KDP/DKDP晶体生长的研究进展

采用传统降温法，KDP晶体的生长速度一般在1～2mm／d，DKDP晶体的生长速度甚至更慢，并且晶体的恢复区域较大，利用率低；而采用快速生长法，晶体的生长速度可以提高到20～50mm／d，并且晶体的恢复区域小，利用率高。本文回顾了KDP／DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展，报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。

溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体

本文研究了溶液循环流动法生长大截面ＫＤＰ晶体的工艺条件．发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热、流动体系的流量和生长相的温场．测定了不同条件下生长槽的温场，确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度、加快晶体生长速度．

水溶液提拉法实现KDP单晶柱面扩展

利用水溶液提拉法,把籽晶放在育晶器的底部,沿〈110〉方向进行提拉生长,生长出了截面较大的KDP单晶12mm×12mm×31mm。〈110〉方向的生长速度较传统的溶液降温法得到了一定的提高。这主要是由于提拉使得晶体在提拉方向上的溶质边界层梯度持续发生变化造成的。

三轴运动式KDP晶体生长驱动机构设计

针对传统转晶式溶液降温法生长KDP晶体时容易出现透明度差、裂纹等晶体缺陷的问题,设计了一种运动轨迹、运动参数可变的三轴运动式晶体生长驱动机构。该机构以MPC08SP运动控制卡为核心控制单元,伺服电机为驱动单元,KK模组为执行单元实现机构三轴直线运动。晶体生长实验结果表明,利用该晶体生长驱动机构长成的KDP晶体具有表面光滑平整、形状规则、无裂纹等传统转晶方式下长成的KDP晶体所无法比拟的优势。

掺镁近化学计量比LiTaO_3晶体的生长及光学性能(英文)

在同成分LiTaO3熔体中掺入一定剂量的K2O,采用顶部籽晶提拉法生长掺镁近化学计量比LiTaO3晶体。对晶体分别进行光谱分析,畴结构和抗光损伤阈值的测定。结果表明:与同成分掺镁LiTaO3晶体相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,红外吸收峰变弱。腐蚀晶片的晶相显微镜观察结果表明:掺镁近化学剂量比晶体的畴结构是较为规则的六边形;晶体的抗光致散射能力明显提高。

新型TGS系列晶体的生长

本文选用结构与甘氨酸相似且偶极矩较大的有机分子作为置换式掺杂剂,用水溶液降温首次生长出四种新型的均匀透明的大尺寸TGS系列晶体,即掺乙二胺的TGS(ENTGS),掺羟基乙酸的TGS(HTGS)、掺氨基乙醇的TGS(AMTGS)和掺DL-酒石酸的TGS(TATGS)等四种新型晶体,并分别测定了相应溶液的准稳定区,研究了它们各自的生长习性,同时应用了X射线粉末衍射与红外光谱分析等方法,证实了掺杂剂均已进入晶体,达到了预期的目的。

快速生长尿素长棒籽晶的新技术

本文报道了采用溶液降温法在甲醇溶液中加入1-5%的乙醇胺添加剂,快速高效地生长出(001)方向长度大于185mm 的透明尿素长棒籽晶,满足了用 Z 向限制方法生长大尺寸尿素晶体长籽晶的需要。

对羟基苯甲酸甲酯单晶生长和光学性能

本文报道一种有机非线性光学晶体——对羟基苯甲酸甲酯(p-MHB)的晶体结构、单晶生长、光学性能和晶体的倍频性能测试。采用水溶液降温法生长出体积为65cm^3的透明单晶。晶体属单斜晶系,空间群为 Cc。晶体的透光波段是310nm 到1500nm。晶体在室温下可实现相位匹配,它的粉末倍频效率是 KDP 的10倍。

反式二苯乙烯(TSB)的溶液法晶体生长

本文观测了TSB在苯甲醚等有机溶剂中的结晶习性,测定了相应的溶解度曲线和亚稳区。采用溶液降温法在50~30℃的温度范围内进行晶体生长,获得透明度好的厘米级TSB晶体。通过对所得晶体进行X射线粉末衍射、紫外-近红外透过光谱、吸收光谱和紫外荧光光谱等测试,表明:本实验使用的不同生长溶剂对TSB晶体结构不会产生影响,所得晶体在410~1000 nm波长范围内透过率不低于80%,而在200~360 nm范围内有吸收,在波长为272.8 nm的激发光作用下,得到较强的荧光峰,峰位为386 nm。

反式二苯乙烯(TSB)晶体的溶液法生长研究进展

反式二苯乙烯(TSB)晶体是一种可用于较强γ辐射下进行快中子检测的优良闪烁材料。由于溶液法得到的晶体在质量、性能等方面所表现的优越性,有必要对TSB晶体的溶液法生长技术进行系统研究。本文介绍了国内外关于TSB晶体的溶液降温法生长研究过程和取得的进展,对相应研究结果进行了分析,并提出了尚存在的问题。

新电光晶体DCNP的生长

本文报道了不同溶剂对ＤＣＮＰ晶体生长的影响，发现二甲基甲酰胺是一种好溶剂。利用降温法已生长出ＤＣＮＰ透明单晶。

不同助熔剂体系下Ga_3PO_7单晶的生长与表征(英文)

在X2CO3–MoO3(X=Li,K)助熔剂体系下,采用顶部籽晶缓冷法生长出厘米级磷酸三镓(Ga3PO7)晶体。实验结果表明:X2CO3–MoO3助熔剂适合Ga3PO7单晶的生长。通过测量Ga3PO7单晶的紫外–近红外光谱和中红外光谱研究了其基本光学性能。在K2CO3–MoO3助熔剂体系下,生长的Ga3PO7晶体(101)晶面的透过率达到89%。热学性能测试表明:Ga3PO7晶体具有高的温度稳定性(在K2CO3–MoO3助熔剂体系下高达1 621.15 K),Ga3PO7晶体的导热性良好,且各向异性不明显,有利于其应用。从Li2CO3–MoO3和K2CO3–MoO3两种助熔剂体系中生长的Ga3PO7晶体,其基本性能无明显区别。

1,3,5-三苯基苯晶体的溶液降温法生长及其性能

以丙酮为溶剂,采用溶液降温法生长1,3,5-三苯基苯(TPB)晶体。在40~45℃温区下生长出尺寸为19 mm×15 mm×13 mm的透明块状晶体,生长速率约为3 mm/d。通过X射线衍射、光学显微镜观察、热分析、荧光光谱和脉冲形状鉴别(PSD)测试对晶体进行了表征。结果表明:降温法生长的TPB晶体为正交晶系,空间群为Pna21;TPB单晶各向透明度高,没有宏观缺陷,但在各面上均存在生长花纹。TPB晶体的熔点为174℃,蒸发损失发生在283℃;TPB晶体在360 nm处具有相对尖锐和强的带边发射峰。TPB晶体总品质因数(FOM)值为0.85,表明它具有优异的中子/伽马(n/γ)射线辨别能力。