1.5 MeV He^+离子注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线

用1.5MeV He+离子注入半绝缘砷化镓晶体(SI-GaAs),以其为基体制成光电导天线。太赫兹时域光谱测量显示,以离子注入晶体为基体的光电导天线,其时域信号强度是未注入晶体的3倍,略强于以LT-GaAs晶体为基体的光电导天线,但拥有比LT-GaAs晶体为基体的光电导天线略宽的频谱宽度和相当的信噪比。实验结果表明,用1.5MeV He+室温注入SI-GaAs制备太赫兹光电导天线的最佳注量约为1×1016ions·cm-2。

2MeV He^+离子注入修复太赫兹发射源

为修复因加载过高外置偏压而被击穿的太赫兹光电导天线的发射晶体,采用离子注入法对光电导间隙区域进行了2MeVHe+离子注入处理。经过1016ions/cm2He+离子处理后,光电导天线的电阻由约800?变为60M?,基本恢复到了击穿前的水平。通过对比辐照前后太赫兹发射源在空气气氛中的时域谱和频域谱,发现离子辐照后太赫兹信号强度有了十分明显的增强,时域光谱峰值信号电流由辐照前的2nA增加到了辐照后的8nA,峰值功率增幅超过了一个量级,且发现处理后光电导天线的频谱相对于辐照前有了明显的展宽。