制备及其光催化性能

以5,10,15,20-四苯基铜卟啉(CuTPP)和5-(4-氨基苯基)-10,15,20-三苯基铜卟啉(CuAPTPP)为敏化剂,采用溶剂热法成功制备了铜卟啉敏化In_(2)TiO_(5)复合光催化剂.利用紫外、FT-IR、XRD、SEM、UV-vis DRS和N2吸附脱附曲线对所得铜卟啉及复合光催化剂进行表征和分析.结果表明,铜卟啉负载于In_(2)TiO_(5)纳米带表面,复合光催化剂的禁带宽度及比表面积出现一定程度的减小,但未改变In_(2)TiO_(5)的晶型及形貌.其中,CuTPP敏化In_(2)TiO_(5)复合光催化剂的光催化活性最强,在模拟太阳光的照射下,120 min时罗丹明B(RhB)的降解率高达98.9%,而In_(2)TiO_(5)纳米带对RhB的降解率仅为33.5%,且循环使用5次后其光催化降解率仍保持在95%以上.