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Formation of Nanoscale Intermetallic Phases in Ni Surface Layer at High Intensity Implantation of Al Ions 被引量:1
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作者 I.A.Bozhko S.V.Fortuna +3 位作者 I.A.Kurzina I.B.Stepanov E.V.Kozlov Yu.P.Sharkeev 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第5期583-586,共4页
The results of experimental study of nanoscale intermetallic formation in surface layer of a metal target at ion implantation are presented. To increase the thickness of the ion implanted surface layer the high intens... The results of experimental study of nanoscale intermetallic formation in surface layer of a metal target at ion implantation are presented. To increase the thickness of the ion implanted surface layer the high intensive ion implantation is used. Compared with the ordinary ion implantation, the high intensive ion implantation allows a much thicker modified surface layer. Pure polycrystalline nickel was chosen as a target. Nickel samples were irradiated with Al ions on the vacuum-arc ion beam and plasma flow source 'Raduga-5'. It was shown that at the high intensity ion implantation the fine dispersed particles of Ni3AI, NiAl intermetallic compounds and solid solution Al in Ni are formed in the nickel surface layer of 200 nm and thicker. The formation of phases takes place in complete correspondence with the Ni-AI phase diagram. 展开更多
关键词 high intensive ion implantation ion-plasma source Intermetallic nanophases
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Progress in particle-beam-driven inertial fusion research: Activities in Japan 被引量:2
2
作者 Kazuhiko Horioka 《Matter and Radiation at Extremes》 SCIE EI CAS 2018年第1期12-27,共16页
Research activities in Japan relevant to particle beam inertial fusion are briefly reviewed.These activities can be ascended to the 1980s.During the past three decades,significant progress in particle beam fusion,puls... Research activities in Japan relevant to particle beam inertial fusion are briefly reviewed.These activities can be ascended to the 1980s.During the past three decades,significant progress in particle beam fusion,pulsed power systems,accelerator schemes for intense beams,target physics,and high-energy-density physics research has been made by a number of research groups at universities and accelerator facilities in Japan.High-flux ions have been extracted from laser ablation plasmas.Controllability of the ion velocity distribution in the plasma by an axial magnetic and/or electric field has realized a stable high-flux low-emittance beam injector.Beam dynamics have been studied both theoretically and experimentally.The efforts have been concentrated on the beam behavior during the final compression stage of intense beam accelerators.A novel accelerator scheme based on a repetitive induction modulator has been proposed as a cost-effective particle-beam driver scheme.Beam-plasma interaction and pulse-powered plasma experiments have been investigated as relevant studies of particle beam inertial fusion.An irradiation method to mitigate the instability in imploding target has been proposed using oscillating heavy-ion beams.The new irradiation method has reopened the exploration of direct drive scheme of particle beam fusion. 展开更多
关键词 Particle beam Inertial confinement fusion Pulse power Heavy ion Laser ion source Beam dynamics Final bunching Induction synchrotron high energy density Warm dense matter
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Lignin‐derived carbon with pyridine N‐B doping and a nanosandwich structure for high and stable lithium storage
3
作者 Dichao Wu Jiayuan Li +5 位作者 Yuying Zhao Ao Wang Gaoyue Zhang Jianchun Jiang Mengmeng Fan Kang Sun 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期232-247,共16页
Biomass‐derived carbon is a promising electrode material in energy storage devices.However,how to improve its low capacity and stability,and slow diffusion kinetics during lithium storage remains a challenge.In this ... Biomass‐derived carbon is a promising electrode material in energy storage devices.However,how to improve its low capacity and stability,and slow diffusion kinetics during lithium storage remains a challenge.In this research,we propose a“self‐assembly‐template”method to prepare B,N codoped porous carbon(BN‐C)with a nanosandwich structure and abundant pyridinic N‐B species.The nanosandwich structure can increase powder density and cycle stability by constructing a stable solid electrolyte interphase film,shortening the Li^(+) diffusion pathway,and accommodating volume expansion during repeated charging/discharging.The abundant pyridinic N‐B species can simultaneously promote the adsorption/desorption of Li^(+)/PF_(6)^(−) and reduce the diffusion barrier.The BN‐C electrode showed a high lithium‐ion storage capacity of above 1140 mAh g^(−1) at 0.05 A g^(−1) and superior stability(96.5% retained after 2000 cycles).Moreover,owing to the synergistic effect of the nanosandwich structure and pyridinic N‐B species,the assembled symmetrical BN‐C//BN‐C full cell shows a high energy density of 234.7Wh kg^(−1),high power density of 39.38 kW kg−1,and excellent cycling stability,superior to most of the other cells reported in the literature.As the density functional theory simulation demonstrated,pyridinic N‐B shows enhanced adsorption activity for Li^(+) and PF_(6)^(−),which promotes an increase in the capacity of the anode and cathode,respectively.Meanwhile,the relatively lower diffusion barrier of pyridinic N‐B promotes Li^(+) migration,resulting in good rate performance.Therefore,this study provides a new approach for the synergistic modulation of a nanostructure and an active site simultaneously to fabricate the carbon electrode material in energy storage devices. 展开更多
关键词 high cycling stability high energy density lithium‐ion batteries pyridinic N‐B species sandwich structure carbon nanosheet
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Pion transverse-momentum spectrum, elliptic flow, and Hanbury-Brown-Twiss interferometry in a viscous granular source model
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作者 Jing Yang Wei-Ning Zhang Yan-Yu Ren 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2017年第8期78-92,共15页
We examine the evolution of quark-gluon plasma(QGP) droplets with viscous hydrodynamics and analyze the pion transverse-momentum spectrum, elliptic flow, and Hanbury-Brown-Twiss(HBT) interferometry in a granular s... We examine the evolution of quark-gluon plasma(QGP) droplets with viscous hydrodynamics and analyze the pion transverse-momentum spectrum, elliptic flow, and Hanbury-Brown-Twiss(HBT) interferometry in a granular source model consisting of viscous QGP droplets. The shear viscosity of the QGP droplet speeds up and slows down the droplet evolution in the central and peripheral regions of the droplet, respectively. The effect of the bulk viscosity on the evolution is negligible. Although there are viscous effects on the droplet evolution, the pion momentum spectrum and elliptic flow change little for granular sources with and without viscosity. On the other hand,the influence of viscosity on HBT radius Rout is considerable. It makes Rout decrease in the granular source model.We determine the model parameters of granular sources using the experimental data of pion transverse-momentum spectrum, elliptic flow, and HBT radii together, and investigate the effects of viscosity on the model parameters. The results indicate that the granular source model may reproduce the experimental data of pion transverse-momentum spectrum, elliptic flow, and HBT radii in heavy-ion collisions of Au-Au at√s(NN)=200 GeV and Pb-Pb at√s(NN) =2.76 Te V in different centrality intervals. The viscosity of the droplet leads to an increase in the initial droplet radius and a decrease of the source shell parameter in the granular source model. 展开更多
关键词 high-energy heavy-ion collisions pion interferometry elliptic flow granular source viscous hydrodynamics
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低能离子注入诱变法选育新硫肽类抗生素166A高产菌株
5
作者 戴剑漉 李艳青 +3 位作者 李欣 蒋忠科 赫卫清 孙承航 《中国抗生素杂志》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期995-1003,共9页
目的为进一步提高产量,以小单孢菌Micromonospora sp.TMD166-MU1为出发菌株,采用低能离子注入技术,研究不同离子注入参数对菌株存活率、正负突变率的影响,通过突变株抑菌活性变势参数分析,初步探讨N+离子注入对166A生产菌所产生的诱变效... 目的为进一步提高产量,以小单孢菌Micromonospora sp.TMD166-MU1为出发菌株,采用低能离子注入技术,研究不同离子注入参数对菌株存活率、正负突变率的影响,通过突变株抑菌活性变势参数分析,初步探讨N+离子注入对166A生产菌所产生的诱变效果,并结合卡那霉素抗性筛选及牛津杯固体发酵高通量筛选,获得高产菌株。方法利用低能N+离子注入技术对出发菌株TMD166-MU1的孢子进行辐照诱变,以卡那霉素耐受性为选择压力,不同诱变条件处理的菌悬液涂布在含有卡那霉素培养基平板上培养后获得单菌落,并以牛津杯固体发酵高通量筛选方法进行高产菌株初筛,之后对高产菌株进行摇瓶复筛,利用高效液相法检测突变株摇瓶发酵的化学效价。结果通过研究30和60 keV能量下不同注入剂量与小单孢菌正突变率的生物学效应关系,确定了在注入能量为30 keV、注入剂量4×10^(13)ions/cm^(2)、卡那霉素抗性筛选浓度为6 mg/L条件下,可获得最高达36.33%的正突变率。复筛效价是出发菌株1.5倍以上的有4株,其中突变株IK-3的166A产量是菌株TMD166-MU1的1.8倍。结论采用低能N+离子注入诱变方式,再结合抗生素抗性筛选及牛津杯固体发酵高通量筛选的集成方法能简单、高效地获得166A高产突变菌株。 展开更多
关键词 新硫肽类抗生素166A 低能离子注入 诱变 抗生素抗性筛选 高通量筛选 高产菌株
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国产碳化硅离子注入机的设计开发
6
作者 袁卫华 李进 +1 位作者 罗才旺 许波涛 《电子工业专用设备》 2024年第1期38-42,共5页
为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品... 为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当,能够满足SiC器件的生产要求。 展开更多
关键词 碳化硅 高能离子注入机 金属离子源 高温注入
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4117型串列加速器的运行和改进 被引量:2
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作者 王文勋 敫桂跃 +1 位作者 王广甫 董平 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期358-361,共4页
本文介绍了4117型串列加速器运行和改进。其中包括860型离子源电离器实验情况和从1988年以来高能离子注入实验情况。
关键词 串列加速器 离子源 高能离子注入 运行
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标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件 被引量:3
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作者 李淑萍 张志利 +3 位作者 付凯 于国浩 蔡勇 张宝顺 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期827-832,875,共7页
介绍了一种直接利用离子注入机对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的栅下进行氟(F)离子注入的方法,成功实现了增强型HEMT器件,阈值电压从耗尽型器件的-2.6 V移动到增强型器件的+1.9 V。研究了注入剂量对器件性能的影响,研究发现... 介绍了一种直接利用离子注入机对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的栅下进行氟(F)离子注入的方法,成功实现了增强型HEMT器件,阈值电压从耗尽型器件的-2.6 V移动到增强型器件的+1.9 V。研究了注入剂量对器件性能的影响,研究发现随着注入剂量的不断增加,阈值电压不断地正向移动,但由于存在高能F离子的注入损伤,器件的正向栅极漏电随着注入剂量的增加而不断上升,阈值电压正向移动也趋于饱和。因此,提出采用在AlGaN/GaN异质结表面沉积栅介质充当能量吸收层,降低离子注入过程中的损伤,成功实现了阈值电压为+3.3 V,饱和电流密度约为200 mA/mm,同时具有一个较高的开关比109的增强型金属-绝缘层-半导体HEMT(MIS-HEMT)器件。 展开更多
关键词 氮化镓 增强型 高电子迁移率晶体管(HEMT) 离子注入 能量吸收层
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高能磷离子注入硅晶格的损伤初探 被引量:1
9
作者 吴瑜光 张通和 孙贵如 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第9期522-526,共5页
对高能磷离子注入硅、低剂量迭加注入硅,高能低能双注入硅中引起的晶格损伤、二次缺陷形成及退火效应进行了初步探讨。
关键词 高能 离子注入 晶格损伤 二次缺陷 硅晶体
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透明陶瓷保护膜的研究 被引量:1
10
作者 陈宝清 吕传花 +1 位作者 董闯 黄龙 《真空》 CAS 北大核心 2004年第4期55-57,共3页
对黄铜基材装饰件表面先采用高能级磁控溅射离子镀 (专利号 :85 10 2 6 0 0 .1)技术镀不锈钢代替电镀钯 -镍合金 ,再采用等离子体型阴极弧源 -磁控溅射镀 (专利号 :ZL982 36 95 0 .6 )技术在不锈钢镀膜表面上镀制Ti N/ Au/透明陶瓷保护... 对黄铜基材装饰件表面先采用高能级磁控溅射离子镀 (专利号 :85 10 2 6 0 0 .1)技术镀不锈钢代替电镀钯 -镍合金 ,再采用等离子体型阴极弧源 -磁控溅射镀 (专利号 :ZL982 36 95 0 .6 )技术在不锈钢镀膜表面上镀制Ti N/ Au/透明陶瓷保护膜 Si O2 、Ti O2 。对其硬度。 展开更多
关键词 高能级磁控溅射离子镀 等离子体型阴极弧源 磁控溅射镀 不锈钢 透明陶瓷保护膜 离子掺金镀
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高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为 被引量:1
11
作者 李玉国 薛成山 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1534-1537,共4页
利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了 2 Me V Er+ 以不同剂量注入硅 (10 0 )所引起的辐射损伤及其退火行为 .采用多重散射模型计算了 2 Me V 1× 10 1 4/ cm2 注入硅 (10 0 )引起的损伤分布 ,并与 TRIM96模拟得到的结果进行了比较 .... 利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了 2 Me V Er+ 以不同剂量注入硅 (10 0 )所引起的辐射损伤及其退火行为 .采用多重散射模型计算了 2 Me V 1× 10 1 4/ cm2 注入硅 (10 0 )引起的损伤分布 ,并与 TRIM96模拟得到的结果进行了比较 .结果表明计算得到的损伤分布与 TRIM96模拟的损伤分布完全符合 ;实验结果表明 Me V Er+ 注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关 .随着退火温度的变化 ,注入剂量为 5× 10 1 4/ cm2 展开更多
关键词 高能离子注入 辐射损伤分布 退火 硅单晶
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高能同步辐射光源中的耦合阻抗及束流集体效应研究 被引量:2
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作者 王娜 许海生 +2 位作者 田赛克 段哲 李啸宇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1601-1606,共6页
在高能同步辐射光源(HEPS)的储存环中,由于真空盒尺寸较小、束团中电子密度较大,全环耦合阻抗将显著增加,束流集体效应成为限制机器性能的重要因素。本文基于解析理论和数值模拟程序对HEPS储存环耦合阻抗进行了逐元件建模,并对环中可能... 在高能同步辐射光源(HEPS)的储存环中,由于真空盒尺寸较小、束团中电子密度较大,全环耦合阻抗将显著增加,束流集体效应成为限制机器性能的重要因素。本文基于解析理论和数值模拟程序对HEPS储存环耦合阻抗进行了逐元件建模,并对环中可能发生的束流集体效应进行了系统评估。建立了合理的阻抗模型,给出了不稳定性阈值和增长时间,并对关键的不稳定性问题提出有效的抑制措施。 展开更多
关键词 高能同步辐射光源 耦合阻抗 束流集体效应 离子效应 束内散射
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表面纳米化对Dievar模具钢高能离子注渗WC层性能的影响 被引量:5
13
作者 王文权 桑娜 胡春华 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期75-86,共12页
通过超声表面滚压处理制备出具有梯度纳米结构表层的Dievar模具钢试样。在滚压试样和未滚压试样表面进行高能离子注渗(High energy ion implantation,HEII)工艺优化试验,制备出高能离子注渗碳化钨层,并从微观组织结构、成分、硬度和高... 通过超声表面滚压处理制备出具有梯度纳米结构表层的Dievar模具钢试样。在滚压试样和未滚压试样表面进行高能离子注渗(High energy ion implantation,HEII)工艺优化试验,制备出高能离子注渗碳化钨层,并从微观组织结构、成分、硬度和高温摩擦磨损性能等方面研究表面纳米化对于高能离子注渗碳化钨性能的影响。结果表明:与HEII试样相比,USRP+HEII试样的梯度纳米结构表层明显增强了高能离子注渗碳化钨的效果。相对于HEII试样,USRP+HEII试样的表面组织更加致密均匀,其注渗层深度提高了约27%;USRP+HEII试样的表面硬度为944.9 HV,分别较原始母材硬度和HEII试样表面硬度提高了约373%和27%;USRP+HEII试样的平均摩擦因数和体积磨损量在不同温度条件下低于HEII试样,说明USRP+HEII试样具有更加优良的抗高温磨损性能。 展开更多
关键词 Dievar模具钢 表面纳米化 高能离子注渗(HEII) 摩擦磨损
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MeV高能B离子注入Si的退火 被引量:2
14
作者 卢武星 钱亚宏 +1 位作者 卢殿通 王忠烈 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1988年第3期22-26,共5页
报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p^+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火... 报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p^+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义. 展开更多
关键词 高能注入 双重注入 增强退火 快速白光退火 MOS结构
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820离子源在600kV离子注入机上的应用
15
作者 关安民 孙义林 +2 位作者 耿海阳 李钧 蒋新元 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期229-232,共4页
文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。
关键词 离子源 离子注入机 离子品种 高能
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高能重离子辐照制备碳氮化合物材料研究
16
作者 王志光 宋银 +5 位作者 金运范 孙友梅 赵志明 刘杰 张崇宏 姚存峰 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期337-341,共5页
室温下,先用100—120keV的N离子注入类金刚石薄膜和石墨中,注入剂量5×1017至5×1018 cm-2,再用高能Xe、U、C60离子分别辐照注氮后的样品,然后用显微FTIR和Raman、XRD/XPS等手段进行分析表征,研究了实验样品中由辐照引起的新化... 室温下,先用100—120keV的N离子注入类金刚石薄膜和石墨中,注入剂量5×1017至5×1018 cm-2,再用高能Xe、U、C60离子分别辐照注氮后的样品,然后用显微FTIR和Raman、XRD/XPS等手段进行分析表征,研究了实验样品中由辐照引起的新化学键和新相的产生。实验结果显示,高能重离子辐照可在所有样品中产生大量的CN键,高N浓度和大密度能量沉积导致sp3/sp2键比率的增加以及形成α-和β-C3N4必需的N-sp3C键的量的增加。C60离子辐照在注氮石墨样品中引起了ta-C、N=sp2C和N-sp3C键的形成;而高能离子辐照在注氮类金刚石薄膜样品中产生了α-和β-C3N4晶态夹杂物,其尺寸在1.4—3.6nm之间。 展开更多
关键词 N离子注入 高能重离子辐照 类金刚石薄膜 石墨 碳氮化合物
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高能离子背散射研究钇离子注入H_(13)钢的抗氧化特性
17
作者 承焕生 何文权 +5 位作者 沈皓 汤家镛 张通和 谢晋东 姬成周 陈俊 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期193-198,共6页
用5.8MeV4He离子和3MeV质子背散射研究了强束流钇注入的H13钢的高温氧化特性,由直接测定氧化层中氧原子面密度得知经钇离子注入后在800℃氧化45min条件下抗氧化能力提高了25倍.观察到了元素铬在注钇氧化层... 用5.8MeV4He离子和3MeV质子背散射研究了强束流钇注入的H13钢的高温氧化特性,由直接测定氧化层中氧原子面密度得知经钇离子注入后在800℃氧化45min条件下抗氧化能力提高了25倍.观察到了元素铬在注钇氧化层中的富集以及氧离子在氧化过程中的扩散与未注入时有明显的区别. 展开更多
关键词 H13钢 离子注入 抗氧化特性 高能离子背散射
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氩离子等离子体源离子注入的数值模拟 被引量:1
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作者 吴丹 《湖南文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2008年第1期35-38,共4页
应用PIC-MCC方法模拟了氩离子等离子体源离子注入过程,考虑了离子与中性粒子的电荷交换碰撞和弹性散射,模拟了不同电压、不同气压及不同等离子体密度下氩离子到达靶表面的能量分布和入射角分布,讨论了碰撞对能量分布和入射角分布的影响.
关键词 等离子体源离子注入 PIC-MCC 入射角分布 能量分布
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高能Xe离子辐照引起的注碳a:SiO_2中新结构的形成
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作者 赵志明 王志光 +2 位作者 宋银 金运范 孙友梅 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期189-193,共5页
先用120 keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜,再用能量为1 754 MeV的Xe离子辐照。注碳量为5.0×1016—8.6×1017ion/cm2,Xe离子辐照剂量为1.0×1011和5.0×1011ion/cm2。辐照后的样品中形成的新结构用显微傅立叶变... 先用120 keV的碳离子注入非晶二氧化硅a:SiO2薄膜,再用能量为1 754 MeV的Xe离子辐照。注碳量为5.0×1016—8.6×1017ion/cm2,Xe离子辐照剂量为1.0×1011和5.0×1011ion/cm2。辐照后的样品中形成的新结构用显微傅立叶变换红外光谱仪进行测试分析。结果表明,Xe离子辐照引起了注碳a:SiO2中Si—C,C—C,Si—O—C键以及CO和CO2分子的形成与演化。在注碳量较高时,Xe离子辐照在样品中产生了大量的Si—C键。与注入未辐照和辐照的低注碳量样品比较,增强的Si—C键的形成,预示着辐照可引起注碳a:SiO2样品中的SiC结构相变。 展开更多
关键词 离子注入 高能离子辐照 a:SiO2 新结构
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高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究
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作者 俞跃辉 邹世昌 +1 位作者 周筑颖 赵国庆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期759-765,共7页
将能量分别为3MeV或5MeV,剂量为1×1016cm-2的砷离于注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层.本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学5向应.在500─4000cm-... 将能量分别为3MeV或5MeV,剂量为1×1016cm-2的砷离于注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层.本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学5向应.在500─4000cm-1波数范围的红外反射谱中观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象.应用计算机模拟红外反射谱获得了导电埋层中的载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率. 展开更多
关键词 离子注入 自由载流子 等离子效应 光学响应
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