模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究

以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。

基底温度对射频磁控溅射PI基ITO薄膜的影响

采用射频(RF)磁控溅射法在柔性耐高温聚酰亚胺(PI)薄膜上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了基底温度对ITO薄膜性能的影响。运用四探针测试仪研究了基底温度对ITO薄膜方块电阻及电阻率的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)研究了基底温度对ITO薄膜表面形貌及结晶度的影响。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、附着力测试仪分析电学性能最优的样品化学组成与附着力。研究结果表明,ITO薄膜方块电阻及电阻率随基底温度上升先下降后上升,在基底温度为250℃时,ITO薄膜方块电阻为14.1Ω/□,电阻率为1.9×10^(-4)Ω·cm,基膜附着力好,薄膜结晶度高,(222)晶面存在择优取向。

ITO薄膜微结构对其光电性质的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.

室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究

报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .

柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究

在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。

膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%。

电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理，讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜，电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ，可见光范围内平均透过率高于９０％．

磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能

本文采用直流磁控溅射法在基板温度100℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜。利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响。结果表明:ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800nm的红光区域透光率达到最高。

ITO薄膜的制备工艺及进展

对玻璃表面ITO膜的组成、导电机制、性质和制备工艺进行描述。

ITO导电薄膜表面缺陷的图像特征分析

针对ITO导电薄膜缺陷人工分类效率较低的问题,提出了一种基于灰度差分统计法、灰度共生矩阵法和矩描述法的缺陷特征分析方法。首先,通过灰度差分统计对比得出各缺陷的熵值,利用熵值进行一次分类;其次,通过灰度共生矩阵,提取了二阶矩、对比度和相关性的数值,通过这三个数值分别设置阈值并对图表进行分析完成对5种缺陷的分类;最后,根据矩描述的特性并通过实验对矩方法的可行性进行了分析。实验中,取熵值的阈值为0.5,二阶矩的阈值为230,对比度的阈值为140,相关性的阈值为22,通过这四个参数的阈值可以达到将5种缺陷分类的效果。实验结果表明,基于灰度差分统计法和灰度共生矩阵法的分类方法可以更有效地完成缺陷分类。

离子束辅助磁控溅射低温沉积ITO透明导电薄膜的研究

本文对离子束辅助磁控溅射低温沉积的ITO薄膜进行了研究,重点考察了辅助离子束能量对ITO薄膜的光电性能和晶体结构的影响。结果表明:当A r/O2辅助离子束能量为900 eV左右时能够有效改善ITO薄膜的光电性能,在从非晶到多晶的转变过程中ITO薄膜具有较低的电阻率。在聚碳酸酯(PC)基片上制备了平均可见光透过率81.0%、电阻率为5.668×10-4ohm cm、结构致密且附着力良好的ITO薄膜,基片无变形。

氧分压与沉积速率对ITO薄膜性能的影响

本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响。研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势。对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善。

ITO薄膜的微结构及其分形表征

采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明:退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn^(4+)取代Sn^(2+)导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明:分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。

溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响

采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响．结果表明:改变In_(2-x)^(3+)(Sn_x^(4+)·e)O_3制备过程中的氧含量使Sn^(4+)·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级E_F降低,功函数W_s增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2．5×10^(-4)Ω·cm,透过率达88%以上．

EVA/ITO透明隔热材料的制备及性能研究

采用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)为基质,以透明并具有红外反射功能的纳米氧化铟锡(ITO)为添加剂,通过挤出共混法制备EVA/ITO透明隔热材料。探讨了纳米ITO含量对这一材料的光学性能、隔热性能及热稳定性的影响,并考察了材料与玻璃的黏合强度。结果表明,添加少量(质量分数为1%5%)纳米ITO的EVA/ITO材料对光的透过性能表现出明显的光谱选择性,能有效地阻隔红外光区的热能,并在可见光区具有相对较高的透光率;随纳米ITO含量的增加,EVA/ITO材料的隔热性能不断提高。当红外灯照射一个用透明隔热片材做盖板的木盒时,与未添加ITO的EVA相比,用含3%ITO的EVA/ITO片材制作的盖板能够使木盒内的空气温度降低9.1℃。在所考察的ITO含量范围内,所制备的EVA/ITO透明隔热材料与玻璃的黏合强度均大于30N/cm。

用溶剂萃取法从ITO膜蚀刻废液中回收金属铟的实验研究

文章对ITO膜蚀刻废液中铟的回收进行了研究。首先采用TBP萃取蚀刻废液,在实验的最优条件下经两次萃取,铟的萃取率可达到96.2%。然后用水反萃TBP有机相,不仅反萃了金属铟,并实现了铟、锡分离。使用P204对反萃液萃取及盐酸反萃富集,所得的富铟溶液由NaOH调节pH,用铝片置换,成功回收海绵铟。

ITO衬底上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶， 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后， 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向， 用ＲＴ６６Ａ 测试了膜的电学性能。结果表明， Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ ＰＺＴ膜在ＣＶＤ 法生长的ＩＴＯ 衬底上能正常结晶， 但结晶温度比在Ｐｔ 衬底上略高， 结晶取向以＜ １１０ ＞ 为主取向。ＩＴＯ 衬底上厚度为０－６４ μｍ 的ＰＺＴ 膜的漏电约为５ ×１０ － ７ Ａ／ｍ ｍ２ ， 比Ｐｔ 衬底上高不到一个数量级。８ Ｖ 时膜的有效介电常数Ｋｅｆ 约１ ３８０ ， 剩余极化强度Ｐｒ＝ １３ μＣ／ｃｍ２ ， 与Ｐｔ 衬底上无明显差别。ＣＶＤＩＴＯ／ 玻璃衬底可取代昂贵的Ｐｔ 衬底作铁电薄膜的性能研究。

磁控溅射低阻ITO薄膜的气体参数优化

用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随膜内氧的摩尔分数增加而增大,随氧气比例增加薄膜(400)晶向消失。优化参数为气压266.664 mPa,V(Ar):V(O2)=15:0,制备的ITO薄膜方阻为22Ω/□,在可见光区域平均透过率为85%。

磁控溅射ITO薄膜的退火处理

采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退火温度升高，方块电阻迅速下降，表面更加平整，薄膜在可见光范围平均透过率提高到85％。