-
题名KH_2PO_4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应
被引量：2
- 1
-
-
作者
刘长松
Kioussis Nicholas
-
机构
中国科学院固体物理研究所
Department of Physics
-
出处
《物理》
CAS
北大核心
2004年第1期9-11,共3页
-
基金
国家自然科学基金 (批准号 :10 1740 82 )资助项目
-
文摘
研究了非线性光学晶体材料KH2 PO4(KDP)中不同带电状态的H缺陷的稳定性及其反应 .从而以清晰的物理图像描绘了KDP材料暴露在强紫外线或X射线下性能下降的原因 .研究发现 ,对于H间隙原子 ,当增加一个电子时 ,H间隙原子与主H原子发生作用 ,形成间隙H2 分子并产生一个H空位 ,而增加一个空穴时H间隙原子与临近的主O原子形成氢氧键 ,这两种带电态的H间隙原子均切断KDP材料中形成网络的氢键 ;对于H空位 ,增加一个空穴将导致形成“过氧化氢”桥结构 .
-
关键词
氢缺陷
磷酸二氢钾
非线性光学
kdp
缺陷反应
晶体材料
带隙宽度
-
Keywords
kdp, h defect, defect reaction
-
分类号
O77
[理学—晶体学]
O738
[理学—晶体学]
-
