基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电...基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电荷区密度影响的基础上 ,对 Si C JFET在室温和 30 0℃时的辐照响应进行了模拟。展开更多
针对目前物理建模方法参数获取困难、行为建模方法需要大量实验数据的问题,该文提出两种简单易用的考虑温度影响的Si C JFET功率器件Saber环境建模方法。模型I基于Saber软件提供的JFET模板实现,问题的难点转化为如何准确提取建模对象Si ...针对目前物理建模方法参数获取困难、行为建模方法需要大量实验数据的问题,该文提出两种简单易用的考虑温度影响的Si C JFET功率器件Saber环境建模方法。模型I基于Saber软件提供的JFET模板实现,问题的难点转化为如何准确提取建模对象Si C JFET的相关模板参数;模型II根据器件厂商提供的Si C JFET的PSpice模型,在Saber环境中搭建相应的电路实现,问题的难点转化为如何分析透彻器件厂商提供的模型中各参数的物理意义,并如何调整这些参数使其能准确模拟建模对象的静态和动态特性。该文详细阐述两种仿真模型的特点及具体实现方法,并从静态特性和动态特性两个方面,从仿真和实验两个角度,验证两种仿真模型的正确性和有效性,比较两种建模方法的适用性。展开更多
文摘基于沟道调制效应、串联电阻效应的考虑 ,首先建立了一个和实验室符合很好的 6H-Si C JFET的模型 ,在该模型中采用了两级电离杂质模型和 Caughey-Thomas方程 ,接着在分析中子辐照对 Si C JFET电参数如电子浓度、迁移率、电阻率和空间电荷区密度影响的基础上 ,对 Si C JFET在室温和 30 0℃时的辐照响应进行了模拟。
文摘针对目前物理建模方法参数获取困难、行为建模方法需要大量实验数据的问题,该文提出两种简单易用的考虑温度影响的Si C JFET功率器件Saber环境建模方法。模型I基于Saber软件提供的JFET模板实现,问题的难点转化为如何准确提取建模对象Si C JFET的相关模板参数;模型II根据器件厂商提供的Si C JFET的PSpice模型,在Saber环境中搭建相应的电路实现,问题的难点转化为如何分析透彻器件厂商提供的模型中各参数的物理意义,并如何调整这些参数使其能准确模拟建模对象的静态和动态特性。该文详细阐述两种仿真模型的特点及具体实现方法,并从静态特性和动态特性两个方面,从仿真和实验两个角度,验证两种仿真模型的正确性和有效性,比较两种建模方法的适用性。