ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究

随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。

模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究

以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。

ITO负载单原子钇吸附NO和CO的第一性原理研究

基于密度泛函理论,对氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)表面负载单原子Y模型的表面性能进行了第一性原理计算.根据表面能计算结果可知,单原子Y最稳定负载位置为空位(H),即确定了ITO负载单原子钇(Single-atom Y supported on ITO,Y/ITO)稳定模型.对ITO和Y/ITO表面吸附气体分子(NO和CO)模型的吸附性能进行了第一性原理计算.根据对比ITO和Y/ITO表面的吸附能和态密度计算结果可知,单原子钇负载提高了ITO表面的稳定性和吸附性能.根据对比Y/ITO表面吸附NO和CO气体分子的吸附能和态密度计算结果可知,NO和CO气体分子吸附均为自发行为,过程放热.且NO气体分子更容易吸附在Y/ITO表面,即Y/ITO对NO气体分子更敏感.

ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究

为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。

ITO增强相对AgSnO_(2)电接触材料微观结构和性能的影响

采用合金粉末预氧化法制备了新型AgSnO_(2)(10)ITO(5)电触头材料,并与相同氧化物含量的AgSnO_(2)(10)In_(2)O_(3)(5)进行了对比。结果表明,高含量的导电氧化物ITO替代In_(2)O_(3)后电寿命比AgSnO_(2)(10)In_(2)O_(3)(5)提升了30%,达到6万次。连续通断试验后的电弧特性研究和形貌分析表明,球磨后的样品电弧能量平均值下降明显,熔焊力减少且稳定。表面烧蚀坑数量明显减少,存在大量沙粒状小液珠。导电氧化物ITO有望成为Ag基电触头材料的新型高含量氧化物掺杂物,具有潜在的研究价值。

基于ITO的Co-ZnO电极的制备及对邻苯二酚的检测评价

采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-ZnO电极对邻苯二酚具有非常明显的电催化活性,通过测试分析得到其线性范围为0.01~10 mmol/L、灵敏度为1429.67 mA/(mM·cm^(2))、检出限为0.87μmol/L。通过干扰试验可知,Co-ZnO电极对其有良好的选择性,且电极的重现性良好。

退火处理对低阻LCD屏ITO薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,对制备好的ITO薄膜样品进行不同温度、不同时间的退火处理。用WGT-S透过率雾度仪、四探针测试仪测量退火后的电阻屏ITO薄膜光电性能参数,并采用扫描电子显微镜观测退火前后薄膜的表面状态,分析退火处理对电阻屏ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明:制备的ITO薄膜的最佳退火温度为400℃,退火时间约为70 min。

Transparent conducting indium-tin-oxide(ITO) film as full front electrode in Ⅲ–Ⅴ compound solar cell

The application of transparent conducting indium-tin-oxide （ITO） film as full front electrode replacing the conven- tional bus-bar metal electrode in III-V compound GalnP solar cell was proposed. A high-quality, non-rectifying contact between ITO and 10 nm N＋-GaAs contact layer was formed, which is benefiting from a high carrier concentration of the terrilium-doped N＋-GaAs layer, up to 2×10^19 cm^-3. A good device performance of the GalnP solar cell with the ITO electrode was observed. This result indicates a great potential of transparent conducting films in the future fabrication of larger area flexible III-V solar cell.

退火温度对ITO/Cu/AZO透明导电薄膜结构及性能的影响

采用射频与直流磁控交替溅射法在石英玻璃载玻片上制备了氧化铟锡(ITO)/Cu/Al掺杂ZnO(AZO)(45 nm/10 nm/45 nm)组合结构的透明导电薄膜,并在不同退火温度下对薄膜进行真空热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等表征手段,系统地研究了退火温度对ITO/Cu/AZO复合薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果显示,经过不同温度的真空退火处理,薄膜的晶体结构和导电性能得到显著改善和提高,薄膜可见光平均透过率随着退火温度的升高先增加后降低。对比发现,在气压5×10^(-3)Pa、温度150℃下退火制备的ITO/Cu/AZO结构薄膜表现出最佳的综合性能,薄膜具有较强的(222)和(440)晶面衍射峰,在400~800 nm光波范围平均透过率约为80.5%,电导率约为1.76×10^(3) S/cm,综合品质因数达到约2.12×10^(-3)/Ω。

ITO靶材烧结用垫片自动磨床设计研究

针对ITO靶材烧结用垫片生产成本高、效率低、质量差的难题,设计了一款加工该垫片的自动磨床。通过研究其功能需求,确定磨削方式,进行了总体、机构设计。结构设计通过集成创新方式设计了新颖的分料、上料、磨削、下料、砂轮修整、除尘、清洁及安全等机构,并对其进行可靠性计算及实验验证。该自动磨床设计巧妙,结构简单,安全高效,实现了垫片自动化加工,已应用于生产中,效果显著。

ITO薄膜的制备及性能研究

采用磁控溅射方法,以纯ITO作为靶材,Ar和O_(2)、H2为溅射气体在高铝硅玻璃基片上成功制备出低电阻且高透光率的ITO膜。利用X射线衍射、分光光度计对不同工艺参数下薄膜的结构和光学参数进行了表征,方阻仪用来测量样品的电学性能。研究结果表明,ITO膜为非晶结构,溅射功率和溅射气体通过影响薄膜中的缺陷浓度、氧空位的浓度对ITO薄膜的方阻以及透光率产生影响。优化工艺条件下的ITO膜的方阻值Rs为13Ω/sq,900nm处的透光率可达85.4%,具有良好的透光率和导电性。

G-可料过程的Ito积分

可料过程是一种重要的随机过程.本文利用非线性随机分析理论方法,提出了G-可料过程的定义,拟发展次线性期望框架下的可料过程及其相关随机积分,探究了G-可料过程关于G-布朗运动以及G-布朗运动二次变差的Ito积分,得到了与其相关的若干性质.

应用于LED的ITO薄膜光电性能研究

为提高出光效率,在出光面和电极之间需要一种导电性好、透光性高的薄膜材料。文章研究了直流磁控溅射法制备应用于LED的ITO薄膜时,O2流量、溅射功率、溅射气压等工艺参数对薄膜光电性能的影响,并通过实验得出结论。

Exploring negative ion behaviors and their influence on properties of DC magnetron sputtered ITO films under varied power and pressure conditions

We deposited indium-tin-oxide(ITO)films on silicon and quartz substrates by magnetron sputtering technology in pure argon.Using electrostatic quadrupole plasma diagnostic technology,we investigate the effects of discharge power and discharge pressure on the ion flux and energy distribution function of incidence on the substrate surface,with special attention to the production of high-energy negative oxygen ions,and elucidate the mechanism behind its production.At the same time,the structure and properties of ITO films are systematically characterized to understand the potential effects of high energy oxygen ions on the growth of ITO films.Combining with the kinetic property analysis of sputtering damage mechanism of transparent conductive oxide(TCO)thin films,this study provides valuable physical understanding of optimization of TCO thin film deposition process.

ITO薄膜的制备及其光电性能研究

随着HJT太阳电池的发展,对其氧化铟锡(ITO)薄膜的研究日益增多。通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了氧含量、溅射功率、沉积温度及溅射气压对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果显示:1)ITO薄膜的光电性能对氧含量较为敏感,随着氧含量增加,ITO薄膜的电阻率也随之增加,而透过率则呈先上升后下降,然后基本保持不变的趋势;2)随着沉积温度升高,ITO薄膜的透过率也随之升高,而电阻率则呈先下降后上升的趋势;3)随着溅射气压的升高,ITO薄膜的电阻率呈上升趋势,而透过率则是先降低再略微升高;4)当氧含量在1.8%~2.0%,溅射功率在3000~4000 W,沉积温度在150~190℃,溅射气压在0.5~0.7 Pa时,ITO薄膜具有较优的光电性能。因此,在合理范围内提高沉积温度,其则会具有退火作用,有助于进一步改善ITO薄膜的光电性能。

柔性精细铜引线Cu/ITO蚀刻液的制备及工艺研究

目的:为实现柔性精细铜引线,通过配制Cu/ITO双膜系蚀刻液并对其蚀刻工艺进行研究,得到蚀刻液的合理配比和最佳的工艺参数。方法:通过配制的蚀刻液进行分析,测试其对Cu膜的蚀刻程度,通过对蚀刻温度、喷淋压力、蚀刻时间、药液浓度等工艺参数进行调整控制,利用蚀刻液的高选择性,使Cu/ITO双膜系刻蚀一步完成图案化。结果:通过试验得到Cu/ITO双膜系蚀刻液的合理配比和最佳的工艺参数,进行批量化试验生产得到线宽线距L/S规格为(35±5)μm的产品,生产的Cu-Film Sensor在外观及功能测试方面可达到规格要求,金属铜线路边缘整齐美观,绝缘性在50 MΩ以上,蚀刻后膜层附着力达到5B,产品高温高湿可靠性均符合规格要求,制程C pK大于1.33。意义:该工艺整个过程操作简练、安全环保而且配制的药液体系更加均匀稳定,可进行批量化稳定生产。

Effects of power on ion behaviors in radio-frequency magnetron sputtering of indium tin oxide(ITO)

This study delves into ion behavior at the substrate position within RF magnetron discharges utilizing an indium tin oxide(ITO)target.The positive ion energies exhibit an upward trajectory with increasing RF power,attributed to heightened plasma potential and initial emergent energy.Simultaneously,the positive ion flux escalates owing to amplified sputtering rates and electron density.Conversely,negative ions exhibit broad ion energy distribution functions(IEDFs)characterized by multiple peaks.These patterns are clarified by a combination of radiofrequency oscillation of cathode voltage and plasma potential,alongside ion transport time.This elucidation finds validation in a one-dimensional model encompassing the initial ion energy.At higher RF power,negative ions surpassing 100 e V escalate in both flux and energy,posing a potential risk of sputtering damages to ITO layers.

ITO靶材废料回收铟技术研究进展

ITO靶材废料的高效回收利用对全球铟资源循环与环境保护具有重要意义。本文概述了ITO靶材废料回收铟的现有技术,分析其优缺点,并提出适用于产业化应用的高效绿色回收铟技术。

基于Drude模型ITO薄膜性能及工艺控制分析

利用离子辅助电子束蒸发技术制备锡掺杂氧化铟薄膜,参考“第四范式”研究思路,根据薄膜光学性质特点建立以Drude振子为核心的光学模型,从模型参数入手,分析载流子浓度、迁移率对光学性能影响,得出提高载流子迁移率能够同步提升薄膜产品的光、电性能。总结分析文献报道中的主要成果,提出性能提升工艺方案,样品经验证载流子迁移率由6.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)提高到18.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),厚度由315.5 nm减薄到155.2 nm情况下,面电阻由50.1 Ω/□减小到26.2Ω/□。

加热器ITO膜层图案刻蚀对改变热量分布的研究

为了控制加热器的加热均匀性,改变加热器表面的热量分布,提出一种基于ITO膜层图案刻蚀的加热器设计与加工方法。首先结合理论计算设计初步图案,用图案刻蚀的方法加工样品进行测试,找到ITO膜层图案刻蚀与热量分布的规律;然后结合具体项目设计一种可以满足产品要求的ITO膜层图案,制作加热器样品并测试热量分布;最后将相关数据进行整理与总结,为ITO膜层图案设计及加热器制作提供一种可行性方案。