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极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征
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作者 赵见国 殷瑞 +7 位作者 徐儒 倪海彬 陶涛 庄喆 严羽 谢自力 刘斌 常建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期204-210,共7页
利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。... 利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。 展开更多
关键词 半极性面 非极性面 INN薄膜 外延生长
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智能神经网络系统原理在印刷体汉字识别中的应用 被引量:2
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作者 王先旺 李涛 +2 位作者 冷丽琴 王海兵 张炜 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 2001年第2期103-105,共3页
在印刷体汉字识别中的实验中 ,提出了一种解决在网络学习时 ,随样本数的增加 ,学习时间会按指数级增加的方案 :应用智能神经网络系统原理 ,先训练好各个功能专一、结构简单的小智能神经网络 ,然后联合小智能神经网络构成功能复杂的大智... 在印刷体汉字识别中的实验中 ,提出了一种解决在网络学习时 ,随样本数的增加 ,学习时间会按指数级增加的方案 :应用智能神经网络系统原理 ,先训练好各个功能专一、结构简单的小智能神经网络 ,然后联合小智能神经网络构成功能复杂的大智能神经网络。实验表明 ,智能神经网络系统原理为克服传统神经网络收敛速度慢的缺点 ,同时不增加网络负担提供了一种有效方案。 展开更多
关键词 智能神经网络系统 inns 印刷体汉字识别 BP网络
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用于集成网络管理系统的智能对象的研究 被引量:1
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作者 孙明海 王一超 冯重熙 《电子技术应用》 北大核心 1998年第12期15-17,共3页
利用面向对象(OO)的编程方法实现集成网络管理系统(INMS)时,可以把管理目标实现为一个主动对象,从而使系统变成为一个主动对象系统。研究了主动对象在实现INMS时的一些缺点,并加以改进,提出了具有自主维护能力的智能... 利用面向对象(OO)的编程方法实现集成网络管理系统(INMS)时,可以把管理目标实现为一个主动对象,从而使系统变成为一个主动对象系统。研究了主动对象在实现INMS时的一些缺点,并加以改进,提出了具有自主维护能力的智能对象的概念。把管理目标实现为智能对象,使管理目标获得管理自身行为的“智能”,可以有效地减轻系统的管理负担,提高管理效率。 展开更多
关键词 inns OO 管理目标 计算机网络
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Contribution of SAR Radar Imagery in the Detection of Suspicious Vessels in the Ivorian EEZ
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作者 Koffi Cyprien Yoboue Jean-Baptiste Kassi +1 位作者 Eric Valère Djagoua Tiemelé Jacque-André 《World Journal of Engineering and Technology》 2024年第1期200-212,共13页
The present work proposed a method for match SAR and AIS data to detect vessels carrying out suspicious activity in the Ivorian EEZ. Two superposition methods, detected AIS and SAR data, based on point-to-point associ... The present work proposed a method for match SAR and AIS data to detect vessels carrying out suspicious activity in the Ivorian EEZ. Two superposition methods, detected AIS and SAR data, based on point-to-point association on the one hand and point-to-line on the other hand, were used to detect suspicious vessels in Ivorian marine waters. The results showed that most vessels detected in the Ivorian EEZ do not declare their positions to avoid being spotted. These funds are likely to practice illegal, undeclared and unregulated fishing (INN fishing). This clandestine activity is very recurrent in Ivorian waters. This is illustrated by the number of suspicious vessels detected by SAR radar imagery which is greater compared to declared or authorized vessels. 展开更多
关键词 INN Fishing CFAR Algorithm AIS Sentinel-1A Ivory Coast
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Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算 被引量:6
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作者 董成军 陈青云 +3 位作者 徐明 周海平 段满益 胡志刚 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期781-785,共5页
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分... 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关. 展开更多
关键词 Si掺杂InN 第一性原理 电子结构 光学性质
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InN材料及其应用 被引量:7
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作者 谢自力 张荣 +9 位作者 毕朝霞 刘斌 修向前 顾书林 江若琏 韩平 朱顺明 沈波 施毅 郑有炓 《微纳电子技术》 CAS 2004年第12期26-32,共7页
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
关键词 INN 带隙 半导体材料 晶格常数 晶格匹配
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InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文) 被引量:3
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作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期38-42,共5页
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边... 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。 展开更多
关键词 INGAN InN分凝 InN量子点 光致发光
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InN薄膜的退火特性 被引量:3
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作者 谢自力 张荣 +11 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 濮林 陈敦军 韩平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵红 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期340-344,共5页
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425... 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量. 展开更多
关键词 INN 热退火 X射线衍射 扫描电子显微镜 X射线光电子谱
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InN和GaN系衬底材料的研究和发展 被引量:2
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作者 徐军 周圣明 +5 位作者 杨卫桥 夏长泰 彭观良 蒋成勇 周国清 邓佩珍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第F01期386-390,共5页
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料... InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要。本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景。 展开更多
关键词 INN GAN 宽禁带半导体 衬底 光电子材料
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不同价态Mn掺杂InN电子结构、磁学和光学性质的第一性原理研究 被引量:2
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作者 徐大庆 赵子涵 +4 位作者 李培咸 王超 张岩 刘树林 童军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期194-205,共12页
采用密度泛函理论体系下的广义梯度近似GGA+U平面波超软赝势方法,在构建了纤锌矿结构的InN超胞及三种不同有序占位Mn^(2+),Mn^(3+)价态分别掺杂InN超胞模型,并进行几何优化的基础上,计算了掺杂前后体系的电子结构、能量以及光学性质.计... 采用密度泛函理论体系下的广义梯度近似GGA+U平面波超软赝势方法,在构建了纤锌矿结构的InN超胞及三种不同有序占位Mn^(2+),Mn^(3+)价态分别掺杂InN超胞模型,并进行几何优化的基础上,计算了掺杂前后体系的电子结构、能量以及光学性质.计算结果表明:Mn掺杂后体系总能量和形成能降低,稳定性增加,并在费米能级附近引入自旋极化杂质带,体系具有明显的自旋极化现象.掺杂不同价态的Mn元素对体系电子结构和磁学性质产生了不同的影响.电子结构和磁性分析表明掺杂体系的磁性来源于p-d交换机制和双交换机制的共同作用,Mn^(3+)价态掺杂有利于掺杂体系的居里温度达到室温以上.与未掺杂InN相比,不同价态Mn元素掺杂后体系的静态介电函数显著增大,掺杂体系介电函数虚部和吸收光谱在低能区域出现了较强的新峰,分析认为这些新峰主要来自与费米能级附近自旋极化杂质带相关的跃迁. 展开更多
关键词 Mn掺杂InN 不同价态 电子结构 光学性质
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在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究 被引量:3
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作者 卢朝靖 李金华 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期95-96,共2页
关键词 分子束外延生长 外延薄膜 穿透位错 INN TEM 蓝宝石 极性 GAN薄膜
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氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究 被引量:2
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作者 戴宪起 王建利 闫慧娟 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期50-53,共4页
利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2... 利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0001)面的(1×2)结构T4位最稳定.InN(0001)表面容易形成铟层,氮空位很可能是造成n型InN的高载流子浓度的施主. 展开更多
关键词 吸附 第一性原理 INN 形成能
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InN材料及器件的最新研究进展 被引量:1
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作者 丁少锋 范广涵 +2 位作者 李述体 郑树文 陈琨 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期16-20,共5页
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
关键词 INN 特性 应用 进展
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氮化铟(0001)面氧吸附研究 被引量:3
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作者 戴宪起 吴新华 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期185-185,共1页
关键词 吸附 INN 第一原理 吸附能
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氮化铟粉末在N_2气中的热稳定性(英文) 被引量:1
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作者 王福学 薛成山 +4 位作者 庄惠照 张晓凯 艾玉杰 孙丽丽 杨兆柱 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期188-190,共3页
用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N_2气中的热稳定性进行了分析。结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末分解成In和N_2;一部分InN粉末转变成In_2O_3粉末。
关键词 热稳定性 N2 InN粉末 分解 IN2O3
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InN纳米线材料的特性和制备技术 被引量:1
16
作者 谢自力 张荣 +8 位作者 修向前 刘斌 江若琏 顾书林 韩平 赵红 朱顺明 施毅 郑有炓 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2005年第4期303-306,共4页
InN材料具有着巨大的应用潜力,伴随着本身特性的揭秘,已成为最近两年内最热门的研究材料之一.介绍了InN纳米线的基本特性,讨论了InN纳米线材料的制备技术及其应用.利用CVD法研制的GaN纳米线的直径已达到40-80 nm;长度可以达到1 000 nm... InN材料具有着巨大的应用潜力,伴随着本身特性的揭秘,已成为最近两年内最热门的研究材料之一.介绍了InN纳米线的基本特性,讨论了InN纳米线材料的制备技术及其应用.利用CVD法研制的GaN纳米线的直径已达到40-80 nm;长度可以达到1 000 nm;InN纳米线具有InN的六方纤锌矿结构,其PL谱具有宽的发射峰,谱峰中心位于1.85 eV. 展开更多
关键词 INN 带隙 半导体材料 纳米线
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在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN 被引量:1
17
作者 谢自力 张荣 +11 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 濮林 陈敦军 韩平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵红 施毅 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1050-1055,共6页
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(... 利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。 展开更多
关键词 INN 预淀积In纳米点 MOCVD
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干旱胁迫下菊芋蔗糖磷酸合成酶及转化酶活性变化规律研究 被引量:1
18
作者 刘素英 赵孟良 +3 位作者 王丽慧 孙雪梅 李屹 李莉 《广东农业科学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第16期23-28,共6页
为研究干旱胁迫下不同菊芋品种不同部位的蔗糖磷酸合成酶(SPS)及蔗糖转化酶(INV)的活性变化规律,采用PEG模拟与人工控水胁迫的方式对青芋1号、青芋2号两个菊芋品种进行研究。结果表明:(1)青芋1号和青芋2号在10%、20%PEG胁迫下,茎中SPS... 为研究干旱胁迫下不同菊芋品种不同部位的蔗糖磷酸合成酶(SPS)及蔗糖转化酶(INV)的活性变化规律,采用PEG模拟与人工控水胁迫的方式对青芋1号、青芋2号两个菊芋品种进行研究。结果表明:(1)青芋1号和青芋2号在10%、20%PEG胁迫下,茎中SPS活性均较对照高,而30%PEG胁迫下茎中SPS活性较对照低,INV活性均表现较低;而不同浓度PEG胁迫处理的叶片中,SPS活性均较对照高,INV活性表现仍然较低。(2)青芋1号和青芋2号茎、叶中的SPS活性在不同控水强度胁迫前期均较对照高;青芋1号INV活性在中度控水35 d时活性较低、蔗糖合成增加,青芋2号INV活性在所有控水条件下7 d后均下降,故适宜的控水强度及控水时间可以提高青芋1号和青芋2号茎、叶中的蔗糖含量。 展开更多
关键词 菊芋 干旱胁迫 蔗糖磷酸合成酶(SPS) 蔗糖转化酶(INN) 酶活性
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影响InN材料带隙的几个关键问题 被引量:2
19
作者 董少光 李炳乾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期82-87,共6页
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了In... 确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素。影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N∶In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同。 展开更多
关键词 InN材料 带隙 Moss-Burstein效应 深能级 化学计量
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基于失衡样本特性过采样算法与SVM的滚动轴承故障诊断 被引量:20
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作者 黄海松 魏建安 +1 位作者 任竹鹏 吴江进 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2020年第10期65-74,132,共11页
针对传统支持向量机(SVM)算法在滚动轴承故障诊断领域中,对失衡数据集效果不佳、对噪声敏感以及对本身参数依赖较大等缺点,提出一种基于样本特性的过采样算法(OABSC)。该算法利用改进凝聚层次聚类将故障样本分成多个簇;在每个簇中综合... 针对传统支持向量机(SVM)算法在滚动轴承故障诊断领域中,对失衡数据集效果不佳、对噪声敏感以及对本身参数依赖较大等缺点,提出一种基于样本特性的过采样算法(OABSC)。该算法利用改进凝聚层次聚类将故障样本分成多个簇;在每个簇中综合考虑样本距离、近邻域密度对"疑似噪声点"进行识别、剔除,并将剩余样本按信息量进行排序;紧接着,在每个簇中采用K^*-信息量近邻域(K^*INN)过采样算法合成新样本,以使得数据集平衡;模拟3种不同失衡比下的轴承故障情况,并采用粒子群算法优化了SVM分类器的参数。经试验证明:相比已有算法,OABSC算法能更好地适用于数据呈多簇分布且失衡的轴承故障诊断领域,拥有更高的G-mean值与AUC值以及更强的算法鲁棒性。 展开更多
关键词 改进凝聚层次聚类 样本特性 K^*-信息量近邻域(K^*INN)过采样 支持向量机(SVM) 滚动轴承故障诊断
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