ZEN9——提高JFET放大器的性能

简介 在ZEN8中，我们尝试使用功率型JFET来设计放大器。ZV8是一部简单的单级增益放大器，电路的核心由一只Lovoltech（现已更名为Qspeed）生产的LU1014D场效应管构成。在本文中，我们将对这个电路提出四个改进方案，以此来大幅度提高ZV8的性能。

正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤

对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。

JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性

本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(1、0.1、0.01及10-4、6.4×10-5Gy(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究。结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的“后损伤”现象。文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨。

内置式驻极体麦克风放大器将取代传统JFET前置放大器

美国国家半导体公司在不到一年的时间中。陆续推出的LMV1012系列和LMV1014驻极体麦克风内置音频放大器芯片。是为取代、JFET前置放大器而专门设计的。毫无疑问。JFET驻极体电容器麦克风(ECM)将很快成为历史。LMV1012系列和LMV1014高增益和微功耗小格式因数(Small Form Factor)

OPA653／659：JFET输入放大器

TI推出OPA653与OPA659JFET输入运算放大器，其可实现2675V／us压摆率，从而可提高脉冲响应。上述放大器将宽带电压反馈放大器与高阻抗JFET输入级完美结合，可通过其高频率带宽和低总谐波失真充分满足频率域与FET分析的需求。

低噪声放大器在低频中的应用研究

通过电压噪声和电流噪声对放大器的影响分析,对三种型式芯片低噪声放大器(双载子、JFET和CMOS)进行比较.分析了这些放大器的优点和不足,以寻求低噪声放大器在低频中的最佳选择.针对三种放大器的噪声输入实际检测数据的分析,以提供低频模拟应用最佳的噪声效能组合.

放大器

市场上的高精密低功耗JFET放大器；24MHz带宽CMOSR-R输入输出精密运算放大器；