具有片上电感的改进型梯形声表面波滤波器

针对小体积声表面波(SAW)滤波器性能受封装影响较大的问题,提出了一种新型SAW梯形滤波器电路拓扑结构。通过分析滤波器高频受封装影响造成的远端抑制上翘的现象,从电路结构出发,改变版图设计,实现了片上电感。采用传统梯形滤波器结构和利用纵向耦合双模谐振器型滤波器(DMS)特殊接地结构相结合的电路拓扑结构,有助于提高带外抑制和设计灵活性。在标准的42°Y-X钽酸锂(LiTaO_(3))基板上制作滤波器,通过仿真分析得到中心频率2580 MHz、带宽50 MHz、插入损耗小于2.5 dB的高阶梯形射频SAW滤波器的最优拓扑结构。测试结果表明,通过改变电路拓扑结构关键参数和引入新的传输零点,可改善在高频段内的带外抑制特性。

晶体型Interleaver的滤波片

说明了Interleaver的基本原理,分析了晶体型Interleaver的滤波片的原理,以YVO4晶体为例,给出了具体应用的设计思想。

一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片

本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率的同步和异步控制,实现对滤波器的频率与带宽的调谐,通过不同工作频段的通道间切换组合,实现了频率的宽范围调谐。为了验证该设计的有效性,完成了该滤波器的流片,其尺寸为3.1 mm×3.0 mm。经实测,该滤波器通带中心频率可在2.52 GHz~3.92 GHz之间进行调谐,频率调谐比达到了54%,通道内带宽可实现350 MHz~1080 MHz之间的变化,相对带宽可调范围为12%~33%,同时具备了频率和带宽的宽范围调控能力。

一种改善MZI型Interleaver滤波特性新结构的理论研究

根据最近研究的一种改进型光纤Mach-Zehnder干涉仪(MZ1)型Interleaver存在的问题,提出一种改善其滤波特性的新结构．对其原理和相关参数进行了模拟分析,结果表明新结构的光谱形状与隔离度都比原结构有较大改善,且保持了信道的对称性．本文分析计算的结果对器件的优化设计具有实际的指导意义．

W波段片上基片集成波导高选择性滤波器研究

本文研究了通过引入负耦合结构为复平面虚轴增加一对零点以改善传统四阶滤波器的选择特性,通过设计刻蚀不同的耦合槽来比较不同耦合结构对滤波器幅频带外抑制度的改善效果。文章在先前已有的普通片上SIW四阶94GHz滤波器的基础上,为使其拓扑结构产生异相耦合,进一步地分别在两个非相邻耦合腔之间刻蚀了一种“H”形和一种为“弓”字形的两种不同槽结构,为原来均为磁耦合的拓扑添加一对电耦合。最后仿真结果成功地验证了所提出的方法,在保持其94GHz工作频率的同时实现了传输零点的产生,进而增加了滤波器的选择性。

S波段GaAs PHEMT宽调谐比可重构滤波器芯片设计

基于单片微波集成电路技术设计了一款S波段频率可调谐滤波器芯片,该可调谐滤波器芯片采用信道化结构,通过选择不同通道实现宽调谐比。其中每个通道采用多级放大器与无源滤波网络级联的形式提高该滤波电路的选择性,通过在无源滤波网络引入变容二极管实现通道频率的连续调谐,该结构可在滤波器具备较高选择性的前提下实现宽调谐比。采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款S波段双通道信道化可重构滤波器,仿真结果表明,在0~3 V控制电压范围下,该滤波器中心频率调谐范围为2.5~4 GHz,带宽变化范围为420~650 MHz,调谐比达到60%,滤波器芯片尺寸为3 mm×3.1 mm。该设计为片上可重构射频滤波实现宽频率调谐比提供了一条技术途径。

基于QPSO的震动传感器片上相位补偿器设计方法

震动传感器的系统相位非一致性会对地震波到时时差提取产生很大的误差,严重影响震源定位精度;针对这一问题,提出了一种基于量子粒子群优化算法(QPSO)的震动传感器片上相位补偿器设计方法;首先对震动传感器进行相位标定,获得传感器与参考传感器的相位差;其次设计基于QPSO算法的相位补偿滤波器对相位差进行修正,使其无限趋近于0;最后,将相位补偿滤波器封装成FPGA软核部署于FPGA上,完成对震动传感器的相位片上实时补偿;为了验证该方法的性能,将相位补偿滤波器部署于自研的多通道震动信号采集系统上,对8个相同型号震动传感器进行相位一致性校准;试验结果表明,在震动传感器频响范围内,该方法可以将2.5°内的传感器相位差实时修正至0.004 4°以下,实现了震动传感器阵列的相位一致性实时校准;该成果在地下浅层震源定位领域具有较强的应用价值。

永鼎光电子发布业界最窄通道间隔的50GHz DWDM滤波片

2023年6月,永鼎股份旗下永鼎光电子,发布50GHz DWDMTFF,应用于密集波分复用的薄膜滤波片,通道间隔50GHz,为业界最窄通道间隔。新开发的滤波片基于50GHz的ITU-T通道间隔,波长范围覆盖C或L波段,在光通信波长1260~1620nm范围定可定制。设计工作温度为工业级-40℃~+85℃,全温范围内波长温度偏移控制在0.02nm以下,可在较严苛的温度环境下工作。产品面向波分光传输网络市场,可广泛应用于N×10G/25G/100G/200G/400G等OADM、OTN和CRAN ORAN等通信网络节点。

基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计

基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号低损耗带通传输的同时缩小了芯片尺寸。测试结果表明混频器在175~205 GHz频率范围内,单边带(SSB)变频损耗小于15 dB,典型值14 dB。混频器中频频带为DC~25 GHz,射频端口对本振二次谐波信号的隔离度大于20 dB。芯片尺寸为1.40 mm×0.97 mm,能够与相同工艺的功率放大器、低噪声放大器实现片上集成,从而满足太赫兹通信等不同领域的应用需求。

新兴光子器件——Interleaver

系统介绍了新兴光子器件———Interleaver的特性、实现方法及其在DWDM系统中的应用。结合课题组的工作 ,主要介绍了光纤熔锥非平衡M Z干涉仪型、偏振光干涉晶体双折射型和迈克耳逊干涉仪 +GT反射镜型三种实现方案。

比色测温双波长的选择及滤波片最小带宽的计算

介绍了近红外CCD比色测温的基本原理,详细讨论了滤波片最小带宽的选择以及比色双波长的选择方法,并通过Matlab仿真计算确定了在给定温度范围内的最佳比色波长组合．

波导金属插片窄带滤波器的研制

采用高精度的模式匹配法设计了一种窄带矩形波导插片滤波器。利用该方法设计的波导型滤波器精度高 ,结构简单 ,便于加工。同时将模式匹配法的数值计算结果与实验结果进行了比较 。

E面金属膜片波导滤波器的优化设计

本文利用等效电路的方法求得E面全金属膜片波导滤波器的初始尺寸值 ,经过对此滤波器的特性的分析结果与设计要求的比较对滤波器的尺寸加以调整 ,从而准确、快捷地完成滤波器的综合 ,对于E面金属膜片滤波器的工程设计有很大的帮助。

群组分波复用器(Interleaver)的薄膜实现方案

运用光学干涉膜系半波层可调、多频滤波技术和"厚腔"多半波矩形修正方法,设计出了膜层少、带宽窄且信道间隔可调的Interleaver器件,给出了50G、100GInterleaver的设计实例,其中心波长、通带宽度(@25dB,@0.5dB)、通带波纹等性能指标完全满足DWDM通信系统的要求。

光学滤波片薄膜镀制工艺中的监控技术模拟分析

在窄带滤波器件的研制过程中 ,模拟分析了采用极值法对膜层厚度进行光学监控及其偏差对滤波器件光学特性的影响 ,并给出了一个 4腔DWDM滤波片的理想工艺曲线以及模拟计算所得到光学特性的分布曲线 ,计算结果有利于指导高品质薄膜器件的研制 ,并研制出符合工业应用标准要求 3腔和 4腔的 10 0GHz、2 0 0GHz的DWDM滤波片以及CWDM滤波片 .

光纤通信WDM系统用带通滤波片

介绍了光纤通信1 550 nm波段全介质带通滤光片的设计原理、制备工艺和研制过程,获得了可供实用的光纤通信滤波器件。实验测试结果表明:所设计并研制的3腔和4腔具有0.8 nm波长间隔的窄带通滤波片,具有很好的带通透射光谱特性,其中心波长、通带宽度、通带纹波、峰值插入损耗等主要技术指标,以及温度稳定性等,均能满足光纤通信密集波分复用(D-WDM)系统应用的要求。另外,具有20 nm带宽的粗波分复用(C-WDM)滤波片,也具有符合工业应用的带通透射光谱性能。

具有片上数字控制频率调谐的9MHz有源RC滤波器

讨论了适用于无线局域网零中频收信机的4阶切比雪夫有源RC滤波器,为消除工艺偏差和环境变化对截止频率的影响,提出片上数字控制频率调谐电路.采用TSMC0.25μm1P5MCMOS工艺进行制造,测得调谐锁定时,滤波器的截止频率为9MHz,通带增益为0dB,增益波动小于1dB,带外抑制在30MHz处小于-40dB,通带内噪声小于-142dBm/Hz,当两输入信号的功率为-10dBm时,三阶交调小于-70dBm.

光通信DWDM系统的100GHz窄带滤波片设计和研制

根据全介质F P多层介质薄膜滤波器的原理 ,设计并模拟计算了一种三腔 10 0GHz窄带通滤波片膜系结构 ,利用等离子辅助镀膜和光学监测技术 ,在F7玻璃衬底上完成了器件的制备 ,并解决了衬底减薄、抛光和后继镀膜等关键工艺 .光谱特性测量的结果表明 ,研制的器件将在光通信以及信息技术的其它领域具有重要的应用价值 .

单片硅酸镓镧晶体滤波器的研制

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧（La3Ga5SiO14,LGS）晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器。该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55~125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm。实验证明,LGS晶体温度性能好,机电耦合系数高,适合制作中等带宽的晶体滤波器,该研究填补了国内该领域的空白。

性能优良的新型E面金属膜片波导滤波器

针对目前一般的E面金属双膜片波导滤波器虽阻带性能优良却存在带宽较窄的缺点 ,对E面金属双膜片结构进行了分析。提出了一种在保持金属双膜片结构优良性能的基础上实现较宽带宽的E面结构。据此设计了一个阻带性能优良的Ka波段波导滤波器。