JT—60U上用基于负离子的中性束注入（NBI）来加热和进行非感应电流驱动

在JT－60U上已全面研究了基于负主了子的中性束注入（NBI）电流驱动和加热性能。根据注入的中性束（350keV)的射穿测量已证实，高能粒子的电离过程中多级电离过程是主要的。实验已测出基于负离子的NB（N－NB）驱动的电流密度分布。与理论预言良好一致，且在EB＝360keV、PINJ＝3．7MW时，N－NB驱动的电流达0．6MA。电流驱动效率ηCD通过升高电子温度而提高，通过增加束能而改善。来自N－NB的快离子在由于反剪切等离子体的极向磁场而引起的约束增强的芯部被完全约束。在以N－NB为主的加热下实现了H模式的明显转变，其中H模式转变所需要的净吸收功率类似于以前在JT－60U上用低能束（90keV）获得的结果。在N－NBI强电子加热（80％被电子吸收）下，在稳态ELMy阶段获得，当Tc(0)＝1．4Ti（0）时H因子（＝τE／τE^ITER－89PL）为1．64。