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K_2O-SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷电性能的复阻抗分析 被引量:1
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作者 胡素梅 陈海波 傅刚 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第2期50-52,共3页
采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-L iZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,通过复阻抗分析方法,研究了材料的电性能,并进一步分析了试样在不同湿度中的导电机理和等效电路。结果表明:K+液相掺杂的摩尔分数为10%时可... 采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-L iZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K+对材料湿敏特性的影响,通过复阻抗分析方法,研究了材料的电性能,并进一步分析了试样在不同湿度中的导电机理和等效电路。结果表明:K+液相掺杂的摩尔分数为10%时可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性。复阻抗分析表明:试样的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化,且试样在低湿时主要以电子导电为主,高湿时以离子导电为主。 展开更多
关键词 湿敏陶瓷 K^+液相掺杂 复阻抗分析 导电机理
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