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Characteristics of Resistance Triggering of a Pulsed Vacuum Arc Ion Source 被引量:1
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作者 蓝朝晖 龙继东 +4 位作者 郑乐 董攀 杨振 王韬 李杰 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第9期84-87,共4页
Triggering scheme is a significant factor that may influence the process of vacuum arc initiation. In this work, the characteristics of resistance triggering of a pulsed vacuum arc ion source are investigated and comp... Triggering scheme is a significant factor that may influence the process of vacuum arc initiation. In this work, the characteristics of resistance triggering of a pulsed vacuum arc ion source are investigated and compared with the independent pulse generator triggering. The results show that although the resistance triggering method is capable of triggering a vacuum arc ion source by properly choosing the resistance and electric parameters, it inevitably increases the rise time of the arc current. A high speed multiframe camera is used to reveal the transition process o~ arc initiation during one shot. From the images it is conjectured that the lower voltage between the cathode and the anode may be the reason that leads to the lower transition speed of discharge at the moment of arc initiation. 展开更多
关键词 In Characteristics of Resistance Triggering of a pulsed vacuum arc ion source arc
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Formation of Multicharged Metal Ions in Vacuum Arc Plasma Heated by Gyrotron Radiation 被引量:1
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作者 G. Yu. YUSHKOV K. P. SAVKIN +4 位作者 A. G. NIKOLAEV E. M. OKS A.V. VODOPYANOV I. V. IZOTOV D. A. MANSFELD 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第5期596-599,共4页
A new method for the generation of high charged state metal ion beams is developed. This method is based on microwave heating of vacuum arc plasma in a magnetic trap under electron cyclotron resonance (ECR) conditio... A new method for the generation of high charged state metal ion beams is developed. This method is based on microwave heating of vacuum arc plasma in a magnetic trap under electron cyclotron resonance (ECR) conditions. Two gyrotrons for plasma heating were used, which were with the following parameters. The first is with a wave frequency of 37.5 GHz, a pulse duration of 1 ms and power of 100 kW, another is with 75 GHz, 0.15 ms and 400 kW. Two different magnetic traps were considered for vacuum arc plasma confinement. The first one is a simple mirror trap. Such system was already investigated and could provide high charge state ions. The second trap was with a cusp magnetic field configuration with native "minimum-B" field structure. Two different ways of metal plasma injection into the magnetic trap were used. The first one is an axial injection from an arc source located out of the trap, and the second is a radial injection from four arc sources mounted at the center of the trap. Both traps provide up to 200 eMA of ion beam current for platinum ions with highest charge state 10+. Ion beams were successfully extracted from the plasma and accelerated by a voltage of up to 20 kV. 展开更多
关键词 ion source ECR heating vacuum arc multicharged ions
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Development and experimental study of large size composite plasma immersion ion implantation device
3
作者 宋法伦 李飞 +5 位作者 朱明冬 王浪平 张北镇 龚海涛 甘延青 金晓 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第1期90-94,共5页
Plasma immersion ion implantation (PI) overcomes the direct exposure limit of traditional beam- line ion implantation, and is suitable for the treatment of complex work-piece with large size. Pm technology is often ... Plasma immersion ion implantation (PI) overcomes the direct exposure limit of traditional beam- line ion implantation, and is suitable for the treatment of complex work-piece with large size. Pm technology is often used for surface modification of metal, plastics and ceramics. Based on the requirement of surface modification of large size insulating material, a composite full-directional PHI device based on RF plasma source and metal plasma source is developed in this paper. This device can not only realize gas ion implantation, but also can realize metal ion implantation, and can also realize gas ion mixing with metal ions injection. This device has two metal plasma sources and each metal source contains three cathodes. Under the condition of keeping the vacuum unchanged, the cathode can be switched freely. The volume of the vacuum chamber is about 0.94 m3, and maximum vacuum degree is about 5 x10-4 Pa. The density of RF plasma in homogeneous region is about 109 cm-3, and plasma density in the ion implantation region is about 101x cm-3. This device can be used for large-size sample material PHI treatment, the maximum size of the sample diameter up to 400 mm. The experimental results show that the plasma discharge in the device is stable and can run for a long time. It is suitable for surface treatment of insulating materials. 展开更多
关键词 plasma immersion ion implantation cathode arc metal plasma source RF plasmasource surface modification
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Hybrid Method for the Formation of Biocomposites on the Surface of Stainless Steel Implants
4
作者 Sergei I. Tverdokhlebov Viktor P. Ignatov +2 位作者 Igor B. Stepanov Denis O. Sivin Danila G. Petlin 《Engineering(科研)》 2012年第10期613-618,共6页
This study reports a hybrid method which allows the formation of biocomposites on stainless steel implants. The main idea of the method is to create multilayer coatings consisting of titanium primer layer and a microa... This study reports a hybrid method which allows the formation of biocomposites on stainless steel implants. The main idea of the method is to create multilayer coatings consisting of titanium primer layer and a microarc calcium-phosphate coating. The titanium layer is deposited from plasma of continuous vacuum-arc discharge, and calcium-phosphate coating is formed by the microarc oxidation technique. The purpose of the hybrid method is to combine the properties of good strength stainless steel with high bioactivity of calcium-phosphate coating. This paper describes the chemical composition, morphology characteristics, adhesion and the ability of the formed biocomposites to stimulate the processes of osteoinduction. It is expedient to use such biocomposites for implants which carry heavy loads and are intended for long-term use, e.g. total knee endoprosthesis. 展开更多
关键词 BIOCOMPOSITE STAINLESS Steel Titanium vacuum-arc Deposition of Coatings SHORT-pulse High-Frequency Plasma-Immersion ion Implantation Microarc Oxidation Implant
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9Cr18轴承钢的金属离子加氮离子复合注入处理新工艺 被引量:14
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作者 汤宝寅 王松雁 +4 位作者 王晓峰 甘孔银 曾照明 田修波 Paul K.Chu 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2000年第4期24-28,共5页
简单地叙述了金属等离子体浸没离子注入与沉积(MePIIID)表面处理新工艺的发展,以及MePIIID工艺对于脉冲阴极弧金属等离子体源的要求。详细报导了9Cr18轴承钢样品的氮离子注入表面处理工艺以及金属离子加氮离子复合注入处理新工艺。... 简单地叙述了金属等离子体浸没离子注入与沉积(MePIIID)表面处理新工艺的发展,以及MePIIID工艺对于脉冲阴极弧金属等离子体源的要求。详细报导了9Cr18轴承钢样品的氮离子注入表面处理工艺以及金属离子加氮离子复合注入处理新工艺。对被处理和未被处理试样进行了显微硬度、磨痕、摩擦因数及腐蚀特性测试后表明:用金属离子加氮离子复合注入处理的9Cr18钢试样的表面特性改善明显优于只用氮离子处理的试样,证明脉冲阴极弧金属等离子体源和气体等离子体浸没离子注入相结合是现代材料表面强化的一个很有效的手段。 展开更多
关键词 金属离子 氮离子 离子注入 表面改性 轴承钢
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复合离子束制备氮化物多层膜的抗冲蚀性能 被引量:6
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作者 金杰 王丽叶 +3 位作者 黄晓林 孟祥宇 陈蕴博 高克玮 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期32-38,共7页
为了在TC4钛合金上获得抗冲蚀性能优良的膜层,利用金属蒸发真空多弧(Metal evaporation vacuum arc,MEVVA)离子源和阴极真空磁过滤弧复合离子束沉积技术在TC4钛合金基材表面制备Cr/Cr-N、Ti/Ti-N、Cr-Ti/Cr-Ti-N、Ti-Al/Ti-Al-N 4种体... 为了在TC4钛合金上获得抗冲蚀性能优良的膜层,利用金属蒸发真空多弧(Metal evaporation vacuum arc,MEVVA)离子源和阴极真空磁过滤弧复合离子束沉积技术在TC4钛合金基材表面制备Cr/Cr-N、Ti/Ti-N、Cr-Ti/Cr-Ti-N、Ti-Al/Ti-Al-N 4种体系的多层膜。采用努普显微硬度计、划痕仪、微粒喷浆冲蚀试验机、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、体式显微镜等仪器对不同体系膜层的力学性能及形貌进行测试表征,对比研究各膜层体系抗冲蚀性能的机理。结果表明:该技术制备的膜层致密、交替层结构明显;不同膜层体系的抗冲蚀性能差异较大,尤以二元金属及其氮化物交替复合多层膜具有较好的抗冲蚀性能,其中CrTi/Cr-Ti-N体系的膜层抗冲蚀性能相比基体提高10.1倍以上,其次为Ti-Al/Ti-Al-N、Ti/Ti-N、Cr/Cr-N,分别提高6.1倍、4.1倍和2.3倍。 展开更多
关键词 MEVVA离子源 阴极真空磁过滤 多元氮化物 抗冲蚀
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用于材料表面强化处理的第三代多功能PⅢ装置 被引量:6
7
作者 汤宝寅 王浪平 +5 位作者 王小峰 甘孔银 王松雁 朱剑豪 黄楠 孙鸿 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期690-694,共5页
第三代多功能等离子体浸没离子注入 (PIII)装置的强流脉冲阴极弧金属等离子体源既具有强的镀膜功能 ,同时也具有强的金属离子注入功能 ;它的脉冲高压电源能输出大的电流 ;并可获得高的注入剂量均匀性。该装置既能执行离子注入 ,又能把... 第三代多功能等离子体浸没离子注入 (PIII)装置的强流脉冲阴极弧金属等离子体源既具有强的镀膜功能 ,同时也具有强的金属离子注入功能 ;它的脉冲高压电源能输出大的电流 ;并可获得高的注入剂量均匀性。该装置既能执行离子注入 ,又能把离子注入与溅射沉积 ,镀膜结合在一起 ,形成多种综合性表面改性工艺。本文描述了它的主要设计原则、主要部件的特性以及近期的研究工作成果。 展开更多
关键词 表面强化处理 多功能PⅢ装置 等离子体浸没离子注入 表面改性 强流脉冲阴极弧金属等离子体源 金属材料
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脉冲熔化极气体保护焊焊接电源—电弧系统建模与仿真 被引量:5
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作者 华学明 宋政 +2 位作者 李芳 吴毅雄 樊勇 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期78-82,87,共6页
因脉冲熔化极气体保护焊(Pulse gas metal arc welding,GMAW-P)焊接电弧负载非线性与时变性的特点,GMAW-P焊接电源-电弧系统的研究、设计及其控制参数的选定有其固有的难点。采用基于Matlab/Simulink扩展工具S函数模块设计技术,建立GMA... 因脉冲熔化极气体保护焊(Pulse gas metal arc welding,GMAW-P)焊接电弧负载非线性与时变性的特点,GMAW-P焊接电源-电弧系统的研究、设计及其控制参数的选定有其固有的难点。采用基于Matlab/Simulink扩展工具S函数模块设计技术,建立GMAW-P焊接电源-电弧系统动态仿真模型。基于所建立的仿真模型,在完成对控制器参数优化设计的同时,实现对GMAW-P电源-电弧系统的抗弧长干扰仿真研究。试验证明,仿真计算结果和试验结果具有较好的一致性,验证了所建仿真模型的正确性、控制系统调节器优化参数的适应性及电源控制系统的动态性能,为GMAW-P焊接电源-电弧系统仿真建模研究及控制器参数的优化设计提供了新的途径。 展开更多
关键词 脉冲熔化极气体保护焊 电源 电弧 MATLAB仿真
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真空弧离子源的电阻触发工作方式 被引量:3
9
作者 郑乐 蓝朝晖 +5 位作者 龙继东 彭宇飞 李杰 杨振 董攀 石金水 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期20-23,共4页
介绍了真空弧离子源的一种电阻触发工作方式。有别于典型金属蒸汽真空弧(Metal vapor vacuum arc,MEVVA)离子源的触发工作方式,该方式不需要高压触发脉冲发生器和高压隔离脉冲变压器,简化了电源系统。实验测量了采用电阻触法20-200A主... 介绍了真空弧离子源的一种电阻触发工作方式。有别于典型金属蒸汽真空弧(Metal vapor vacuum arc,MEVVA)离子源的触发工作方式,该方式不需要高压触发脉冲发生器和高压隔离脉冲变压器,简化了电源系统。实验测量了采用电阻触法20-200A主弧电流下的引出离子流,结果表明离子流随主弧流增大。研究了不同阻值触发电阻的起弧情况,实验结果表明在一定电阻阻值范围内,触发电阻越大,触发越难成功。电阻增大使得触发时间增长,主弧上升沿变缓,但是对引出的离子流几乎没有影响。 展开更多
关键词 真空弧 离子源 触发 离子流
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基于磁偏转的真空弧离子源成分诊断 被引量:2
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作者 郑乐 龙继东 +2 位作者 董攀 蓝朝晖 彭宇飞 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期28-32,共5页
采用磁偏转的方法,对金属氢化物电极真空弧离子源放电产生的等离子体进行了成分诊断。采用了Ti D2电极材料进行放电,测量了在30-80 A弧流情况下的各离子的组分。实验结果表明,弧流越大时等离子体的密度越大,在现有引出结构下,由于等离... 采用磁偏转的方法,对金属氢化物电极真空弧离子源放电产生的等离子体进行了成分诊断。采用了Ti D2电极材料进行放电,测量了在30-80 A弧流情况下的各离子的组分。实验结果表明,弧流越大时等离子体的密度越大,在现有引出结构下,由于等离子体发射面的凹凸变化导致测得的离子信号出现双峰。通过增加栅网可以减少等离子密度,双峰情况会有所减少。另外,随着弧流增大,氘所占比例会有所增加,弧流达到60 A以上氘含量增幅不明显。 展开更多
关键词 真空弧 金属氢化物 离子源 离子种类
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条纹相机在真空弧离子源等离子体诊断中的应用 被引量:5
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作者 唐建 卢彪 +3 位作者 伍春雷 邓春凤 胡永宏 温中伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期188-192,共5页
针对真空弧离子源,利用条纹相机将时间轴信息转换为空间轴信息的特点,结合光谱仪分光功能,建立了一套高时间分辨与光谱分辨能力的发射光谱诊断装置,其时间分辨率和光谱分辨率分别可达26ps与0.1nm。利用该诊断装置采集获得了单次脉冲内... 针对真空弧离子源,利用条纹相机将时间轴信息转换为空间轴信息的特点,结合光谱仪分光功能,建立了一套高时间分辨与光谱分辨能力的发射光谱诊断装置,其时间分辨率和光谱分辨率分别可达26ps与0.1nm。利用该诊断装置采集获得了单次脉冲内等离子体的时间演化特性;同时,基于局域热力学平衡等离子体的发射光谱理论,建立了一套谱线拟合的等离子体温度与密度计算模型。相比传统的Boltzmann斜率法与Stark展宽法需要寻找孤立的不受附近谱线叠加的干净线状光谱,建立的拟合光谱模型可以直接处理多条谱线因为展宽效应而叠加形成的光谱线型,计算得到等离子体中电子温度与电子密度。结果表明,在脉冲功率源的作用下,真空弧放电等离子体的电子温度与电子密度分别可达1eV与3.5×1024 m-3。 展开更多
关键词 条纹相机 真空弧离子源 发射光谱拟合 电子温度 电子密度 时间分辨
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真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为 被引量:3
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作者 唐平瀛 戴晶怡 +3 位作者 谈效华 金大志 刘铁 丁伯南 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期217-220,共4页
采用高速摄影和光谱诊断的方法研究了真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为。拍摄了离子源放电瞬间吸氢电极上阴极斑的形成过程,分析了不同放电电流时阴极斑的发射光谱。实验结果表明,当脉冲工作电流为 101—102 A 时,真空弧离子源放电... 采用高速摄影和光谱诊断的方法研究了真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为。拍摄了离子源放电瞬间吸氢电极上阴极斑的形成过程,分析了不同放电电流时阴极斑的发射光谱。实验结果表明,当脉冲工作电流为 101—102 A 时,真空弧离子源放电区一般只有单个阴极斑,阴极斑的位置在同一次放电中的变化很小;较大的脉冲工作电流有利于提高阴极斑的温度,并最终导致氢离子浓度的增加,但也会使阴极材料的溅射更加严重,造成离子源等离子体品质下降。 展开更多
关键词 真空弧离子源 阴极斑 高速摄影 光谱诊断
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Al离子注入对SiC-C/SiC复合材料抗氧化性能影响研究 被引量:3
13
作者 马国佳 刘亮 +2 位作者 武洪臣 张华芳 彭丽平 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期136-138,共3页
用金属真空阴极弧(MEVVA)离子源对SiC-C/SiC复合材料进行Al离子注入来改善其抗氧化性能。通过俄歇电子能谱和扫描电镜分别对复合材料的Al离子浓度分布及表面形貌进行了表征,并在1300℃的空气中进行了氧化实验,结果表明Al离子注入能够有... 用金属真空阴极弧(MEVVA)离子源对SiC-C/SiC复合材料进行Al离子注入来改善其抗氧化性能。通过俄歇电子能谱和扫描电镜分别对复合材料的Al离子浓度分布及表面形貌进行了表征,并在1300℃的空气中进行了氧化实验,结果表明Al离子注入能够有效改善复合材料的抗氧化性能而不影响它的力学性能。 展开更多
关键词 真空弧离子源 SiC-C/SiC 铝离子注入 氧化实验
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胡椒孔法在强流脉冲离子束中的发射度测量 被引量:4
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作者 柯建林 周长庚 邱瑞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期2067-2070,共4页
真空弧离子源的引出束流具有低能、强流等特点,当离子源工作在单脉冲模式时,被广泛采用的缝-杯式和Alison式发射度测量方法不再适用。采用基于成像板的胡椒孔法测量了真空弧离子源的发射度。初步研制了胡椒孔法发射度测量装置,利用该装... 真空弧离子源的引出束流具有低能、强流等特点,当离子源工作在单脉冲模式时,被广泛采用的缝-杯式和Alison式发射度测量方法不再适用。采用基于成像板的胡椒孔法测量了真空弧离子源的发射度。初步研制了胡椒孔法发射度测量装置,利用该装置测量了引出电压为64 kV时脉冲束流的发射度和发射相图。在x方向和y方向,测得归一化均方根发射度分别为6.41,4.61π.mm.mrad。测量结果表明该真空弧离子源在64 kV时的归一化发射度远大于其他类型的离子源的发射度。 展开更多
关键词 发射度测量 真空弧离子源 胡椒孔 单脉冲束
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真空弧氘离子源中杂质氕对束流品质的影响 被引量:2
15
作者 唐平瀛 石磊 +1 位作者 谈效华 戴晶怡 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2004年第z1期54-57,共4页
分析了真空弧氘离子源中杂质的主要构成,并着重分析了杂质氕的成因及其对氘离子源性能的影响。对单次脉冲和低重复频率脉冲工作状态下的真空弧氘离子源进行了光谱诊断实验和核反应分析实验,结果表明,氘离子源等离子体中的确含有较多的... 分析了真空弧氘离子源中杂质的主要构成,并着重分析了杂质氕的成因及其对氘离子源性能的影响。对单次脉冲和低重复频率脉冲工作状态下的真空弧氘离子源进行了光谱诊断实验和核反应分析实验,结果表明,氘离子源等离子体中的确含有较多的杂质氕,可对氘离子源的引出束流品质产生较大的危害。并对如何减小杂质氕的影响提出了建议。 展开更多
关键词 真空弧 氘离子源 杂质
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离子束流剖面分布离线诊断方法探索 被引量:2
16
作者 杨振 龙继东 +3 位作者 蓝朝晖 李杰 刘平 石金水 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期41-45,共5页
提出了一种基于二次离子质谱分析技术的离子束流剖面分布的离线诊断方法,具有分辨率高、可同时给出束流剖面分布和成分信息的特点。利用数值模拟方法对该诊断方法的可行性进行了分析和讨论,并结合原理实验给出了验证结果。结果表明:该... 提出了一种基于二次离子质谱分析技术的离子束流剖面分布的离线诊断方法,具有分辨率高、可同时给出束流剖面分布和成分信息的特点。利用数值模拟方法对该诊断方法的可行性进行了分析和讨论,并结合原理实验给出了验证结果。结果表明:该方法可以用于真空密封型中子发生器离子束流剖面分布的诊断,能够成为其他诊断方法的验证手段和有力补充。 展开更多
关键词 真空密封型中子发生器 真空弧离子源 束流剖面 二次离子质谱分析
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含氘电极真空弧等离子体空间分布特性诊断研究 被引量:1
17
作者 李杰 郑乐 +3 位作者 董攀 龙继东 王韬 刘飞翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期27-33,共7页
真空弧放电等离子体含有多种离子成分,并且各离子在空间上具有不同的分布规律.本文针对金属氘化物电极真空弧离子源,搭建了一台紧凑型磁分析装置,用来研究放电等离子体中氘离子与金属离子的空间分布.当离子源弧流为100 A左右时,该装置... 真空弧放电等离子体含有多种离子成分,并且各离子在空间上具有不同的分布规律.本文针对金属氘化物电极真空弧离子源,搭建了一台紧凑型磁分析装置,用来研究放电等离子体中氘离子与金属离子的空间分布.当离子源弧流为100 A左右时,该装置能有效地传输引出束流,并且具有较好的二次电子抑制效果,可准确获得各离子流强.利用该装置测量并获得了氘化钛含氘电极真空弧放电等离子体内氘离子和钛离子空间分布规律,结果表明:径向上,氘离子和钛离子都呈高斯分布,但氘离子分布均匀,而钛离子相对集中在轴线附近,导致轴线附近氘离子比例最低;轴向上,所有离子数量都以自然指数函数减少,而且相对幅度接近,所以氘离子比例几乎不变.本文研究结果不仅有助于理解真空弧放电等离子体膨胀过程,还可以指导金属氘化物电极真空弧离子源及其引出设计. 展开更多
关键词 真空弧离子源 金属氘化物 磁质谱 离子空间分布
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基于新型金属氘化物电极的真空弧离子源性能研究 被引量:2
18
作者 吕会议 王韬 +3 位作者 杨振 董晨阳 徐浩博 董攀 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期64-68,共5页
采用金属氘化物电极的真空弧离子源,可产生强流氘离子束,在中子发生器、强流加速器等领域有着广泛的应用前景。本文针对一种新型金属氘化物材料(Zr0.45Ti0.5Cu0.05Dx),研究了基于该材料制作的电极源片,及其表面状态和晶体结构,并通过磁... 采用金属氘化物电极的真空弧离子源,可产生强流氘离子束,在中子发生器、强流加速器等领域有着广泛的应用前景。本文针对一种新型金属氘化物材料(Zr0.45Ti0.5Cu0.05Dx),研究了基于该材料制作的电极源片,及其表面状态和晶体结构,并通过磁质谱分析方法研究了采用该电极源片的真空弧离子源放电性能。研究结果表明:这种新型金属氘化物材料吸氘(金属氘原子比约1:(1.6~1.7))前后体涨约18%,表面无宏观裂纹;微观下存在微细裂纹,裂纹宽度均小于100 nm。离子源放电获得的氘离子成分比例较普通氘化钛电极情况稳定性高。另外,随着放电弧流的增加,氘离子比例有所下降,表明大放电弧流下,源片中低熔点的铜元素气化量增大,降低了氘原子的电离效率。本文研究为基于金属氘化物电极的真空弧离子源电极材料选择提供了一种新的选择。 展开更多
关键词 真空弧离子源 金属氘化物电极 磁质谱 氘离子比例
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脉冲偏压作用下MgO薄膜表面的荷电效应 被引量:1
19
作者 朱道云 郑昌喜 +3 位作者 王明东 陈弟虎 何振辉 闻立时 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期48-52,共5页
采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压作用下鞘层对离子的加速时间(即鞘层的寿命)与脉冲宽度的大小以及偏压鞘层的初始厚度与离子穿越的距离... 采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压作用下鞘层对离子的加速时间(即鞘层的寿命)与脉冲宽度的大小以及偏压鞘层的初始厚度与离子穿越的距离的大小,讨论了不同占空比下偏压鞘层对离子的加速效应。利用X射线衍射及扫描电子显微镜对样品的观察结果表明,由于荷电效应,脉冲偏压幅值为-150 V,占空比在10%~40%的范围内,占空比的变化并不能改变MgO薄膜的微观结构和表面形貌。 展开更多
关键词 脉冲偏压 电弧离子 荷电效应 MgO薄膜
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3Cr2W8V钢的钽、碳离子束材料改性 被引量:2
20
作者 杨建华 张通和 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期54-56,共3页
采用由金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流钽、碳离子对 3Cr2W8V钢进行离子注入表面改性研究。钽注入剂量为 3× 10 1 7cm- 2 ,引出电压为 42kV ,平均束流密度为 40 μA·cm- 2 。摩擦磨损试验结果表明 ,钽、碳离子双注入 3Cr2W8... 采用由金属蒸汽真空弧离子源引出的强束流钽、碳离子对 3Cr2W8V钢进行离子注入表面改性研究。钽注入剂量为 3× 10 1 7cm- 2 ,引出电压为 42kV ,平均束流密度为 40 μA·cm- 2 。摩擦磨损试验结果表明 ,钽、碳离子双注入 3Cr2W8V钢能使其耐磨性提高 2 5倍 ,并可大幅度降低其摩擦系数。利用卢瑟福背散射谱 (RBS)测量了离子注入表面的成分 ,借助X射线衍射 (XRD)仪考察了表层的相结构。 展开更多
关键词 3CR2W8V钢 碳离子束 材料 改性 离子注入材料 金属蒸汽真空弧离子源 热挤压 模具
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