Al，Ti，Cu，Mo原子的K壳层电离截面的理论计算

电子离子碰撞过程是模拟激光等离子体的超热电子的能谱和产额的主要过程之一。基于相对论性的电子离子碰撞的K壳层的电离截面理论,计算了Al,Ti,Cu,Mo原子的K壳层的电子离子碰撞截面,结果和最近的文献实验数值和其它理论数值进行了比较,计算结果可用来模拟激光等离子体的超热电子能谱和产额。

Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag原子的K壳层电离截面的理论计算

利用修改后的MBELL模型,研究K壳层的相对论效应和离子效应对快电子离子碰撞电离K壳层产生截面的影响;在BELL模型中,引入相对论效应和离子效应,基于相对论效应的K壳层电子离子碰撞电离截面的理论,计算Ca,Ti,Cu,Ge,Mo和Ag的K壳层电子碰撞电离截面。研究结果表明:考虑到相对论效应和离子效应后,修改后的MBELL的K壳层产生截面的结果明显优于BELL的计算结果和其他半经验公式的计算结果,其计算结果可用来模拟K壳层激光等离子体的超热电子能谱和产额,且可为一些电子仪器的制造提供精确的碰撞电离参数。

电子原子碰撞K壳层电离截面研究(英文)

近年来,研究组发展了一套利用厚衬底薄靶测量电子原子碰撞内壳层电离截面的方法.该方法具有避免制作自支撑薄靶困难的优点.最近,又采取了一些措施来提高该方法测量数据的精度.首先评述了近年来该领域的一些研究进展,并通过测量Cr元素在小于26keV能量范围K壳层电离截面的例子介绍了研究组的实验方法.同时,也对8种低Z元素和16种中、高Z元素在keV能区的实验数据和理论模型、经验公式进行了比较,并对目前电子原子碰撞K壳层电离截面的实验测量和理论研究的现状及需进一步开展的工作进行了讨论.

9—28keV 电子引起的Cu的K壳层电子电离截面

用高分辨的Ｓｔ（Ｌｉ）探测器测量Ｃｕ靶在９—２８ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。运用用电子输运双群模型对衬底的反射对电离的贡献进行了修正。测量结果与前人的实验和经验公式计算结果作了比较。

KiC:一种结合“结构洞”约束值与K壳分解的社交网络关键节点识别算法

[目的/意义]在大规模社交网络中快速搜索关键节点对于舆情的引导和控制具有重要意义。[方法/过程]本文提出一种适用于社交网络的局部中心性关键节点识别算法,该方法综合评估了节点的K壳、自身的聚集特性以及邻居的扩散特性和节点自身传播状态,同时体现了节点在空间上的网络位置和邻居的拓扑结构以及在时间上演化特征,评价指标更加全面高效。[结果/结论]实验结果表明,该方法识别的关键节点对网络鲁棒性的影响与介数中心性接近,但计算仅基于节点局部信息,时间复杂度低。剔除这些节点后网络的连通性受到较大影响,网络聚类系数降低,平均路径长度增加。同时,利用SIR传播模型模拟验证,以该算法识别的关键节点为初始传播源可提升信息传播范围和平均传播速度。

电子引起的钛和锰的K壳层电离截面测量

报道了电子引起的钛，锰原子的Ｋ壳层电离截面实验值。实验中，采用了薄靶厚衬底技术，并将衬底中反射的电子对测量值的影响进行了修正。实验结果与其他文献报道的测量结果相吻合。最后，还将实验结果与Ｃａｓｎａｔｉ等人的经验公式进行了比较。

铝丝阵等离子体K壳层辐射区域测量

采用球面云母晶体,在特定的几何布局下,通过选择适当的设计参数,在1.3 MA脉冲功率装置上获得了Lyα线表征的Z箍缩铝丝阵等离子体K壳层辐射时间积分2维分布。与通常采用的带滤片卡域的时间积分针孔成像相比,避免了由于无法将测量能段准确设定在K壳层辐射谱线所在能区,而造成测量结果偏离真实的K壳层辐射分布的缺点,为模拟计算Z箍缩等离子体辐射输运程序提供了更为精确的校验参数。

AlK壳层等离子体辐射谱模型的比对

碰撞辐射模型的比对研究对校验发展等离子体辐射谱模型、提高等离子体参数的诊断精度具有重要意义.基于Al等离子体,对常用的辐射模型代码FAC和FLYCHK K壳层辐射谱模型开展了比对研究,详细比较了它们的离子丰度、特征线强度、谱发射率曲线和吸收系数曲线等特征,并根据各能态的速率方程,从FAC和FLYCHK模型的结构特点出发,分析了造成这些差异的原因.FAC和FLYCHK计算得到的类H、类He离子n=2,n=3激发态数密度有显著差异,进而引起特征线发射率及其比值(He-IC/He-α,He-β/H-β)的差异,从而对等离子体参数的诊断结果产生影响.除了模型中采用的能级结构和碰撞辐射过程速率外,计算结果显著地受到FAC和FLYCHK模型结构的影响.n=2激发态数密度的差异是由FAC和FLYCHK分别采用能级和超组态(组态)的方式构建n=2激发态的速率方程而引起的,而FAC代码忽略了n=3与更高激发态之间的碰撞耦合过程,是引起n=3激发态数密度差异的原因.主要特征线的吸收系数与基态能级的数密度相关,受到激发态数密度的影响较小,因此与谱发射率曲线相比,FAC和FLYCHK计算结果的差异更小.

9—46keV电子引起的Ni的K壳层电离截面

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量薄Ｎｉ靶在９—４６ＫｃＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。测量结果与前人的实验和理论计算以及经验公式的计算结果作了比较。

Nb,Ag原子的K壳层和L壳层电离截面的理论计算

电子离子碰撞电离截面是模拟激光等离子体的超热电子的能谱和产额的主要过程之一.基于相对论性的电子离子碰撞的K壳层电离截面理论,计算了Nb、Ag的K壳层和L壳层电子碰撞电离截面,结果和最近的文献实验数值和其它理论数值进行了比较,计算结果比其它模型更加准确,与最近的实验结果也吻合较好,该结果可用来模拟激光等离子体的超热电子能谱和产额.

电子碰撞引起的铜元素K壳层电离截面的测量与修正

在电子碰撞的情形下 ,通过对铜靶的特征 X射线测量 ,从而推算出它的 K壳层电离截面。在实验中采用了薄靶厚衬底新方法。通过电子输运计算 ,由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以修正。用蒙特卡罗技术对质量厚度为 2 3 μg/cm2的铜靶的多次散射影响作了修正。

8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究

低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏,从而影响了对近年来发展的各相关理论模型的检验,限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用.本文采用慢正电子束流装置产生的8—9.5 keV正电子束碰撞纯厚Ti靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集正电子碰撞Ti靶产生的X射线,同时采用高纯锗探测器在线获得与靶碰撞的入射正电子数,从而得到Ti的K壳层实验产额,并基于蒙特卡罗模拟程序PENELOPE获得模拟产额.将实验产额分别与内壳层电离截面数据库采用经典光学数据模型(ODM)和扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟产额进行对比,发现基于ODM理论模型的模拟产额与实验值有较大的偏差,基于DWBA理论模型的模拟产额与实验结果符合较好.根据实验产额和基于DWBA理论模型的模拟产额的比较结果,对蒙特卡罗模拟程序使用的DWBA理论模型数据库进行修正后再进行模拟和比较,从而得到可靠的8—9.5 keV正电子致Ti原子K壳层电离截面数据.

用薄靶厚衬底方法测量电子碰撞引起的K壳层电离截面

用能谱仪测量特征X射线 ,从而导出元素钛和钒的K壳层电离截面。为克服制靶困难 ,实验中采用薄靶厚衬底方法。通过电子输运计算 ,由厚衬底产生的反射电子对计数的影响得以修正。

P和In原子K壳层X光吸收对InP单晶表面的损伤增强作用

用两组能量围绕Ｐ和ＩｎＫ壳层结合能上下的同步辐射单色Ｘ光对ＩｎＰ单晶［１００］表面进行辐照。结果表明，无论Ｘ光子被Ｐ原子Ｋ壳层吸收还是被Ｉｎ原子Ｋ壳层吸收，ＩｎＰ单晶［１００］表面Ｐ原子芯能级２Ｐ电子态变化明显。Ｐ和Ｉｎ原子Ｋ壳层Ｘ光吸收对ＩｎＰ单晶表面辐射损伤增强因子分别为４．４ｘ１０－６ｋｇ／Ｃ和３．

由21～40keV电子轰击钼引起的k壳层电离截面的测量

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量能量为２１～４０ｋｅＶ电子引起的的Ｍｏ的特征Ｘ射线，从而确定ｋ壳层的电离截面．描述了衬底影响测量结果的修正方法．同各种理论计算的比较表明。

电子、质子轰击核靶原子K壳层的电离截面初步计算

介绍了利用电子、质子分别轰击核靶原子K壳层电离截面的计算方法，给出了摸（Mg）、铝（Al）、钙（Ca）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、铬（Cr）等核靶的计算结果。最后进行了简要讨论。

多电荷离子与C、Ne和Ar原子碰撞中K壳层电子俘获截面的计算

本文提出了一种计算多电荷离子与原子碰撞中K壳层电子俘获截面的新方法,称为模型势Oppenheimer-Brinkman-Krammer近似(MPOBK)。在该方法中我们用模型势来描述K电子所处的有效场,同时在波函数中考虑屏蔽效应。我们得到的K壳层总俘获截面是一个表解析达式。对H^+、He^(2+)-Ne,H^+、He^(2+)-C及O^(5+,6+)-Ar体系的计算表明本文结果较好地与实验数据一致。

电子轰击核靶原子K壳层电离截面的一种计算

介绍了利用电子轰击核靶原子K壳层电离截面的一种计算方法。文中给出了镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)等核靶的计算结果,并与质子轰击的情况做了比较,最后进行了简要讨论。

铝—K壳层电离截面的测量

叙述了质子轰击铝靶原子K壳层电离截面的测量。文中给出了实验原理、方法和结果,并与计算做了比较,还进行了讨论。